CMOS图像传感器商业化发展

王 高 周汉昌

摘 要：随着超大规模集成技术的发展，CMOS图像传感器显示出强劲的发展趋势。CMOS 图像传感器可在单芯片内集成时序和控制电路、A/D转换、信号处理等功能。本文简单介绍了CMOS图像传感器的背景，分析了CMOS 图像传感器和 CCD 图像传感器的优缺点，综述了目前CMOS图像传感器的研究进展。
关键词：CMOS图像传感器； 动态范围； 灵敏度
中图分类号：TP212.14    文献标识码：A 

一、前言
    自 60 年代末期美国贝尔实验室开发出固态成像器件和一维 CCD 模型器件以来， CCD 在图像传感、信号处理、数字存储等方面发展迅速。随着 CCD 器件的广泛应用，其缺点逐渐显露出来。为此，人们又开发了另外几种固态图像传感器，其中最有发展潜力的是采用标准 CMOS 制造工艺制造的 CMOS 图像传感器。
    实际上早在 70 年代初，国外就已经开发出 CMOS 图像传感器，但成像质量不如 CCD ，因而一直无法与之相抗衡。 90 年代初期，随着超大规模集成技术的飞速发展， CMOS 图像传感器可在单芯片内集成 A/D 转换、信号处理、自动增益控制、精密放大和存储等功能，大大减小了系统复杂性，降低了成本，因而显示出强劲的发展势头。此外， 它还具有低功耗、单电源、低工作电压 (3V ～ 5 V) 、成品率高，可对局部像元随机访问等突出优点。因此， CMOS 图像传感器重新成为研究、开发的热点，发展极其迅猛，目前已占据低、中分辨领域。现在， CMOS 图像传感器的一些参数性能指标已达到或超过 CCD 。

二、CCD 与 CMOS 的比较
        1、成像过程
       CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后产生电子的基本原理相同，但是读取过程不同：CCD 是在同步信号和时钟信号的配合下以帧或行的方式转移，整个电路非常复杂，读出速率慢；CMOS 则以类似 DRAM 的方式读出信号，电路简单，读出速率高。

2、集成度
    采用特殊技术的CCD读出电路比较复杂，很难将A/D转换、信号处理、自动增益控制、精密放大和存储功能集成到一块芯片上，一般需要 3～8 个芯片组合实现，同时还需要一个多通道非标准供电电压。借助于大规模集成制造工艺，CMOS 图像传感器能非常容易地把上述功能集成到单一芯片上，多数CMOS图像传感器同时具有模拟和数字输出信号。

3、电源、功耗和体积
       CCD 需多种电源供电，功耗较大，体积也比较大。CMOS 只需一个单电源(3V~5 V)供电，其功耗相当于 CCD 的 1/10，高度集成CMOS 芯片可以做的相当小。

4 、性能指标
    CCD 技术已经相当成熟，而 CMOS 正处于蓬勃发展时期，虽然目前高端 CMOS 图像质量暂时不如 CCD ，但有些指标（如传输速率等方面）已超过 CCD 。 由于 CMOS 具有诸多优点，国内外许多机构已经应用 CMOS 图像传感器开发出众多产品。本文主要介绍已商品化的 CMOS 图像传感器的发展现状以 及最新发展动态，希望对下游产品的开发有所帮助。

 

三、 CMOS 的商业化产品
    CMOS 图像传感器的迅速发展并商业化得益于成熟的 CMOS 工艺，目前国外诸多公司和科研机构已经开发出不同光学格式、多种类型的 CMOS 图像传感器，并将其应用于光谱学、 X 射线检测、天文学（观测研究）、空间探测、国防、医学、工业等不同的领域。
    1997 年成立的美国 Foveon 公司于 2003 年推出了产品代号分别为 F7X3-C9110 、 F19X3-A50 的全色 CMOS 图像传感器。 F7X3-C9110 的有效像素为 2268 × 1512 ，具有像素可变、超低功耗（ 50 mW ）、低噪声、抗模糊等特点。该传感器已被用在日本 Sigma SD10 单反数码相机上，该相机在低照 度条 件下积分时间可达 30s 。 F19X3-A50 除具有上述特点外，片上还具有高达 40MHz 的 12 位 A/D 转换器和集成数字处理器。 由于采用独特的 X3 技术，该 CMOS 图像传感器感光阵列可在一个像元位置同时获得红、绿、蓝三种颜色信号。配置了这款图像传感器的数码产品主要面向专业摄影师、业余摄影爱好者等消费群体。据报道，美国 Foveon 和国家半导体公司合作，采用 0.18 μ m CMOS 工艺首次开发成功了 1600 万像素（ 4096×4096 ） CMOS 图像传感器，这是迄今为止全球集成度最高的 CMOS 图像传感器，像元尺寸为 5 m m×5 m m ，芯片尺寸为 22mm×22mm 。
    美国 Silicon Video （ SVI ）公司主要面向高清晰度数字电视、高清晰度数字电影及广播等领域，该公司于 2003 年 6 月收购 Photon Vision Systems (PVS) 公司后，使用 PVS 独特的有源列传感专利技术（ ACS ）已制造出 LIS-1024 、 ELIS-1024 及 SLIS-2048 线阵 CMOS 图像传感器和具有低暗电流、高灵敏度和扫描速度的 3840× 2192 像素面阵单片 CMOS 成像系统。有源列传感专利技术（ ACS ）可降低放大器固定图案噪声，增加填充系数，提高灵敏度和动态范围及提高扫描速度。 SLIS-2048 线阵 CMOS 图像传感器灵敏度为 5 μ V/e ， 扫描频率为 60MHz ， 填充系数 >99% ， 动态范围为 63 dB 。 目前该公司正在开发用于便携设备的超低功耗 RPLIS-2048 线阵 CMOS 图像传感器。
    美国 Micro 公司推出像素分别为 252×288 、 640×480 、 382×288 和 1280×1024 的面阵光敏二极管图像传感器，其中像素为 1280×1024 的 MT9M413 的读出速率达 660MB/s ，可用于高级机器视觉系统及高速成像系统。如果以 1280×128 面阵的形式传输数据，则最高读出速率可达 4,000 fps 。
    瑞士 STMicroelectronics （ ST ）能提供 352 × 288 的 VV5411/VV6411 和 640 × 480 的彩色 VV6501 、 VV6502 、 VS6552 光敏二极管 CMOS 图像传感器，其图像质量、噪声和灵敏度接近或超过相应像素的 CCD ， 在反光晕、体积、功耗方面优于 CCD 。 传感器采用 I²C 总线并具有集成透镜、 10 位 A/D 转换器，还可外触发。该公司还提供相应的开发板及处理器，其低端产品面向玩具市场和安全监测，高端产品可用于数码相机、移动通信、机器视觉及生物医学等领域。
    美国 Biomorphic VLSI 报道了该公司生产的 640×480 像 素 Bi8603 和 Bi8631 、 1280×1024 像 素 Bi8831 、 1600 ×1400 像 素 Bi8891 彩色面阵 CMOS 图像传感器。由于拥有了高性能模拟混合信号处理技术、先进的数字信号处理结构、领先的边沿图像处理技术以及基于生物机体的信息处理结构等技术，由该公司传感器构成的成像系统在交通监测、航线跟踪、目标获取和拦截等领域都收到良好的应用效果。
    美国安捷伦科技（ Agilent Technologies ）宣布推出全新系列 352 × 288 像 素 ADCS-1021 和 640 × 480 像素 ADCS-2021 彩色 CMOS 图像传感器和 352 × 288 像 素 ADCS-1121 和 640 × 480 像 素 ADCS-2121 单色 CMOS 图像传感器。与以往的产品相比，这些小型传感器的体积减小了 25% ，表面封装的厚度降低了 50% ，可以为家用和工控数码相机提供结构更加紧凑、成本更低的解决方案。彩色图像传感器特别适用于数码相机、手机和 PDA 使用的可拆卸相机以及数码静止及双模相机。单色图像传感器则为生物检测（识别如指纹的个体特征）、监控和安全、机器视觉和条码扫描仪提供了理想之选。批量订购 每片 ADCS-1021 或 ADCS-1121 不超过 5 美元，单购 每片 ADCS-2021 或 ADCS-2121 不超过 7 美元。

以生产高性能 CCD 而著称的日本美国 Kodak 公司采用其自有的针孔二极管 像 素技术推出 640 × 480 像 素 的 KAC-031及 1280 × 1024 像 素 的 KAC-1310CMOS 图像传感器 ，并为专业摄影者以及有较高要求的业余摄影者提供有 4536×3024 像 素 CMOS 传感器的 DCS 相机。
    1997 年成立的美国 Peripheral Imaging (PIC) 公司生产的 1×256 、 1×512 和 1×1024 线阵光敏二极管 CMOS 图像传感器在紫外至近红外光谱范围都有很好的响应，可广泛应用在光谱学、单色仪和光谱摄制仪等方面。由线阵 CMOS 图像传感器构成的 Contract Image Sensor(CIS) 接触式传感器已广泛应用到条形码扫描、复印机、传真机及扫描仪等设备上。
    1997 年成立的比利时 Fill Factory 公司已开发出 1280 × 1024 像素 IBIS4-1300 、 2210 × 3002 像素 IBIS46600 、 1280 × 1024 像素 IBIS14000 、 1280 × 1024 像素 IBIS5-1300 、 1280 × 1024 像素 FUGA1000 、 1280 × 1024 像素 LUPA1300 、 2048 × 2048 像素 LUPA4000 、 512 × 512 像素 STAR250 、 1024 × 1024 像素 STAR1000 单色 CMOS 图像传感器。由于采用 n 阱像素结构（美国专利 6,225,670 ），极大地 提高了传感器的灵敏度，同时使用的一种称为双斜线行转移模式的技术可使传感器动态范围达到76dB，其中LUPA1300 传输速率达450f/s， 可用于高速成像领域。
    加拿大 DALSA 拥有独特的 CMOS 芯片设计和生产技术，其产品遍布世界各地，是世界上最完备的图像产品供应商之一。加拿大 DALSA 公司推出 1024 × 1024 像素 DS-1x-01M28 、 1024 × 1024 像素 DS-21-001M0150 、 1024 × 1024 像素 DS-2x-01M75 、 640 × 480 像素 IA-G1-VGA 面阵 CMOS 图像传感器。其采用 LINLOG 技术可使传感器动态范围高达 120dB ，通过调整分辨率桢频可达 100,000 f/s ， IA-G1-VGA 的数据传输速率可达 800MB/s ，可用于 生命科学研究、数码相机，而且特别适宜用在诸如焊接、切割监测、机器人技术及交通管理等光线强度变化大的场合。
    美国 Omnivision 公司开发的 CMOS 图像传感器系列产品有 1600 × 1200 像素的 OV2000 、 OV5000 、 OV6000 、 OV7000 ， 800 × 600 像素 OV8000 ， 1280 × 1024 像素 OV9000 等多种系列 黑白或彩色图像传感器。其产品既有模拟输出又有数字输出， OV7000 系列及 OV8000 部分产品 数字输出可达 16bit ， OV2610 像素达到 1600 × 1200 。
    体积小、重量轻、功耗低的 CMOS 图像传感器在 航空航天领域更是独树一帜，多年来致力于航空航天事业的美国 JPL 将 CMOS 图像传感器用于测量气体泄露的光谱仪上，效果显著。
    90 年起就开始研究 CMOS 图像传感器的 Canon 公司成功开发出 325 万像素（ 2226×1460 ） CMOS 图像传感器。这款图像传感器像素颗粒尺寸为 10.5μm×10.5μm ，芯片尺寸为 15.1mm×22.7mm 。 Canon 公司用该器件成功组装了 EOS-D30 型 CMOS 单反数码相机。
    美国 Motorola 已推出针孔光敏管式 1280 × 1024 像 素 MCM20027 和 668 × 488 像 素 MCM20114 等集成了时序电路、控制电路、 A/D 转换等功能的单片 CMOS 图像传感器，该传感器具有 I²C 接口，光敏单元前有增大灵敏度的透镜阵列。
    日本富士通 (Fujitsu) 公司推出 CMOS 图像传感器为 MB86S02 和 MB86S03 ，它内置了该公司专利 kTC 消噪电路，可降低反馈噪声，提高光线敏感度，从而使用户可在低强度光源下拍照。
    韩国现代也已推出 648 × 488 像素的 HV7131E1 、 362 × 298 像 素的 HYCA2 、 652x488 像 素的 HYCA3 、 414 × 314 像 素的 HB7121B 、 800 × 600 像 素的 HV7141D 等 多种格式 CMOS 图像传感器。
    国内众多科研院所及公司都开展了 CMOS 图像传感器的研制和应用系统开发工作，并取得了一定的成绩。 西安交通大学开元微电子科技有限公司已研制成功了 369 × 287 、 768 × 574 、 640 × 480 、 512 × 512 像素 CMOS 图像传感器，并且用该器件开发出了 M-N 型系列 CMOS 微型摄像机和可视电话。 北京中星科技有限公司在推出 30 万像素 CMOS 数码相机的基础上， 2001 年 3 月开发出具有自主知识产权及国际一流水准的百万级 CMOS 数码图像处理芯片“星光一号”。 2001 年 5 月该芯片实现产业化并投入国际市场，并为三星、飞利浦和富士通等国际知名品牌视频摄像头所采用。 2002 年 5 月 22 日中星科技有限公司的微型数码相机用单芯片 CMOS 图像处理芯片被列为北京市重大高新技术成果转化项目。 2002 年 9 月 5 日该公司又研制成功了我国第一枚具有世界领先水平的发声图像处理芯片“星光二号”，该芯片首次将音频和视频固化一体并同步工作。
    近年来，中国台湾的许多公司发展较快，并已在国际市场占有一席之地。成立于 1997 年的台湾 宜霖科技（ ElecVision Inc. ）采用其非同步随机访问 CMOS 成像技术（ Asynchronous Random-Access MOS Image Sensor ）推出 176×144 像素 EVS25K 、 352×288 像素 EVS100K 、 352×290 像素 EVS100K 511×492 像素 EVS250K 黑白和彩色图像传感器及 644×484 像素 EVS330K 黑白和彩色图像有源像素 CMOS 图像传感器。近期还将推出 1280×1024 像素 EVS1300KCMOS 图像传感器。 台湾联华电子公司以0.35μm工艺生产1664×1286像素、0.25μm生产1728×1296像素应用于高端数码相机的CMOS图像传感器。台湾泰视科技的CMOS图像传感器包括：CIF、VGA、百万像素产品，可用在多种领域，如：电脑相机、移动电话、PDA、玩具产品、监视器、影像电话等
    总的来说CMOS 图像传感器主要朝着高分辨率(4096×4096)、高动态范围（120dB）、高灵敏度、超微型化、低功耗、数字化、多功能化、高度集成化的方向发展。国内厂家产品的技术水平与国外发达国家相比差距较大，因此加大大规模集成电路工艺的研发力度，优化CMOS图像传感器的电路设计，缩短与发达国家的差距刻不容缓。

 

四、结论
    世界上只有为数不多的几家公司拥有成熟的CCD技术，而CMOS图像传感器采用标准的半导体制造工艺，因此几乎所有拥有这种制造工艺的厂商都可以生产CMOS图像传感器， 从而竞争将使价格下降。象美国Kodak，加拿大DALSA这样的公司，同时具有生产CCD和CMOS图像传感器的技术，才能在日益激烈的竞争中占有稳定的市场份额。总之，CCD 将以其高质量的图像仍在工业、科学研究及医学领域占领主要市场，而CMOS则以其高集成度、低功耗、体积小、成本低、对紫外到近红外光有很好的响应、高达100%的填充系数、非破坏性读出、高动态范围、自扫描、单片相机系统、随机访问、有的甚至对X射线也有较好的响应等优点完全占领PC终端、玩具、传真机、安检等应用领域并将在诸如航天这一对功耗、体积、质量、抗辐射尤为关注的领域占一席之地。

参考文献：
[1] http://www.foveon.com/[EB/OL]
[2] http://www.siliconvideo.biz/index.htm [EB/OL]
[3] http://www.micron.com/products/imaging[EB/OL]
[4] http://www.p-imaging.com/[EB/OL]
[5] http://www.us.st.com/[EB/OL]
[6]http://www.biomorphic.com/ /Biomorphic VLSI Inc.htm[EB/OL]
[7] http://www.agilent.com/view/imaging [EB/OL]
[8] http://www.kodak.com/ /KODAK KAC Series CMOS Image Sensors.htm[EB/OL]
[9] http://www.elecvision.com/ [EB/OL]
[10] http://vfm.dalsa.com/[EB/OL]
[11] http://www.ovt.com/ [EB/OL]
[12] http://www.motorola.com/ [EB/OL]
[13] http://www.tascorp.com.tw/[EB/OL]
[14] http://www.hynix.com/[EB/OL]
[15] http://www.nasa.jpl.com/[EB/OL]
[16] 王高等.CMOS图像传感器发展现状[J]. 测试技术学报，2000，14(1):60-65
[17] 王高等.CMOS图像传感器发展现状[J]. 光机电信息，2001，17(3):14-17
[18] 王高等.CMOS图像传感器发展现状[J]. 国际新型传感器技术应用与产业发展论坛， 2002:109-112
[19] 程开富等.CMOS图像传感器的最新进展及其应用[J].光机电信息,2003, 12(1):16-25

 

Review Of Current Developments And Trends Of CMOS Image Sensors

Abstract: With the development of VLSI, CMOS image sensor has developed increasingly. The CMOS APS technology allows the integration of timing and control electronics, imaging detector arrays, signal chains and analog-to-digital conversion on a single integrated circuit. The background is briefly described. The tradeoffs between CMOS and CCD are analyzed. The current developments and trends of CMOS image sensors are reviewed.

Keywords: CMOS image sensors; dynamic range; sensitivity

作者简介：
王高， 山西省太原市华北工学院仪器科学与动态测试技术教育部重点实验室讲师，研究方向为激光器、光纤、 CCD及CMOS图像传感器等，发表学术论文多篇。
通讯地址：山西省太原市华北工学院仪器科学与动态测试技术教育部重点实验室     邮编： 030051
电话： 0351-3942611 E-mail：[email protected]      

 

无论是CCD还是CMOS，它们都采用感光元件作为影像捕获的基本手段，CCD/CMOS感光元件的核心都是一个感光二极管（photodiode），该二极管在接受光线照射之后能够产生输出电流，而电流的强度则与光照的强度对应。但在周边组成上，CCD的感光元件与CMOS的感光元件并不相同，前者的感光元件除了感光二极管之外，包括一个用于控制相邻电荷的存储单元，感光二极管占据了绝大多数面积—换一种说法就是，CCD感光元件中的有效感光面积较大，在同等条件下可接收到较强的光信号，对应的输出电信号也更明晰。而CMOS感光元件的构成就比较复杂，除处于核心地位的感光二极管之外，它还包括放大器与模数转换电路，每个像点的构成为一个感光二极管和三颗晶体管，而感光二极管占据的面积只是整个元件的一小部分，造成CMOS传感器的开口率远低于CCD（开口率：有效感光区域与整个感光元件的面积比值）；这样在接受同等光照及元件大小相同的情况下，CMOS感光元件所能捕捉到的光信号就明显小于CCD元件，灵敏度较低；体现在输出结果上，就是CMOS传感器捕捉到的图像内容不如CCD传感器来得丰富，图像细节丢失情况严重且噪声明显，这也是早期CMOS传感器只能用于低端场合的一大原因。CMOS开口率低造成的另一个麻烦在于，它的像素点密度无法做到媲美CCD的地步，因为随着密度的提高，感光元件的比重面积将因此缩小，而CMOS开口率太低，有效感光区域小得可怜，图像细节丢失情况会愈为严重。因此在传感器尺寸相同的前提下，CCD的像素规模总是高于同时期的CMOS传感器，这也是CMOS长期以来都未能进入主流数码相机市场的重要原因之一。