TouchGFX工程中hex目标文件的烧写方法（三）使用IAR-1

前一篇文章讨论了在 KEIL中如何正确配置来烧写片外flash，既然说到了KEIL，就不得不说说IAR ---- 跟KEIL一样，TouchGFX自动生成的工程项目，在IAR中同样不能正确烧写片外flash！不过，经过适当的手动配置，IAR是可以烧写片外flash的，只是要费些周折。下面以Clock例程为例说明配置过程。

以STM32F769I-DISCO板子为例，创建一个TouchGFX工程，并使用系统自带的Clock例程：

图一

不需要编写任何代码，使用Clock例程就行，先运行VS、看看在仿真器上是否能正确跑起来这个Clock。然后，进入IAR，因为使用的是目前最新的IAR版本V8.32，所以要使用 IAR8.x 这个目录下的IAR工程：

图二

这个目录中还有 .board、.flash等文件，这些文件非常重要，烧写flash就靠他们了，后面将详述。双击 application.eww ，打开IAR，如果弹出询问是否升级的窗口：

图三

选择 Yes ，转换成新版的工程文件，然后就进入了IAR界面。 按下 F7 编译：

图四

IAR正确生成了out 和 hex 目标文件。尝试下载：

图五

弹出一个错误信息：

图六

大意是：系统在生成flash算法时出错了，左下方的 Debug Log 中有详细解释：

图七

图七中显示了一个警告：烧写flash警告，代码段位于地址 [0x90000000,0x9003CC5F] 范围的将不能被烧写。这个地址范围正是片外flash的地址，检查一下当前IAR关于烧写flash的配置情况，Alt+F7 打开工程选项，在  =>调试器=>下载  选项页下，有一个 .board 文件：

图八

IAR项目主目录下有一个 FlashSTM32F76xxI.board 文件，它描述了目标板子上flash的“配置”情况，在上图中直接点击 Edit 按钮就可以打开这个文件：

图九

可以看到，.board 文件中描述了F7片内2个地址段对应的烧写算法文件（.flash文件），但没有配置片外地址为0x9000 0000开始的flash对应的算法文件，所以造成烧写失败。

通过查找IAR的相关资料，并仿照另外一个IAR支持片外flash烧写的ST官方开发板的 .board 文件，针对 STM32F769I-DISCO 板子重新编写了几个烧写片外flash的算法文件、一共6个文件如下：

图十

【 网盘下载地址：https://pan.baidu.com/s/1Q_lG1L_7NpJAhYBX8MqJ6g，提取码：toyr 】

将这6个文件全部copy到IAR工程目录下：

图十一

在IAR中重新指定烧写flash的 .board 文件为 FlashSTM32F769I-DISCO.board ：

图十二

再次点击 Edit 查看：

图十三

地址0x9000 0000已经有对应的算法文件了（并且，去掉了本项目中没用到的TCM flash）。再次下载，目标板成功烧写：

图十四

板子实际跑的效果：

图十五

也许有网友好奇：那个 FlashSTM32F769I-DISCO.board 文件，以及其他5个文件是怎么做出来的？对这些文件制作过程以及分析思路感兴趣的朋友请看下一篇：TouchGFX工程中hex目标文件的烧写方法（三）使用IAR-2。