大家好，我是痞子衡，是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家分享的是恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7内核的FlexRAM ECC功能。
ECC是“Error Correcting Code”的简写，ECC能够实现错误检查和纠正，含有ECC功能的内存一般称为ECC内存，使用了ECC内存的系统在稳定性和可靠性上得到很大提升。相比前几代不带ECC的i.MXRT10xx型号，新一代i.MXRT1170在ECC上做了全面武装，从eFuse到FlexRAM，从OCRAM到外部存储空间全都加上了ECC功能。如下表所示，不同类型的存储由不同的ECC控制器来守护：
今天痞子衡就先给大家简单介绍一下i.MXRT1170上Cortex-M7内核下的FlexRAM ECC功能：
一、FlexRAM ECC功能简介
1.1 FlexRAM v2特点
i.MXRT1170上的FlexRAM模块是v2版本，相比i.MXRT10xx上的FlexRAM v1版本，主要就是增加了ECC功能。关于FlexRAM v1基本功能，建议你先阅读痞子衡之前写过的文章 《恩智浦i.MX RT1xxx系列MCU外设那些事（2）- 百变星君FlexRAM》，痞子衡今天主要聊v2新增的功能。
我们知道i.MXRT1170是Cortex-M7和Cortex-M4双核架构，我们看下它的CM7内核系统框图，FlexRAM本质上是为CM7内核设计的，因为其管理的TCM空间仅能由CM7访问的，不过如果将FlexRAM也分配出一部分给OCRAM，这部分OCRAM（即文章开头memory map表里从0x20360000开始的空间）其实CM4也能正常访问。
在框图中你还会发现，FlexRAM中物理SRAM总大小是640KB，不是我们知道的可自由配置的512KB，这是因为需要额外128KB RAM来存放ECC校验值，关于这个细节在下一节里展开聊。
1.2 关于ECC设计细节
关于ECC，大家最早接触的应该是ONFI Raw NAND上的应用，NAND Flash因为其物理特性的原因（允许坏块的存在），必须要包含ECC功能，痞子衡写过的一篇文章 《并行NAND接口标准(ONFI)及SLC Raw NAND简介》， 里面的 2.6 Raw NAND坏块与ECC 简单介绍了ECC在Raw NAND上的应用。
在Raw NAND上，通常是每写入512bytes数据计算出一个ECC校验值（4bytes），读取时也是读完全部512bytes数据后进行ECC校验，ECC校验能力一般用 (n+1) bit检错，n bit纠错 来表达，即这512bytes数据里如果发生n+1 bit及以下的错误时能够检查出来，如果发生n bit及以下的错误时，能够自动纠正。比如典型的Micron MT29F4G08就是5-bit检错，4-bit纠错。
但是FlexRAM本质上是RAM，跟Flash（尤其是NAND）读写机制不一样，RAM是随机地址按Byte读写，NAND是以Page为单位顺序读写，所以NAND上ECC实现机制不适用于RAM。那么FlexRAM到底采用的是什么样的ECC设计呢？
1.2.1 ECC检验能力
好了，不卖关子了，公布答案。FlexRAM中每4ytes（针对DTCM）或8bytes（针对ITCM/OCRAM）数据就会计算出一个ECC校验值（7/8bits），ECC校验值都被放在了ECC RAM里。因为校验数据块分割得很小，所以此时不需要提供多bit纠错能力，FlexRAM采用的是最经典的Single-bit Error Correction and Dual-bit Error Detection（SEC-DED，汉明校验码）。关于SEC-DED，你可以去Linux内核里看其在NAND上应用的源码实现 nand_ecc.c，写得非常经典。
| 存储类型 | ECC校验数据块大小 | ECC校验值长度 | ECC校验能力 |
|---|---|---|---|
| Raw NAND | 512 bytes | 4 bytes | 5-bit检错，4-bit纠错 |
| FlexRAM | 4/8 bytes | 7/8 bits | 2-bit检错，1-bit纠错 |
1.2.2 ECC RAM分配
128KB ECC RAM并不是只能用来存储ECC校验值的，其也可以当做普通OCRAM来使用，ECC RAM具体功能是根据当前FlexRAM分配以及ECC是否开启而定的。eFuse里默认的512KB FlexRAM配置是256KB ITCM, 256KB DTCM, 没有OCRAM。
在默认FlexRAM配置情况下，如果TCM ECC没有开启，那么128KB ECC RAM全部都是普通OCRAM，其地址空间如下表所示：
在默认FlexRAM配置情况下，如果TCM ECC已经开启，那么128KB ECC RAM全部都用来存储ECC校验值，这个区域仅能由FlexRAM模块内部访问，用户无法访问这128KB区域（不在memory map空间里），毕竟ECC校验值不能被随便改。
如果我们在eFuse或者IOMUXC_GPR寄存器里将FlexRAM配置改掉，分配出一部分给OCRAM（比如256KB TCM, 256KB OCRAM），那这128KB ECC RAM功能分配就稍微复杂一些了。最简单的情况是TCM和OCRAM ECC都没有开启，那么这128KB ECC RAM还是普通OCRAM，map地址是紧跟在FlexRAM OCRAM后面的，如下表所示：
如果TCM和OCRAM ECC都开启了，那么这128KB ECC RAM就还是全部用来存储ECC校验值了，用户无法访问。
如果OCRAM ECC没有开启，不管TCM ECC是否开启，这128KB ECC RAM中本用于存储OCRAM ECC的区域都将被划分为普通OCRAM，另一部分用于存储TCM ECC的区域（无论是否真的要存储ECC校验值）用户则无法访问。区域划分比例与OCRAM在总FlexRAM大小中占比保持一致，比如512KB FlexRAM（一共16个bank，每个bank 32KB）划分出了256KB OCRAM，那么128KB ECC RAM（也是16个bank，每个bank 8KB）则划出了64KB作为普通OCRAM，如下表所示：
1.2.3 ECC错误触发处理
ECC错误分两种，分别是1-bit错误和2-bit错误。从软件层面来看，1-bit错误可以不用管，FlexRAM模块会自动纠错。我们主要处理2-bit错误，由于2-bit错误仅能检错，无法纠错，所以发生了这个错误，就意味着读取的数据不可靠了，需要丢弃并重新写一次（丢弃之前可以再retry read一次看是否还是报错）。
关于ECC错误处理，可根据如下FlexRAM寄存器来操作，首先当然是在INT_SIG_EN寄存器中使能multi-bit ECC Error，当有2-bit错误发生时，系统会触发FLEXRAM_IRQn（中断号是50），在中断处理程序里找到相应的ECC_MULTI_ERROR_ADDR，对这个地址重新写一次初始化数据（按ECC校验块长度一次性写入），最后清除INT_STATUS寄存器里的相应状态位。
需要注意的是，上述处理流程仅对FlexRAM中存放的是普通业务数据且发生ECC错误时有效，如果ECC错误发生在关键代码段或变量段中，这个处理是不适用的，因为这种ECC错误可能会造成程序崩溃。
| Offset | Register |
|---|---|
| 10h | Interrupt Status Register (INT_STATUS) |
| 14h | Interrupt Status Enable Register (INT_STAT_EN) |
| 18h | Interrupt Enable Register (INT_SIG_EN) |
| 30h | OCRAM multi-bit ECC Error Address Register (OCRAM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR) |
| 50h | ITCM multi-bit ECC Error Address Register (ITCM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR) |
| 6Ch | D0TCM multi-bit ECC Error Address Register (D0TCM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR) |
| 84h | D1TCM multi-bit ECC Error Address Register (D1TCM_ECC_MULTI_ERROR_ADDR) |
二、开启FlexRAM ECC的步骤
FlexRAM ECC需要按照标准步骤去开启，需要特别注意的是开启ECC操作的代码不能放在待开启ECC的FlexRAM空间里（比如TCM ECC要开启，那么开启ECC操作的代码不能使用任何TCM空间），因此不管是XIP还是Non-XIP应用程序，最好是用一个二级loader（这个loader可以链接在固定OCRAM1/2空间里，或者XIP）来完成ECC开启操作然后再加载应用程序执行。痞子衡给了如下示例loader代码工程，代码里主要有四个步骤：
参考代码：https://github.com/JayHeng/cortex-m-apps/blob/master/apps/coremark_imxrt1176/loader/loader.c
2.1 使能TCM的RMW（可选）
如果需要开启TCM ECC，那么首先需要在CM7内核寄存器里开启TCM RMW（Read-Modify-Write）功能，这是ARM的规定，可在 Cortex-M7 Technical RM 手册里找到相关信息如下。手册里明确写了RMW位同时也控制了外部逻辑（即MCU厂商的设计）来支持ECC功能。
操作函数代码如下：
void enable_cm7_tcm_rmw(void)
{
SCB->ITCMCR |= SCB_ITCMCR_RMW_Msk;
SCB->DTCMCR |= SCB_DTCMCR_RMW_Msk;
}
2.2 使能FlexRAM的ECC
现在需要开启FlexRAM ECC，在i.MXRT1170参考手册里的FlexRAM章节可以找到FLEXRAM_CTRL寄存器定义，其中bit5和bit4就是用来分别控制TCM和OCRAM的ECC开关。
操作函数代码如下：
void enable_flexram_tcm_ecc(void)
{
*(uint32_t *)(FLEXRAM_BASE + 0x108) |= (1u << 5);
}
void enable_flexram_ocram_ecc(void)
{
*(uint32_t *)(FLEXRAM_BASE + 0x108) |= (1u << 4);
}
2.3 初始化FlexRAM的ECC值
FlexRAM ECC开启了之后，此时还不能随机访问FlexRAM，因为初始ECC校验值还没有填充，如果这时候去读FlexRAM会产生错误。我们首先需要将会用到的FlexRAM空间全部初始化一遍（就是以ECC校验数据块大小对齐方式从头到尾写入一遍，写入内容不限，正常用全0）。
操作函数代码如下：
#define ITCM_START 0x00000000
#define ITCM_SIZE (256*1024U) //只是示例长度，根据实际情况修改
#define DTCM_START 0x20000000
#define DTCM_SIZE (256*1024U) //只是示例长度，根据实际情况修改
#define OCRAM_START 0x20360000
#define OCRAM_SIZE (256*1024U) //只是示例长度，根据实际情况修改
void init_flexram_itcm_ecc(void)
{
for (uint32_t i = 0; i < ITCM_SIZE; i += sizeof(uint64_t))
{
*(uint64_t *)(ITCM_START + i) = 0;
}
}
void init_flexram_dtcm_ecc(void)
{
for (uint32_t i = 0; i < DTCM_SIZE; i += sizeof(uint32_t))
{
*(uint32_t *)(DTCM_START + i) = 0;
}
}
void init_flexram_ocram_ecc(void)
{
for (uint32_t i = 0; i < OCRAM_SIZE; i += sizeof(uint64_t))
{
*(uint64_t *)(OCRAM_START + i) = 0;
}
}
2.4 加载应用程序执行
当FlexRAM初始ECC校验值已经被填充之后，此时便可以正常随机读写FlexRAM了。如果此时加载的是一个在ITCM里执行并且data段在DTCM里的应用程序，可以参考痞子衡前面给出的示例loader工程。
这是loader工程完整主函数代码，其中memcpy那一句代码里的app_code是应用程序binary数组（用Python脚本将应用程序工程生成的.bin文件转换成C语言数组放到loader工程源文件里）。
#define APP_START 0U
int main(void)
{
enable_cm7_tcm_ecc();
enable_flexram_tcm_ecc();
init_flexram_itcm_ecc();
init_flexram_dtcm_ecc();
// Copy image to RAM.
memcpy((void *)APP_START, app_code, APP_LEN);
uint32_t appStack = *(uint32_t *)(APP_START);
uint32_t appEntry = *(uint32_t *)(APP_START + 4);
// Turn off interrupts.
__disable_irq();
// Set the VTOR to default.
SCB->VTOR = APP_START;
// Memory barriers for good measure.
__ISB();
__DSB();
// Set main stack pointer and process stack pointer.
__set_MSP(appStack);
__set_PSP(appStack);
// Jump to app entry point, does not return.
void (*entry)(void) = (void (*)(void))appEntry;
entry();
}
三、ECC对内存访问性能的影响
FlexRAM开了ECC后，访问性能会有一定降低，毕竟数据访问中插入了额外的ECC校验工作，不过这个影响非常小，因为一次ECC校验仅增加1-2个机器cycle。下面是FlexRAM分配出的不同存储类型的基本情况，其中OCRAM可以被L1 Cache加速，所以从应用程序角度开ECC对其访问性能影响就更小了，我们主要讨论ECC对TCM性能的影响。
| FlexRAM分配类型 | ECC校验数据块大小 | 总线类型 | 访问速度 | L1 Cache加速 |
|---|---|---|---|---|
| ITCM | 8 bytes | ITCM_ITF 64-bits | 与CM7同频 | 否 |
| DTCM | 4 bytes | DTCM_ITF 2x32-bit | 与CM7同频 | 否 |
| OCRAM | 8 bytes | AXI64 | 与CM7频率的1/4 | 是 |
为了简化测试，痞子衡就用经典的benchmark程序（Coremark和Dhrystone）来测试ECC对TCM的影响，测试工程如下：
Coremark工程：https://github.com/JayHeng/cortex-m-apps/tree/master/apps/coremark_imxrt1176/loader
Dhrystone工程：https://github.com/JayHeng/cortex-m-apps/tree/master/apps/dhrystone_imxrt1176/loader
需要特别提醒的是，我们知道i.MXRT1170 CM7内核最高可以配置到1GHz，但是开了TCM ECC后，为了保证访问可靠性，此时CM7内核最好是工作在800MHz，下面的benchmark结果也是在800MHz主频下得到的：
| Benchmark类型 | TCM ECC开关 | Benchmark结果 |
|---|---|---|
| coremark | 关闭 | Total ticks : 2023600 Total time (secs): 20.236000 Iterations/Sec : 3953.350465 Iterations : 80000 CoreMark 1.0 : 3953.350465 |
| coremark | 开启 | Total ticks : 2023657 Total time (secs): 20.236570 Iterations/Sec : 3953.239111 Iterations : 80000 CoreMark 1.0 : 3953.239111 |
| dhrystone | 关闭 | Dhrystones per Second: 3622138.51 DMIPS: 2061.5472 DMIPS/MHz: 2.0698 |
| dhrystone | 开启 | Dhrystones per Second: 3621977.04 DMIPS: 2061.4553 DMIPS/MHz: 2.0697 |
从benchmark结果来看，ECC是否开启对性能影响特别小，可以忽略，当然benchmark测试并不是特别精确地反映了性能影响，底下有空痞子衡会再专门用memcpy函数来测试性能影响。
至此，恩智浦i.MXRT1170上Cortex-M7内核的FlexRAM ECC功能痞子衡便介绍完毕了，掌声在哪里~~~
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