三极管原理分析

1. 一定要有多子少子的概念，p类半导体多子是空穴，少子是电子，n类半导体多子是电子，少子是空穴。

2. 从光电二极管的光刺激产生载流子类比到三极管的发射极注入载流子，十分容易理解。
3. pn结内部会形成内电场，方向为n到p抑制多子的继续扩散，然而内电场却利于少子的漂移，少子漂移削弱了内电场，又有利于多子的扩散，最终达到动态平衡。
4. 二极管正向偏压时，外加电压削弱了pn结中的内电场，使得多子继续扩散，最终形成电流，二极管导通。
5. 二极管反向偏压时，外加电压增强了pn结中的内电场，使得多子更加难以扩散，然而却增强了少子的漂移，所以会形成微弱的少子电流，称为反向饱和电流
6. 反偏时少数载流子反向通过PN结是很容易的，甚至比正偏时多数载流子正向通过PN结还要容易。

7. 三极管be结正向偏置时，cb反向偏置时，e区的多子：自由电子会作为cb结p区的少子注入到cb区，而cb结的内电场使得be过来的自由电子极易通过，最终形成Ic。

8. 集电极电流和Uce没有关系，Uce的作用主要是维持bc结的反偏状态，满足三极管放大态的外部电路条件。 

9. 三极管在饱和状态下，集电极电位很低甚至会接近或稍低于基极电位，集电结处于零偏置，但仍然会有较大的集电结的反向电流Ic产生。

参考：

http://wenku.baidu.com/link?url=zOLw5B1aS2Rrfn4qlegvfdQHGoeZVUI8mGaJaSnLDre_U3PvDx_6YJHjJykB-IsFomNUE5hI-R2_uI3gUcB5q-6hGxmhmv8xKMyM8KjKhie