IBM 开发「瞬间」内存，比闪存快 100 倍

分类: 科技新闻

IBM 的工程师有多神？这是一群在 百岁生日上还能继续为世界带来超级大改变的人啊！这次的发明，是一种新的相变内存（Phase Change Memory，PCM），这种内存的原理，是运用一种有两种形态 -- 结晶和无定形 -- 的合金做为基础，这种合晶在结晶时导电性良好，但在不定形状态下电阻就变得很高。因此只要通电改变结晶的型态，就能在这种合晶上储存数据，电阻高的不定形状态是零，而电阻低的结晶状态是一。虽然原理不完全一样，但这种合晶在效果上颇接近 忆阻器，相较于现有的闪存，读写速度可以快上 100 倍，而且可以稳定地使用数百万个写入循环（闪存几千次就不行了）。

IBM 的技术还不止如此 -- 他们成功地发展了一套方法，可以可靠地在一块晶体中储存四种不同的电阻「等级」，让本来只能储存一个位，变成可以存两个，大幅提升信息的储存密度，不过就像大部份这种令人兴奋的新科技，IBM 只能给出「五年之内发生典范转移」这样笼统的数字。现在我们眼前既有答应 2013 年推出的忆阻器，又有 2016 年的瞬间内存，只要撑过了 2012 的世界末日，小弟小小的谜片收藏应该就终于有快速而安全的 SSD 可以存了吧？

引用来源 |  此文章网址 |  转寄此文章 |  回应