SK海力士将带来全球首个4D NAND产品

  来源:内容来自半导体行业观察综合。

  据快科技报道,SK 海力士准备好了两款新的 SSD,一个是 Gold P31,另一个则是 Platinum P31,都采用 PCIe 形态,并支持 NVMe。

  二者的最大亮点就是会采用 SK 海力士最新的 128 层堆叠 4D TLC NAND 闪存,六个月前才刚刚投入量产,是目前世界上堆叠密度、容量密度最高的 NAND 闪存颗粒,单颗芯片容量 1Tb (128GB),集成超过 3600 亿个闪存单元。

  其实所谓 4D 闪存,也就是 SK 海力士为了宣传起的新名字,本质上还是 3D 闪存,只不过单芯片采用四层架构设计,结合了 3D CTF (电荷捕获闪存)设计、PUC (Peri. Under Cell)技术,后者是指制造闪存时先形成外围区域再堆叠晶胞,有助于缩小芯片面积。

  根据外电报导,SK 海力士早就在 2019 年 6 月份就宣布正式量产 128 层堆叠的 4D NAND Flash,成为全球首家量产 128 层 NAND Flash 的记忆体厂商,不过 SK 海力士的这个 4D NAND Flash 基本上其实也是 3D NAND Flash 架构,只是把过去 3D NAND Flash Cell 单元的 PUC(Peri Under Cell)电路,从之前的位置迁移到底部,所以称之为 4D NAND Flash。因此,本质上其实还是 3D NAND Flash,取名 4D NAND Flash 似乎只是为了比较好行销。

  而当前 SK 海力士所宣布,公司于上个月正式向客户交货的 128 层堆叠 4D NAND Flash 的工程样品,全部都是 TB 容量等级的高密度解决方案,包括手机所用的 1TB UFS 3.1 4D NAND Flash ,消费等级的 2TB SSD、以及企业级的 16TB E1.L 规格 SSD。SK 海力士宣称,其新推出的 128 层堆叠 4D NAND Flash 的单颗容量为 1TB 大小。所以,未来可以做到很大的容量,是业界储存密度最高的 TLC NAND Flash。

  报导表示,现在 1TB 储存空间的手机,通常需要使用两颗 512GB 的 UFS NAND Flash,在 SK 海力士的 1TB UFS 3.1 4D NAND Flash 正式出货后,手机使用 NAND Flash 的数量就会减少一半,节省更多的手机主机板空间。再加上 SK 海力士这颗 1TB 的 4D NAND Flash 封装厚度仅 1mm,是未来超薄 5G 手机的绝佳选择,预计搭配这款 4D NAND Flash 的手机有望在 2020 年下半年量产,而搭载 128 层堆叠 4D NAND Flash 的 2TB 消费级 SSD,以及 16TB 的 E1.L 规格的企业级 SSD 也预计会在 2020 年下半年量产。

你可能感兴趣的:(SK海力士将带来全球首个4D NAND产品)