DDR技术基础

核弹炸楼:

作为一个不打游戏的三好青年,本人对于显卡本身是不感兴趣的,反正穷,也买不起;但是作为一名有追求的工程师,看到GTX1080的技术参数中含有GDDR5x的时候,我本能的搜了一搜。


相信很多人对于内存以及显存的技术都是一知半解,关于SRAM,SDRAM和DDR,LPDDR以及GDDR等。今天我们就来简单讲讲这些东西。


要讲LPDDR以及GDDR,都得先讲DRAM,因为前两者其实是DRAM技术的衍生品,只不过LPDDR主要应用于笔记本电脑、手机、平板等低功耗领域,GDDR主要应用于显卡领域。


我自己也是查找了不少资料。其实在我查资料之前,我一直有一个很大的困惑:自1968年,IBM申请DRAM专利,1970年intel研发了第一款商用的DRAM chip,intel 1103,大小是1KB。说起来DRAM的技术已经发展了46年了,但是当前最先进的DDR协议竟然只是DDR4。这年头,推出不到十年的Iphone马上都要出7了,PCIe协议历经十年就演进到了第3代,历时将近50年的DRAM,接口协议版本居然只有4这么低,真是让人蛋疼。


简单回顾一下DRAM相关技术的发展历史:

早期的DRAM处于异步工作模式,其主频与CPU的主频并不一致。在DRAM的46年的发展历史中,一半时间(前23年)处于这种“远古”阶段。在此阶段,DRAM的容量从1Kb,做到4Kb,16Kb......到了89年,DRAM的容量达到4MB,92年16MB,接口技术其实并没有什么本质创新,频率被限制在50M以下。当然了,这频率也不算差,1989年的intel 486 DX处理器主频也只有33M而已。


现代化的DRAM技术从1993年才真正开始。这一年三星引入了SDRAM技术,也叫同步DRAM,这里的同步是指跟CPU的外频时钟同步,频率也飙升到133M。而DDR倍频技术从2000年才开始,应用于显卡的GDDR从2001年出现,应用于手机等移动设备的LPDDR 2010年才出现。


DDR接口的出现,带来了内存速度的大幅提高。下面这张图比较好的给出了DDR接口的演进历史,从DDR2->DDR3->DDR4等。解释下含义:DDR3-1333是说,DRAM接口单根pin的速度为1333Mbit/s,如果接口为128pin,那么DRAM接口速度可以达到21.3GB/s。


需要指出的是,现代化的DRAM技术,更像是一门接口技术,而不像是存储技术。得益于摩尔定律,随着工艺尺寸的不断缩进,DRAM的容量越做越大,这个并不难,但是如果没有DDR1,DDR2和DDR3,DDR4等不断的倍频高速接口出现,DRAM的速度基本没有办法提高。


其原因在于,DRAM作为一个大的存储体,尤其是靠电容作为存储的手段,其内部操作速度很难做到很高。电容的容量做得太小,内存读写的确可以变快,后果是漏电也会很快,需要不停的刷新防止数据丢失,内存的性能会受到影响。电容的容量做得太大,数据确实可以保存的很久,但是写入和读取的延时就会大大增加,DRAM的性能又会大大降低。


基于此,DRAM的内部存储操作速度难以大幅度改进。举个例子:即使DRAM接口pin做到了1066M,DRAM的存储单元其实并没有工作在1066M这么高的时钟下面,相反只有133M。快的只是接口而已。


就好像一个很粗的水管,里面的水流速其实并不快,但是只要我们把出口收窄,出口的水速就会大幅提高,远远高于水管内的水速。


在下图给出的示例中,SDRAM的接口速度是133M,DDR1接口的速度是266M,DDR2接口的速度是533M,DDR3的接口速度是1066M。每提高一代,接口性能都提高了一倍,但是注意看,这四代接口的核心频率都是133M!!也就是说,DRAM存储单元的读写速度没有丝毫提高!!

这是怎么做到的???


核心技术点就在于:(1)双沿传输。(2)预取。


SDRAM是单沿传输的。核心频率133M,没有预取,也就是说,每个时钟只取1bit数据,接口频率也是133M,接口速度还是133M(只有上升沿传数)。


DDR1是双沿传输的。核心频率依然是133M,但是有2bit预取,也就是说每个时钟可以取出2bit,接口频率是133M,但是接口速度是266M(注意接口时钟仍然是133M,但是其上升和下降沿都可以传数,所以接口速度翻倍)。


DDR2是双沿传输的。核心频率依然是133M,但是有4bit预取,也就是说每个时钟可以取出4bit,接口频率是266M,但是接口速度是533M(上升和下降沿都可以传数)。


DDR3是双沿传输的。核心频率依然是133M,但是有8bit预取,也就是说每个时钟可以取出8bit,接口频率是533M,但是接口速度是1066M(上升和下降沿都可以传数)。


这样,靠着增大预取,尽管内部存储单元工作在133M时钟下,DRAM的速度却可以越做越快。这就是DRAM接口的最大秘密。


下面这张图给出了DDR各代技术的对比,没有包含最新的DDR4,大家看个大概即可,关键是理解上面说的原理:

当然了,DRAM接口的速度提高,内部存储单元的数据带宽也必须同步提高;但是由于存储单元的操作频率又上不去,所以只能不停的增加DRAM内部的BUS宽度。如果预取为2,那么对于64pin的DRAM,其内部BUS位宽是128bit宽,内外BUS宽比为2:1;如果预取为4,那么内部BUS的位宽是256bit宽,内外BUS宽比为4。如下图:

粗暴的增加DRAM内部BUS的宽度,每个T取出更多的bit,然后使用超高速的IO接口把这些数敲出去,这就是DRAM各代技术的简化版。正因为如此,我们说DRAM更像是一门接口技术,反而不太像存储技术。DDR接口技术乃是十分经典的并行接口技术,DDR的BUS协议也被广泛借鉴,目前的NAND Flash也沿用了DDR接口技术。


关于LPDDR和GDDR,乃是DDR技术的衍生品,略过。

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