基于MTD的NAND驱动开发(一)

来源 http://blog.chinaunix.net/u1/41134/showart_721586.html

○、说明

 

大约用了两个礼拜不到的时间为公司的IPcamera系统写了基于MTD的NAND驱动(linux-2.6.22.10内核)，目前已可以在该驱动的支持下跑cramfs和jffs2文件系统，另外，该驱动也可以同时支持small page(每页512 Byte)和big page(每页2048 Byte)两种NAND芯片。在此整理一下与NAND驱动相关的概念，结构体，驱动框架和流程，同时分析一下基于MTD的NAND驱动的部分函数，尤其是其中的nand_scan()函数。(涉及到具体NAND芯片时，若不做说明，将以small page的NAND芯片为例。)

 

注：个人理解，有误难免！

 

 

MTD 驱动程序是专门针对嵌入式 Linux 的一种驱动程序，相对于常规块设备驱动程序（比如 PC 中的 IDE 硬盘）而言， MTD 驱动程序能更好的支持和管理闪存设备，因为它本身就是专为闪存设备而设计的。

具体地讲，基于 MTD 的 FLASH 驱动，承上可以很好地支持 cramfs ， jffs2 和 yaffs 等文件系统，启下也能对 FLASH 的擦除，读写， FLASH 坏块以及损耗平衡进行很好的管理。所谓损耗平衡，是指对 NAND 的擦写不能总是集中在某一个或某几个 block 中，这是由 NAND 芯片有限的擦写次数的特性决定的。

总之，在现阶段，要为 FLASH 设备开发 Linux 下的驱动程序，那么基于 MTD 的开发将几乎是省时又省力的唯一选择！

 

一、 NAND 和 NOR 的区别

 

Google “Nand Flash和Nor Flash的区别”。

 

简单点说，主要的区别就是：

 

1、  NAND比NOR便宜；NAND的容量比NOR大（指相同成本）；NAND的擦写次数是NOR的十倍；NAND的擦除和写入速度比NOR快，读取速度比NOR稍慢；

 

2、  NAND和NOR的读都可以以字节为单位，但NAND的写以page为单位，而NOR可以随机写每一个字节。NAND和NOR的擦除都以block为单位，但一般NAND的block比NOR的block小。另外，不管是NAND还是NOR，在写入前，都必须先进行擦除操作，但是NOR在擦除前要先写0；

 

3、  NAND不能在片内运行程序，而NOR可以。但目前很多CPU都可以在上电时，以硬件的方式先将NAND的第一个block中的内容（一般是程序代码，且也许不足一个block，如2KB大小）自动copy到ram中，然后再运行，因此只要CPU支持，NAND也可以当成启动设备；

 

4、  NAND和NOR都可能发生比特位反转（但NAND反转的几率远大于NOR），因此这两者都必须进行ECC操作；NAND可能会有坏块（出厂时厂家会对坏块做标记），在使用过程中也还有可能会出现新的坏块，因此NAND驱动必须对坏块进行管理。

 

二、 内核树中基于 MTD 的 NAND 驱动代码的布局

 

在Linux内核中，MTD源代码放在linux-2.6.22.10/driver/mtd目录中，该目录中包含chips、devices、maps、nand、onenand和ubi六个子目录。

 

其中只有nand和onenand目录中的代码才与NAND驱动相关，不过nand目录中的代码比较通用，而onenand目录中的代码相对于nand中的代码而言则简化了很多，但顾名思义就可以知道，它仅仅适用于只使用一块NAND芯片的系统。因此，除非你能确定你的系统只使用一块NAND芯片，而且将来永远也不会扩展，否则就不要使用onenand中的代码。

 

因此，若只是开发基于MTD的NAND驱动程序，那么我们需要关注的代码就基本上全在linux-2.6.22.10/drivers/mtd/nand目录中了，而该目录中也不是所有的代码文件都与我们将要开发的NAND驱动有关，除了Makefile和Kconfig之外，其中真正与NAND驱动有关的代码文件只有6个，即：

 

1、  nand_base.c：

定义了NAND驱动中对NAND芯片最基本的操作函数和操作流程，如擦除、读写page、读写oob等。当然这些函数都只是进行一些default的操作，若你的系统在对NAND操作时有一些特殊的动作，则需要在你自己的驱动代码中进行定义，然后Replace这些default的函数。

 

2、  nand_bbt.c：

定义了NAND驱动中与坏块管理有关的函数和结构体。

 

3、  nand_ids.c：

定义了两个全局类型的结构体：struct nand_flash_dev nand_flash_ids[ ]和struct nand_manufacturers nand_manuf_ids[ ]。其中前者定义了一些NAND芯片的类型，后者定义了NAND芯片的几个厂商。NAND芯片的ID至少包含两项内容：厂商ID和厂商为自己的NAND芯片定义的芯片ID。当NAND驱动被加载的时候，它会去读取具体NAND芯片的ID，然后根据读取的内容到上述定义的nand_manuf_ids[ ]和nand_flash_ids[ ]两个结构体中去查找，以此判断该NAND芯片是那个厂商的产品，以及该NAND芯片的类型。若查找不到，则NAND驱动就会加载失败，因此在开发NAND驱动前必须事先将你的NAND芯片添加到这两个结构体中去（其实这两个结构体中已经定义了市场上绝大多数的NAND芯片，所以除非你的NAND芯片实在比较特殊，否则一般不需要额外添加）。值得一提的是，nand_flash_ids[ ]中有三项属性比较重要，即pagesize、chipsize和erasesize，驱动就是依据这三项属性来决定对NAND芯片进行擦除，读写等操作时的大小的。其中pagesize即NAND芯片的页大小，一般为256、512或2048；chipsize即NAND芯片的容量；erasesize即每次擦除操作的大小，通常就是NAND芯片的block大小。

 

4、  nand_ecc.c：

定义了NAND驱动中与softeware ECC有关的函数和结构体，若你的系统支持hardware ECC，且不需要software ECC，则该文件也不需理会。

 

5、  nandsim.c：

定义了Nokia开发的模拟NAND设备，默认是Toshiba NAND 8MiB 1,8V 8-bit（根据ManufactureID），开发普通NAND驱动时不用理会。

 

6、  diskonchip.c：

定义了片上磁盘(DOC)相关的一些函数，开发普通NAND驱动时不用理会。

 

除了上述六个文件之外，nand目录中其他文件基本都是特定系统的NAND驱动程序例子，但本人看来真正有参考价值的只有cafe_nand.c和s3c2410.c两个，而其中又尤以cafe_nand.c更为详细，另外，nand目录中也似乎只有cafe_nand.c中的驱动程序在读写NAND芯片时用到了DMA操作。

 

综上所述，若要研究基于MTD的NAND驱动，其实所需阅读的代码量也不是很大。

 

另外，在动手写NAND驱动之前，也许需要读一下以下文档：

1、  Linux MTD 源代码分析：

该文档可以让我们对MTD有一个直观而又相对具体的认识，但它似乎主要是针对NOR FLASH的，对于实际开发NAND驱动的帮助并不是很大。

2、  MTD NAND Driver Programming Interface：

http://www.aoc.nrao.edu/~tjuerges/ALMA/Kernel/mtdnand/

该文档中关于ECC的说明很有帮助。

3、  MTD的官方网站：

http://www.linux-mtd.infradead.org/

 

三、 NAND 相关原理

 

在我们开始NAND驱动编写之前，至少应该知道：数据在NAND中是怎样存储的，以及以怎样的方式从NAND中读写数据时。

 

1、  NAND的存储结构和操作方式

 

这方面的资料可以从任意一种NAND的datasheet中得到，因为基本上每一种NAND的datasheet都会介绍NAND的组成结构和操作命令，而且事实上，大多数的NAND datasheet都大同小异，所不同的大概只是该NAND芯片的容量大小和读写速度等基本特性。

 

这里以每页512字节的NAND FLASH为例简单说明一下：每一块NAND芯片由n个block组成－>每一个block由m个page组成－>每一个page由256字节大小的column1(也称1st half page)、256字节大小的column2(也称2nd half page)和16字节大小的oob(out-of-band，也称spare area)组成。至于m和n的大小可以查看特定NAND的datasheet。相应的，若给定NAND中的一个字节的地址，我们可以根据这个地址算出block地址(即第几个block)、page地址(即该block中的第几个page)和column地址(即1st half page，或2nd half page，或oob中的第几个字节)。

 

在擦除NAND时，必须每次至少擦除1个block；在写NAND时，必须每次写1个page(有些NAND也支持写不足一个page大小的数据)；在读NAND时，分为三种情况(对应三种不同的NAND命令)，即读column1、读column2和读oob，那么为什么要分这三种情况呢？假如知道NAND怎样根据给定的地址确定它的存储单元，那么自然也就能明白原因了，其实也并不复杂，主要是因为给定地址中的A8并不在NAND的视野范围之内(也许表达并不准确)。

 

事实上，在写基于MTD的NAND驱动时，我们并不需要实现精确到读写某一个byte地址的函数(除了读oob之外)，这是因为：

 

基于MTD的NAND驱动在读写NAND时，可以分两种情况，即：(1)不进行ECC检测时，一次读写一整个page中的MAIN部分(也就是那真实存储数据的512字节)；(2)进行ECC检测时(不管是hardware ECC还是software ECC)，一次读写一整个page(包括16字节的oob部分)。所以部分NAND所支持的写不足一个page大小数据的功能，对MTD来说是用不着的。

 

那么，如果只需要读写不足一个page大小的数据怎么办？这是MTD更上层的部分需要处理的事。也就是说，对于NAND驱动来说，它只会读写整整一个page的数据！

 

最后值得一提的是，NAND驱动有可能只去读oob部分，这是因为除了ECC信息之外，坏块信息也存储在oob之中，NAND驱动需要读取oob中描述坏块的那个字节(通常是每个block的第一个page的oob中的第六个字节)来判断该block是不是一个坏块。所以，我们只有在读oob时，才需要实现精确到读某一个byte地址的函数。

 

由此，我们也可以额外知道一件事，那就是NAND驱动中用到的column地址只在读oob时才有用，而在其他情况下，column地址都为0。

 

2、  ECC相关的结构体

struct nand_ecclayout {

           uint32_t eccbytes;

           uint32_t eccpos[64];

           uint32_t oobavail;

           struct nand_oobfree oobfree[MTD_MAX_OOBFREE_ENTRIES];

};

这是用来定义ECC在oob中布局的一个结构体。

 

前面已经提及过，oob中主要存储两种信息：坏块信息和ECC数据。对与small page的NAND芯片来说，其中坏块信息占据1个字节(一般固定在第六个字节)，ECC数据占据三个字节。所以sturct nand_ecclayout这个结构体，也就是用来告诉那些与ECC操作无关的函数，Nand芯片的oob部分中，哪些字节是用来存储ECC的(即不可用作它用的)，哪些字节是空闲的，即可用的。

 

其实之所以有这个结构体，主要是因为硬件ECC的缘故。以写数据为例，在使用硬件ECC的情况下，那三个字节的ECC数据是由硬件计算得到，并且写到NAND芯片的oob中去的，同时也是由硬件决定写到oob的哪三个字节中去。这些都是由硬件做的，而NAND驱动并不知道，所以就需要用这个结构体来告诉驱动了。

 

所以，在写NAND驱动时，就有可能需要对这个结构体进行赋值。这里说“有可能”，是因为MTD对这个结构体有一个默认的赋值，假如这个赋值所定义的ECC位置与你的硬件一致的话，那就不必在你的驱动中手动赋值了。其实对大多数硬件(这里所说的硬件，不是指NAND芯片，而是NAND控制器)来说，是不必手动赋值的，但也有许多例外。

 

值得一提的是，这个结构体不仅仅用来定义ECC布局，也可以用来将你的驱动在oob中需要额外用到的字节位置保护起来。

 

现在对struct nand_ecclayout 这个结构体进行一下说明。

 

uint32_t eccbytes：ECC的字节数，对于512B-per-page的NAND来说，eccbytes = 3，如果你需要额外用到oob中的数据，那么也可以大于3.

uint32_t eccpos[64]：ECC数据在oob中的位置，这里之所以是个64字节的数组，是因为对于2048-per-page的NAND来说，它的oob有64个字节。而对于512B-per-page的NAND来说，可以而且只可以定义它的前16个字节。

uint32_t oobavail：oob中可用的字节数，这个值不用赋值，MTD会根据其它三个变量自动计算得到。

struct nand_oobfree oobfree[MTD_MAX_OOBFREE_ENTRIES]：显示定义空闲的oob字节。

 

完了，似乎有点不想写下去了:(