屏蔽性能指标的含义

美国理想工业中国有限公司北京代表处 任长宁

 

1.表面转移阻抗（Surface Transfer Impedance）

    按IEC61196-1测试同轴电缆的方法，测试带屏蔽的平衡电缆，短路8根芯线后用50Ω信号源激励。被测试线长1米，测试频率30MHz，频率越高，线长越短导体表面转移阻抗。主要用于评估连接硬件的屏蔽效率，其实测值不超过以下计算值。
    ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
    ZTcable：表面转移阻抗，单位mΩ/m
    f：信号频率，单位MHz

2.转移阻抗（Transfer Impedance）
    转移阻抗与屏蔽电缆和连接硬件的屏蔽效率相关，其数值可通过实验室高频密封箱测量屏蔽插入损耗，计算得出。

    Ri1＝Ri2＝50Ω——网络分析仪特性阻抗
    R1＝50Ω——馈电电阻
    R2＝50Ω——终端电阻
    U1＝信号发射电压（V）
    U2＝信号接收电压（V）
    Uc＝被测设备两端电压
    Zcond=连接器特性阻抗（Ω）
    Zt=转移阻抗（Ω）
    Zt＝1/l电缆长度•Ri1/Ri2•(R2+ Ri2)•U2/ U1＝100/l电缆长度•U2/ U1
    由于屏蔽插入损耗（αs）为20•lg (U2/ U1)dB，转移阻抗(Zt)也可以表示为：
    Zt＝100•10α/20（Ω）

3.耦合衰减（Coupling Attenuation）
    耦合衰减用于描述电缆系统的电磁兼容性能。耦合衰减Catt＝Pr/Pi（Pr：线缆接收功率；Pi：在内导体上产生的噪声功率）
    将电缆近似看作电磁场中的全向天线，其接收到的电磁功率Pr＝λ2/4π•PD（λ：信号波长，PD：电磁场功率密度）
    内部内部导体产生噪声功率Pi＝内部导体产生噪声功率Vi2/Z（Vi：内导体上的噪声电压；Z内导体阻抗，50Ω）

4屏蔽系数（GB54419-1985）
    按下图装置，测试电缆金属护套及铠装层的理想屏蔽系数γ0s＝VC/VS（线芯上的感应电压mV；电缆式样金属套上的纵向干扰电压mV）。

5屏蔽耦合损耗（Coupling Loss）（GY/T186-2002）
    GTEM小室馈入功率与被测件耦合功率的分贝差。与10.9.3耦合衰减（Coupling Attenuation）意义相同。

6屏蔽效能（Shielding Effectiveness）（GY/T186-2002）
    采用GTEM小室测量无屏蔽电缆与屏蔽电缆的屏蔽耦合损耗的分贝差。