解释ROM、RAM、SRAM、DRAM与FLASH在使用上的区别及其原因

• ROM（Read Only Memory）:只读存储器，掉电时可以保存数据。
  • 只读存储器，在单片机运行时，只能从中读取数据，不能向里面写数据。特点是掉电不丢失数据，在单片机中主要用来存储代码和常量等内容。
• RAM（Random Access Memory）：可读可写，掉电会丢失数据。
  RAM又分为SRAM和DRAM。RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
• SRAM（Static RAM）：静态存储器，读写速度快，生产成本高，多用于容量较小的高速缓冲存储器。
  • 缺点是一个内存单元需要的晶体管数量多，因而价格昂贵，容量不大。
• DRAM（Dynamic RAM）：动态存储器，读写速度较慢，集成度高，生产成本低，多用于容量较大的主存储器。
  • DRAM用于通常的数据存取。我们常说内存有多大，主要是指DRAM的容量。
• SDRAM（Synchronous DRAM）：同步动态随机存储器，需要刷新，速度较快，容量大，比DRAM多一个同步时钟。
• DDR RAM（Double-Date-Rate RAM/DDR SDRAM）：双倍速率同步动态RAM，需要刷新，速度快，容量大。
  • 这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
• FLASH存储器（Flash EEPROM Memory）: 又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。它用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。
  • 目前Flash主要有NOR Flash和NADN Flash：
    • NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。
    • NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还加上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

	NOR	NAND
类型理解	或非	与非
接口理解	地址、数据总线分开	地址、数据总线共用
读写单位	字节	页
组成结构	扇区、字节	块、页
擦除单位	扇区	块
读写速度	读速度比较快	写速度比较快
擦除速度	5ms擦除速度	4ms擦除速度
		擦除单元更小，相应的擦除电路少
	写入时，先进行擦除操作