SLC NAND FLASH的物理结构

网上有太多的文章介绍这部分知识，这里就简单的摘一部分SLC和MLC的介绍：

什么是SLC？ 

SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。 

　　SLC技术特点是在浮置闸极与源极之中的氧化薄膜更薄，在写入数据时通过对浮置闸极的电荷加电压，然后透过源极，即可将所储存的电荷消除，通过这样的方式，便可储存1个信息单元，这种技术能提供快速的程序编程与读取，不过此技术受限于Silicon efficiency的问题，必须要由较先进的流程强化技术(Process enhancements)，才能向上提升SLC制程技术。 

什么是MLC？ 

MLC英文全称（Multi Level Cell——MLC)即多层式储存。主要由东芝、Renesas、三星使用。 

　　英特尔（Intel）在1997年9月最先开发成功MLC，其作用是将两个单位的信息存入一个Floating Gate（闪存存储单元中存放电荷的部分），然后利用不同电位（Level）的电荷，通过内存储存的电压控制精准读写。MLC通过使用大量的电压等级，每一个单元储存两位数据，数据密度比较大。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此，MLC架构可以有比较好的储存密度。 


与SLC比较MLC的优势： 


签于目前市场主要以SLC和MLC储存为主，我们多了解下SLC和MLC储存。SLC架构是0和1两个值，而MLC架构可以一次储存4个以上的值，因此MLC架构的储存密度较高，并且可以利用老旧的生产程备来提高产品的容量，无须额外投资生产设备，拥有成本与良率的优势。 
与SLC相比较，MLC生产成本较低，容量大。如果经过改进，MLC的读写性能应该还可以进一步提升。 

与SLC比较MLC的缺点： 


MLC架构有许多缺点，首先是使用寿命较短，SLC架构可以存取10万次，而MLC架构只能承受约1万次的存取。 
其次就是存取速度慢，在目前技术条件下，MLC芯片理论速度只能达到2MB左右。SLC架构比MLC架构要快速三倍以上。 
再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用条件下比SLC要多15%左右的电流消耗。 
虽然与SLC相比，MLC缺点很多，但在单颗芯片容量方面，目前MLC还是占了绝对的优势。由于MLC架构和成本都具有绝对优势，能满足未来2GB、4GB、8GB甚至更大容量的市场需求。　 

另外要注意SLC的硬件结构是由data区和spare区组成。以页大小为2048的nand来讲。chips have 2048 Bytes data and and 64 Bytes spare area sizes. The spare area is used to store ECC (error correction code), bad block information and filesystem-dependent data. n pages build one block. The read / write access to data is on a per page basis. Erase is done on a per block basis. The commands to read / write / erase the chip is given by writing to the chip with the Command Latch Enable pin high. Address is given by writing with the Address Latch Enable pin high.

这部分要结合后面要描述的YAFFS2文件制作以及烧写工具的特殊处理

很多文章都没有讲述NAND中数据的存储结构，让初接触的人一头雾水。

在linux kernel中将会根据nand的物理结构将整个page分为多个subpage。并且将spare区成为FTL区，用于存放FTL数据。这也是yaffs2文件系统为什么称为flash special file system的原因。