展露发展系统半导体的野心!李在镕参访三星3纳米级开发现场

  芯科技消息(文/西卡),2020 年三星电子副会长李在镕已经开始其第 1 个行程,除检查去年底停电产线外,也参访了全球第 1 个 3 纳米级半导体开发现场。

  三星电子解决去年底(31 日)芯片厂停电风波后,持续开发新技术以确保业界地位。据韩媒报导,李在镕 2 日参访三星电子华城厂区中的半导体研究所,听取三星电子 3 纳米制程技术报告,并与半导体(DS)部门主管们讨论新一代半导体策略。

  三星电子 3 纳米制程将克服半导体微细化极限,通过 GAA(Gate-All-Around,多闸极晶体管),能使 3 纳米芯片的面积比 5 纳米芯片小 35%,耗电量减半外,处理速度还能提高 30% 以上。

  事实上,李在镕新年第 1 个活动不仅访问发生停电事故的地方,检查 DRAM、NAND 闪存开发现场,李在镕也再次向职员展现发展系统半导体的野心。

  去年 4 月,李在镕发表的《半导体展望 2030》计划中,定下 10 年内成为全球半导体综合冠军的目标,这段时间里,三星电子将在系统半导体领域中投入 133 万亿韩元,加强移动处理器、人工智能芯片、车用半导体等新一代系统半导体设计,并培养代工事业竞争力。

  李在镕表示,过去的业绩无法保证未来的成功,历史也不是靠等待而来,而是需要创造出来,也得果断屏弃坏习惯、旧思维,开拓新的未来。(校对/小山)

展露发展系统半导体的野心!李在镕参访三星3纳米级开发现场_第1张图片

你可能感兴趣的:(展露发展系统半导体的野心!李在镕参访三星3纳米级开发现场)