揭开LCD在MTK驱动中的神秘感 一 (硬体部分)

对于LCD的调试，我们必须要让它的时序深入我们内心，但是对于目前的一些驱动工程师来说（手机行业的），好像很多事情太多寄托在FAE上，而自己却只是换换初始化代码，了解接口原理，是驱动工程师所必备的理论基础。

我整理了一下关于MCU接口的LCD时序，整个时序设置是针对MTK的时序命名来介绍：

一、硬件原理图设计：

上图为标准的MCU接口电路， IM0~IM3为通信数据宽度选择位，选择DriverIC的通信位数，一般有8bit、9bit、16bit、18bit四种通信的宽度。

在该部分还有一个重要的部分就是它的电压，它一般会有两个电源分别作为IOVCC（IO电压）和DVCC（电源）。

下图就是该接口LCD的时序图：

在MTK的LCD时序里面，主要包括如下参数：

CE2WR_SETUP （ CS to WR setup time  写等待时间）： 是指片选信号拉低到 V1L 开始到 WRX 信号拉低到 V1L 结束（ // 等于 Tcs – T WRL ）；

CE2WR_HOLD（  CS to WR hold time 写片选保持时间 ）： WRX 拉高后，片选保持时间，等于 T CSH ；

WRITE_WAIT_STATE （  data write wait state period  写信号有效时间 ）：写信号 拉低的时间，图中的 T WRL ；

CE2RD_SETUP（CS to RD setup time 片选读保持时间）： 是指片选有效到读信号的建立时间，图中为 T RCS  – T RDL ；

READ_LATENCY（ data read wait state period ）： 是指读信号被拉低的时间，图中的 T RDL   / T RDLRM ；

图中的PERIOD数就是在  SET_LCD_ROI_CTRL_CMD_LATENCY(0)里面设置的周期数，它就是//在两个连续的写之间CS拉高的周期数

二、常见问题：

1、切屏

即TE（tearing effect）现象

上图就是TE现象，切屏的位置会有不同，有时候切屏的线会是斜的。

 说这个问题之前先说几个名词，一个是刷屏速度，即LCM的刷新速度，常说的帧率就是这个，它的值在初始化程序中给定，同常设置在60HZ左右，太低了就会有闪烁现象。CS频率，每个CS片选信号同时对应一个WR写有效信号这个信号是cpu向LCM写数据的频率。Fmark脚，在cpu上有一个Fmark脚是与LCM相连的，是同步信号，这个信号是在LCM读完数据之后，发送一个信号给CPU让其写数据。GRAM，是LCM上自带的一个空间，用于存储图像数据，之前说的CPU写数据就是写到GRAM里面，而LCM读数据也是从GRAM里面读数据。

出现TE现象的本质就是写数据的位置在前，而读数据的位置在后，但是写数据的速度要慢于读数据速度，当读的位置超过写的位置时就会出现TE。图5中主控开始写新数据，而LCM读旧数据。LCM的读数据的周期范围必须大于一个写周期并且要小于两个写周期。先分析这个范围，当两个周期相同时，LCM开始读旧数据，同时主控开始写新数据，只要读数据速度大一点就不会有相遇的时刻，即要大于一个写周期，再看另一个极限值，当数据读到末尾时，主控恰好写了一半的数据，这时主控写到末尾，LCM 又读到末尾，此时也不会相遇。要满足CS（时序）信号在一个TE到两个TE之间，一般不调CS信号，因为调CS信号即是调节时序，而对时序不是很了解的很容易弄成轻微的花屏，我们通过调节帧率在改变TE的周期。有时候会出现在屏幕上方出现切屏，怎么调节都没用，这种情况是因为 IC在从GRAM读完最后一行就输出te信号， 此时CPU开始写GRAM。但可能还要有一两条line的时间，IC才开始从GRAM的第一行读数据刷下二桢，而写GRAM的速度要慢于IC读GRAM的速度，此时可能还没有开始写。导致读GRAM超过写GRAM，所以会在上方产生切屏，要避免这种情况就的先读几行后发送TE信号才让CPU开始写，这个设置在IC的datasheet中找到Blanking porch control寄存器去配置。