各类半导体（RAM/ROM/Flash）存储器区别简述

一、RAM
RAM（Random-Access Memory，随机访问内存）包括SRAM和DRAM两大类。 SRAM在存储结构上以寄存器为基本单元，访问速度快，是各类半导体存储器中读写速度最快的；同DRAM相比无需刷新，但存储密度较低，价格也十分昂贵，通常用作CPU的一级和二级缓存(L1/L2)。另外SRAM具有易失性，掉电后信息丢失。
DRAM的基本存储结构为场效应管和电容，由于电容的放电效应，DRAM中存储信息的电平会不断降低，所以需要对电路进行不断刷新，刷新频率通常为100M-200MHz。DRAM细分的话包括SDRAM（同步动态随机访问存储，比DRAM相比多了CPU时钟同步）,我们平常所说的DDR就是SDRAM的一种，利用了时钟周期的上下沿实现了双倍速率传输。DRAM通常用作计算机内存。
二、ROM
ROM（Read-Only Memory）为只读存储，具有非易失性，掉电后数据不会丢失，包括EPROM，EEPROM等，数据可多次擦写。通常用于存储底层固件信息。
三、Flash 
Flash即闪存，包括NOR Flash、NAND Flash等，Flash具备了ROM非易失的特点和RAM数据可读写的特点。应用场景包括嵌入式系统，PC的外置存储，企业级存储中的全闪存阵列等等。