[NAND Flash 6.5] NAND FLASH 多平面读(Multi Plane Read)时序及原理_闪存交错读时序(Interleave Read)

依公知及经验整理,原创保护,禁止转载。

专栏 《深入理解NAND Flash》

<<<< 返回总目录 <<<<
全文 5200 字。

内容摘要
Multi Plane Read Operation

Check Multi Plane Operation Status

Multi Plane Change Read Column Enhanced (06h-E0h)

Interleave Read

在设计闪存存储系统的时候,特别是在设计NAND Flash控制器、SSD盘或者卡的时候,都需要深入了解NAND Flash的操作方法、接口命令及其时序。
[NAND Flash 6.5] NAND FLASH 多平面读(Multi Plane Read)时序及原理_闪存交错读时序(Interleave Read)_第1张图片

每个NAND Flash的逻辑单元LUN(图中Chip)都被划分为多个物理planes,以前常见的每个LUN有2个plane,现在常见的是4个plane

你可能感兴趣的:(深入理解NAND,Flash,NAND,Flash,性能优化)