SSD

一个专门从事闪存芯片制造的公司,也是一个专门从事固态硬盘控制芯片设计的公司。可以想象有着如此巨大优势的公司会造就出怎样伟大的产品——这就是Intel。将近1年前Intel推出了SSD固态硬盘X25-M,在这个2.5英寸的小固态驱动器里采用MLC闪存颗粒。在当时,它可以说是SSD业界无冕的性能之王。事实上,从今天的科技发展角度来看,他仍然是难以被赶超和击败的强者。

  从去年11月Intel发布X25-M以来,在固态硬盘制造领域已经发生了翻天覆地的变化。三星设计了全新的SSD固态硬盘控制芯片,并出售给OCZ和海盗船,它提供了更强的数据吞吐能力,甚至在某些评测项目中超过了Intel的X25-M。而韩国的著名SSD控制芯片厂商Indilinx也推出了全新的SSD控制芯片解决方案,抢夺了目前50%的SSD控制器市场份额。Indilinx在业界的流行是有其道理的,Windows 7开始对SSD固态硬盘进行底层优化,Indilinx有着强大的随机写入性能和TRIM技术。这些先进的特性已经足以与X25-M一较高下。

  然而Intel的固态硬盘产线众多,X25-M系列也在不断的革新。去年11月,Intel发布了采用SLC闪存颗粒的X25-E,通过这个“E”我们可以猜到,它是面向企业级的高阶产品。另外一个产品线是1.8英寸的X18-M固态硬盘。而在今年4月,Intel发布了最新的X25-M和X18-M固态硬盘的升级固件。在X25-M发布之初,其售 价高达600美元,而今年Intel的主要目标就是要将SSD固态硬盘的成本和售价拉下来,使之成为广大消费者能够买的起的高性能存储产品。目前全新版本的X25-M售 价仅仅是发布之初的一半。

  目前来说,固态硬盘仍然是一个昂贵的硬件,即使你是一个高阶玩家,想要获得超高的性能表现也要付出巨大的成本代价。当然固态硬盘的价格一直在下滑。对于Intel来说降价的基础绝对不是缩小容量,更不是偷工减料。他们采用了全新的34nm制造工艺技术。举例来说,这使得目前最新的X25-M的售价为225美元,这比上一代X25-M价格要便宜了35%。

  Intel声称,这是全新的产品,新的型号,它的速度会超过以前的SSD固态硬盘。在一个美丽的下午,我们收到了这块Intel最新的固态硬盘,下面且让小编带领大家一同领略它的风采。

  

 

 


 

 

 

减去16个纳米

 

 

 


 

 

 

 

 

 

  事实上,固态硬盘的结构相当简单,它仅仅是闪存芯片阵列。而最好的降低成本的方法就是转移到更为精细的制造工艺技术。让具备同样存储能力的芯片,压缩到更小的尺寸面积上。早期的X25-M使用的是50nm制造工艺技术的MLC NAND闪存芯片。而全新的X25-M采用的是34nm制造工艺技术。这导致的直接后果是,在同样的芯片成本下,可以直接提高每一个存储芯片的容量,进而提升硬盘的整体容量。例如早期的X25-M用了20个4GB的闪存芯片组成存储阵列。而现在每个存储芯片的容量可以达到16GB。那么可以轻松将容量提升到320GB。

  第二代X25-M固态硬盘内的控制芯片也非常的“鲜嫩”,尽管在芯片面积方面它并没有任何收缩。之所以说它非常鲜嫩是因为Intel采用了无卤素的芯片制造工艺。深度的讲,这也有助于笔记本电脑厂商的绿色电脑评级。根据Intel的资料,该SSD控制器也采用的是一种高阶的阵列技术。它采用的是一个10通道的设计。有趣的是,Intel并没有透露这颗芯片的内部时钟速度是否有显著提升。

 

 

 


 

 

 

新老X25-M:规格对比

 

 

 


 

 

 

 

 

 

  但是从规格上来看,Intel全新的X25-M固态硬盘的缓存架构放慢了速度。这是为什么呢?新SSD,集成有32MB的DRAM高速缓存,工作频率为133MHz。上一代X25-M的高速缓存仅有16M,但是它的工作频率为166MHz。新的SSD缓存频率比上一代整整少了33MHz。而对于现今的其他竞争对手而言,Indilinx已经有了可以驱动64MB高速缓存的SSD控制芯片。而三星最新的控制器可以配备128MB的高速缓存。

  而Intel辩言道,新的控制芯片的潜伏期已经明显得到改进。硬盘的随机读取潜伏期已经从85微秒降低到了65微秒,而随即写入延迟也从115微秒下降到了85微秒。这意味着会有25%的性能提升。虽然高速缓存的运行速度有所降低,但是其潜伏期却大大改善,两者得到了中和。

M25-M M25-M 二代
控制器 Intel PC29AS21AA0 Intel PC29AS21BA0
闪存芯片工艺 50nm 34nm
容量 80, 160GB 80, 160GB
Cache 16MB 32MB
最大读取速度 250MB/s 250MB/s
最大写入速度 70MB/s 70MB/s
读取潜伏期 85 μs 65 μs
写入潜伏期 115 μs 85 μs
最大4KB写入IOPS 3,300 8,600 (160GB) 6,600 (80GB)
最大4KB读取IOPS 35,000 35,000
负载功耗 150 mW 150 mW
闲置功耗 60 mW 75 mW

  除了减小潜伏期之外,加快随机写入也是一个性能优化的重点。Intel声称新的80GB X25-M在4KB随机写入的操作数可以达到6600 IOPs。而最初的X25-M仅有羞愧的2000 IOPs。全新的X25-M 160GB版本则有着8600 IOPs。而在随机读取操作方面X25-M依然有着惊人的35000 IOPs性能表现。

  虽然X25-M的随机写入性能明显得到了改善,似乎已经可以适用于大负载的写入数据呼叫任务环境。但是它的实际写入性能仅有70MB/s。在X25-M刚刚推出的时候,它的写入速度就并不被所有人看好。因为Indilinx和三星的固态硬盘写入速度在200MB/s的等级。Intel表示,目前持续写入速度在新版本内并没有得到大幅增加,X25-M第二代Intel的主打基调是拉低主流固态硬盘的售 。而此后在我们的评测中,也反映出了这个问题,X25-M的写入性能并未有大幅提升。

 

 

 


 

 

 

34nm版本性能优化

 

 

 


 

 

 

 

 

 

  在新一代的X25-M固态硬盘中,Intel还做出了一项非常重大的改进。Intel决心去除长期损害SSD性能的一个诟病——区块重写损失。在固态硬盘长期使用时,会产生许多磁盘碎片,其存取性能会远不如从前。这是因为在闪存芯片中,4KB的页会组成512KB的块。另外也可以直接对页进行写入,但他们必须是空的。在写入操作时,如果一个块中被一个页所占据,那么驱动器就会重写整个块。当读取较大区块的时候,它会被直接放在缓存中,然后在缓冲中进行修改,最后在将整个块进行回写操作。这样繁琐的存储区块操作需要占用更多的时间,同时也会消耗缓存的写入性能。

  有读者会发问,固态硬盘中有许多空闲的存储区域,这里有大量的未被占用的页,可以直接对其操作,这样不就行了?但小编我很遗憾的告诉你,这不可能。当Windows删除一个文件的时候,它并不会真的从驱动器上抹去这个文件。在闪存芯片中也是如此。它会被标记成“已删除”,但是其内容不会真的被抹掉。从技术角度而言它仍然霸占着这些存储空间。这也就是为什么通常我们的SD、CF卡在数码相机中,不小心将照片删除后,仍然可以完美恢复的原因。因此闪存控制芯片会发现这些被“存储”着的已删除文件,并且将这些块视为大容量区块,并频繁的在缓冲中挪移。

  在这里,Intel使用了几个方法来抵消随着SSD的使用不断产生出的磁盘碎片文件。首先一个方法就是垃圾收集算法,就像是磁盘碎片整理一样,它会不断的试图清洗SSD内的文件碎块。而上文提及的减少潜伏期对于SSD来说显得有效的多。而全新的大容量缓存也有助于改善块的重写性能,并且提升SSD的整提效能。

  另外,Intel通过更新固件来支持一项新的技术TRIM,它是Windows 7中所特有的一项技术。通过TRIM,当闪存芯片内的文件被删除时,其真正的文件也一并被“洗劫一空”,固态硬盘控制器不再仅仅是简单的为文件添加上“已删除”的标记。保证驱动器内都是洁净的空闲空间。

  但不幸的时候,Intel并没有针对以前50nm制造工艺的X25-M推出相应的改进固件。全新的固件可能还在紧锣密鼓的研发之中。而除了刷新固件支持Windows 7之外,Intel也推出了SSD工具箱,让你可以对固态硬盘进行微调。例如针对Windows XP和vista的磁盘碎片整理工具等。目前Indilinx也提供类似的程序,而这些新生代SSD的磁盘碎片整理工具还要经历AMD、NVIDIA和Intel各家主流芯片组的兼容性考验。

 

 

 


 

 

 

第二代X25-M:细节剖析

 

 

 


 

 

 

 

 

 

  第二代X25-M除了内部的很多变化之外,在产品的外观上也有较大的改变。它使用了全新的外观风格。传统的黑色外壳已经不见了取而代之的是裸露的金属外壳。这样的包装业可以进一步的降低成本。黑色金属框架中嵌入了9.5mm厚度的金属薄片。总的来说这样做是一件好事,新老款X25-M有了很实在的对比。我们可以很直观的区分新旧型号。

  传闻X25-M将有超大容量320GB版本,我们上文已经分析出了这种可能性。另外现有的容量版本是80GB和160GB两款。目前Intel尚未公布320GB版本,不过Intel透露在2010年以前,Intel不会发布新的SSD产品。要想获得更高性能的Intel SSD,我们起码要等再上一几个月的时间。性能更强的采用SLC闪存颗粒的X25-E届时会与我们见面。不过小编我推测,基于34nm的SLC芯片可能还在研发阶段,距离大批量应用还有段时日。

  另一个好消息是34nm制造工艺技术也会沿用到1.8英寸的X18-M驱动器上。它同X25-M一样具有相同的性能表现。

 

 

 


 

 

 

测试方法

 

 

 


 

 

 

 

 

 

  今天我们要测试Intel最新的第二代X25-M固态硬盘,容量160GB。当然不会仅仅测试它本身。我们也会拿出目前最新的SSD解决方案,例如Indilinx和三星的产品进行对比评测。我们可以发现不同固态硬盘方案之间的性能差异。

  另外要说明的是,我们评测的意义在于能够真实的反应出SSD在现实生活中的状态。因此我们没有使用刚刚出厂的产品。而是采用了那种,经过使用了一段时间所有闪存页都被碎片文件所占据的SSD。相信这才是最真实的一面。

  另外我们也没有使用任何的针对SSD的磁盘碎片整理软件。使用的主板驱动都是通过WHQL认证的。

  测试软件包括:

  WorldBench 6 Beta 2
Intel IOMeter v2006.07.27
Xbit Labs File Copy Test v0.3
HD Tach v3.01
Far Cry 2 v1.3
Call of Duty 4 v1.4

处理器 Intel Core 2 Duo E6700 2.66GHz
系统总线 1066MHz (266MHz quad-pumped)
逐步按 Gigabyte EP45-DS3R
Bios版本 F10
北桥 Intel P45 Express
南桥 Intel ICH10R
芯片组驱动 Chipset 9.0.0.1008
AHCI/RAID 8.8.0.1009
内存 4GB (2 DIMMs)
内存类型 OCZ PC2-6400 Platinum Edition at 800MHz
CAS latency (CL) 5
RAS to CAS delay (tRCD) 4
RAS precharge (tRP) 4
Cycle time (tRAS) 15
声卡 Realtek ALC889A with 2.24 drivers
显卡 Gigabyte GeForce 8600 GT 256MB with ForceWare 185.85 drivers
硬盘 Intel X25-M 80GB with 8820 firmware
OCZ Summit with 18C1 firmware
OCZ Vertex 120GB with 1.3 firmware
操作系统 Windows Vista Ultimate x64
操作系统补丁 Service Pack 2

 

 

 


 

 

 

量化块重写性能损失

 

 

 


 

 

 

 

 

 

  硬盘内碎片的多少,块重写性能的损失。这些都需要被量化,测试成绩才有意义。正如上文我们提到的,经过优化的块,与没有进行优化的,会有明显的性能提升。

  首先我们使用IOMeter记录了崭新的SSD在4KB随机写入请求时的状态。没有文件碎片。然后我们使用其他几个固态硬盘,试图用单一的连续的文件填满固态硬盘中的每一个页,迫使每一个页中都留有文件碎片。此后再用IOMeter进行测试,你会发现他们有多么巨大的性能差距。

虚线柱状图是产生文件碎片之后的情形,而实线柱状图是新出厂的固态硬盘。最下面一个OCZ Summit具有较高的IOPs性能。

 

 

 


 

 

 

性能测试:WorldBench(上)

 

 

 


 

 

 

 

 

 

WorldBench通过一系列的脚本来驱动硬盘完成任务,最后它会产生一个评分。分数当然是越高越好,下面我们来卡看所有硬盘的评测成绩。

显然Intel的X25-M二代总得分最高

PS CS2这样的软体对于磁盘的数据吞吐量要求很大,X25-M二代小幅落败

 

 

 


 

 

 

性能测试:WorldBench(中)

 

 

 


 

 

 

 

 

 

看来X25-M二运行Firefox 2小幅落败

 

 

 


 

 

 

性能测试:WorldBench(下)

 

 

 


 

 

 

 

 

 

在运行这类对磁盘性能要求严苛的程序时,X25-M二代表现非常优秀

 

 

 


 

 

 

性能测试:引导和读取

 

 

 


 

 

 

 

 

 

系统引导时X25-M二代小幅落后

farcry2中X25-M系列领先

 

 

 


 

 

 

性能测试:文件拷贝测试(上)

 

 

 


 

 

 

 

 

 

File Copy Test用于反映真实的文件操作环境,可以客观的反应出文在在被创建、读取、拷贝时的磁盘性能表现。

文件越小,X25-M二代的优势就越巨大

 

 

 


 

 

 

性能测试:文件拷贝测试(中)

 

 

 


 

 

 

 

 

 

X25-M系列在文件读取测试项目中全面胜出,因为Intel的控制器在读取方面的优势最为明显。

 

 

 


 

 

 

性能测试:文件拷贝测试(下)

 

 

 


 

 

 

 

 

 

  拷贝是创建与复制的综合表现,X25-M对于小文件有优势,而对于较大的文件来说优势则不明显。

 

 

 


 

 

 

性能测试:IOMeter操作数测试(上)

 

 

 


 

 

 

 

 

 

这个软件主要考察寻道时间和命令队列的性能。专门用于服务器和工作站级别的硬盘评测。

相对于一代来说,X25-M二代改进了IOPs操作数性能表现。这足以让X25-M二代勇夺头筹。

 

 

 


 

 

 

性能测试:IOMeter操作数测试(中)

 

 

 


 

 

 

 

 

 

OCZ Summit是一款很古怪的SSD,它的CPU占用率极低

 

 

 


 

 

 

性能测试:IOMeter操作数测试(下)

 

 

 


 

 

 

 

 

 

X25-M系列在此表现了极具竞争力的实力,看来非常适合用作web服务器之用。

 

 

 


 

 

 

性能测试:HD Tach测试

 

 

 


 

 

 

 

 

 

HD Tach算是老牌的磁盘性能测试工具,不多介绍,大家看评测数据吧。

X25-M读取性能无人能敌

写入速度是X25-M诟病

随着性能的提升,X25-M二代对于处理器的占用率有所增加

 

 

 


 

 

 

性能测试:功耗测试

 

 

 


 

 

 

 

 

 

功耗测试中你可以看到两代X25-M互有伯仲,但是不要忘记,X25-M二代使用的是160GB版本,而X25-M一代仅仅80GB版本。另外OCZ的Indilinx和三星控制器在高负载下,功耗表现非常优秀。

 

 

 


 

 

 

写在最后

 

 

 


 

 

 

 

 

 

  Intel是全球顶级的半导体芯片设计与生产厂商,致力于为广大消费者生产可以改变我们生活的IT产品。从50nm到34nm制造工艺技术的过度,让Intel的X25-M固态硬盘的成本大幅降低,而容量则纵情翻倍。此次Intel的主打基调就是降低SSD的售价,让更多的人都能用到SSD,爱上SSD。

  另一方面,Intel也在不遗余力的改进SSD的性能,使其更加安全可靠,让其成为真正方便好用的存储介质。针对SSD硬盘的文件碎片诟病,Intel想出了很多应对的办法,无论从底层的固件升级还是磁盘碎片整理软件。

  SSD是新生代存储产品,批量生产的门槛非常低。世界上由此也出现了许多后起之秀来挑战Intel的王座。无论是Indilinx还是三星他们也都具有同Intel一拼之力的本事。而Intel此次推出的34nm制程的SSD,与对手开打价格战,很多SSD厂商也由此被迫降价,保持产品的价格优势。那么SSD最终会否像内存一样衍生出一场由制造工艺到 零 售 价格的激烈商战呢?

 

 

 

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