GaN RF CMC 模型 (IC-CAP)

GaN RF CMC目前仅支持hpeesofsim模拟器。
您需要安装ADS 2017 Update 1.0作为运行GaN RF提取示例的最低要求。

INITIALIZE/README_FIRST/GENERAL_INFO
这个工具包旨在为单个设备和单个温度提供一个全局建模策略。

它可以轻松扩展到任何更复杂的应用或不同的建模策略。

您需要做的只是定义更多的’Mdlg_xxx’转换，它们连接到位于UTILITIES.mdl中的中央建模GUI。

这个val$(UtilitiesLoc).mdl文件必须与该工具包一起加载到IC-CAP中。

关于测量数据的一些说明：

输入/输出名称是标准化的：
Gate: vg ig
Drain: vd id
Source: 不使用，因为所有测量都是使用GSG探针进行的
Frequency: freq
S参数： S（非去嵌入S参数）
S_deemb （去嵌入S参数，默认）

导入测量数据时，请确保使用了这些标准化的名称！

关于推荐的数据目录结构的说明：

请参阅设置’DEFINE_WORK_DIR’中的转换’Readme_First’。

INITIALIZE/README_FIRST/HELP_HOW2USE

如何使用这个工具包：

该模型文件中的DUT和设置是按从上到下的顺序组织的，即您从最上面的一个开始，然后沿着DUT/设置列表一步一步向下进行。

在每个设置中，您都执行相同的操作：在“提取/优化”选项卡中，按照转换的顺序进行操作，同样也是从上到下的顺序。

注意：分隔符___aux_____下面的转换是子宏，由上面的宏调用。您无需手动处理它们！

要开始使用此模型文件，请从“加载测量数据”设置开始，并按照设置及其转换的顺序从上到下进行。

GaN射频示例项目概述

GaN RF提取项目提供了一个初始的提取示例流程，以便您可以了解GaN模型的提取。这些项目和工具具有灵活性，可以轻松自定义以实现特定工艺技术的最佳准确性。提取流程是一个逐步手动过程，需要对模型及其参数有一定的了解。

提取模型包括以下步骤：

1. 准备设置并加载测量数据。
2. 通过设置一些重要的变量（名称、工作目录等）来定义项目。
3. 初始化参数，包括已知的工艺和布局信息。
4. 执行逐步提取（这取决于模型）。
5. 最后，保存结果。

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