电源之LDO-2. LDO的压降

欢迎加入粉丝群讨论——关注威信公众号:硬件之路学习笔记,并后台回复:粉丝群

-----本文简介-----

    本文是对此前文章的重新整理,包括图片优化、错误更正等,点击文末阅读原文可以阅读原始文章。

主要内容包括:

    ①:什么是LDO的压降?

    ②:LDO的压降如何产生?

    ③:如何降低LDO的压降?

关注威信公众号:硬件之路学习笔记,阅读下列文章:

电源之LDO-1.LDO基础知识

电源之LDO-2. LDO的压降

电源之LDO-3. LDO的热性能

电源之LDO-4. LDO的电源抑制比

电源之LDO-5. LDO的噪声

电源之LDO-6. LDO的输出电容

电源之LDO-7. LDO的电流相关概念

电源之LDO-8.LDO选型与计算

电源之LDO-9.LDO的PCB布板

-----正文-----

1. 什么是压降?

    压降电压 Vdrop 是指为实现正常稳压,输入电压 VIN 必须高出所需输出电压 VOUT的最小压差。

2. 压降在数据手册中如何体现?   

    以经典LDO AMS1117-3.3为例,在数据手册中其Vdrop电压在0.8A时为1.1V,意味着想要输获得3.3V-0.8A的功率输出,在不考虑温度等其他影响条件下,VIN至少要等于3.3+1.1=4.4V。

    部分手册还会给出具体的输出电流-Vdrop曲线,如下图1

电源之LDO-2. LDO的压降_第1张图片

图1 Iout-Vdrop

3.  决定压降的因素是什么?    

    输出电流是Vdrop的一大影响因素,但其决定因素是LDO 的架构。为说明原因,我们分别介绍PMOS结构LDO与NMOS型LDO,并对比其工作情况。

电源之LDO-2. LDO的压降_第2张图片

图2 PMOS型LDO   

    PMOS型号LDO稳压输出原理:当Vout小于Vref+(1+R1/R2),即FB小于Vref,运放VP小于VN,运放输出电压Vg减小,Vin不变,即Vs不变,则|Vgs|=|Vg-Vs|增大,所以MOS的Vds减小,Vout=VIN-Vds增大,产生了负反馈;反过来同理。

    因为运放输出电压最低是0V,所以VGS最大值为VIN-0=VIN,即Vds有限小,Vdrop就等于Vds,这就是PMOS的Vdrop有限小的原因。同时,当输出电流增大时,Vgs也需等大,依旧是同样的原因,输出电流也有限大。为什么数据手册上给的Vdrop要限制输出电流为0.8A?正是由于输出电流和Vdrop都受运放最小输出电压限制。

    同时由于VGS的最大值等于VIN,所以PMOS型LDO在大电压输入的场合更能获得低的Vdrop。

电源之LDO-2. LDO的压降_第3张图片

图3 NMOS型LDO

    与PMOS相似的负反馈,不再赘述,不同的是,NMOS型的Vgs因为Vg受运放最大输出电压Vg的影响有限大,所以Vdrop=Vds有限小。

4. 如何降低压降    

    了解了NMOS和PMOS型LDO的控制逻辑后我们可以轻易得出降低Vdrop的方法-增大|Vgs|,由于Vs我们无法控制,因此我们可以通过增大Vg来增大Vgs,一般有以下两种方法。

         ①. 为运放增加专用的辅助电源,此电源大于输入电压。

电源之LDO-2. LDO的压降_第4张图片

图4 加入专用电源的LDO

          ②. 更简单的方法是加入电荷泵提高运放供电电压。 

电源之LDO-2. LDO的压降_第5张图片

图5 带电荷泵的LDO

欢迎加入粉丝群讨论——关注威信公众号:硬件之路学习笔记,并后台回复:粉丝群

①、公众号主页点击发消息    

②、点击下方菜单获取系列文章

图片

你可能感兴趣的:(单片机,嵌入式硬件)