模电笔记2：pn结的形成

• 本征半导体可以导电：粒子热运动带来的本征激发

• 本征激发的速度 复合的速度和什么有关

• 本征半导体导电 是因为 载流子的存在

• 本征半导体导电能力和什么有关：载流子 浓度

2.杂质半导体

 •可扩散性：在纯净的本征半导体扩散其他元素 构成杂质半导体

 

 

温度对n型半导体载流子子的影响

• 对 n 型半导体多子影响不大：本身自由电子多，热运动产生的自由电子不多

• 对 n 型半导体少子影响很大：少子浓度变化非常大，本身基数少

•

• 如果一个半导体器件性能和少子有关，那么他受温度影响大

• 如果仅仅和多子相关，受温度影响小

• 掺杂，得到 n 型 p 型 导电能力提高了

•

• 把这两种杂志半导体放在一起的时候，产生了 pn 结

2.pn结

• 1.pn 结的形成

• P 型半导体 n 型半导体 放在一起

 

• N 区自由电子扩散到 p 区的时候，反过来

• 在交界面处 复合

• 载流子消耗，形成空间电荷区，形成空间电场，电场方向 n 指向 p

• 空间电场组合两个区的多子复合，起了阻挡的作用

• N 区少子空穴被空间电荷区拉到 p 区，

• P 区空穴也被拉到 n 区

• 少子在空间电场力作用下，飘的运动 称之为漂移运动

• 一定程度下，多子扩散运动，少子漂移运动 达到 动态平衡

 

 

 •如果对电流不加限制一直增加，会烧掉pn结，加电阻：限定pn结通过的最大电流u/r

• Pn 结单向导电：只能 p 到 n