datesheet中常见参数解析

 

Line Regulatuion（线性调整率）：是指输出电压随着输入电压的线性变化的波动，条件是全满载。（输入电压在额定范围内变化时，输出电压的变化率）

Load Regulation （负载调整率）：是指输出电压随负载变化而变化，条件是输入为额定电压。电源负载的变化会引起电源输出的变化，负载增加，输出降低。相反负载减少，输出升高。

Quiescent Current（静态电流）：是指没有信号输入时的电流，也是器件本身不受外部影响时，自身所消耗的电流。

电源芯片的静态电流：电源芯片的的静态电流，即在无对外输出做功时，芯片本身的消耗的电流。

运放的静态电流：即在没有信号输入时，器件本身消耗的电流。

Thermal Resistance (热阻)：当有热量在物体上传输时，在物体两端温

Thermal Resistance (热阻)：当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位通常为℃/W。

这样理解热阻的定义：热阻及表示芯片对热的阻碍能力：

热阻大：芯片受到外界温度变化的影响小，但自身的热量也散发不出来；

热阻小：芯片温度易受外界影响，但芯片自身散热较快。

一般需要恒温使用的芯片，为节省恒温的功率，通常采用热阻大的。

但功率器件、发热较多的器件，通常选用热阻小的，加快散热，强制散热。

θ JA：反映的是芯片到周围环境的热阻，其取决于芯片封装、电路板、空气流通等。在芯片datesheet中通常指在最差环境条件下，及以表贴式安装于PCB板上，此时的热阻。

θ JC（top） :反映的是芯片从die到顶部散热路径的散热能力，而die到芯片顶部主要通过封装，其材料很多为环氧树脂，其导热率很低，即热阻很高。

θ JC（bottom）:反映的是芯片从die到底部散热路径的散热能力，die一般直接固定在基板上，有的芯片下面有个裸露的热沉，这些都是直接连接在基板上的，所以向下面的散热路径一般都是铜等金属，其导热率非常高。

Power Dissipation(功率耗散)：输入总功率与输出总功率的差值，在这里可以理解为芯片的发热功率

Input Offset Voltage（输入失调电压）：有时候在运放输入为0时，由于内部或外界原因，会产生输出，此时加载输入端上，用以平衡此时的输出到0的电压，为输入失调电压。        可定义为两输入端在输入为0时的电压差

Input Bias Current（输入偏置电流）：可定义为两个输入端在输入为0 时候的电流的平均值。与上述的失调电压相对应。

Output Current Source（输出拉电流）：一般在高电平输出时，一般是输出端对负载提供电流，其提供电流的数值叫“拉电流”；

Output Sink Current （输出灌电流）：一般在低电平输出，通常是输出端要吸收负载电流，其吸收电流的数值叫做“灌电流”

lead temperature（引脚焊锡温度）：即IC的耐焊性，一般IC可在300°下耐焊性是10s以下。

关于输入失调电压、输入失调电流的进一步解析：

运放的输入级一般采用差分输入。采用的管子要么是三极管bipolar（双极性晶体管），要么是场效应管FET。

对于三极管，要使其工作在线性区，就要给基级提供偏置电压，或者说有比较大的基级电流。由于工艺上很难做到两个管子完全匹配。

所以这两个管子的基级电流总是有一些差别，这也就是输入的失调电流。

bipolar输入的运放在进行电路设计时，需要考虑到输入失调电流的问题。

而对于FET输入的运放，其由于是电压控制电流的器件，因此其栅级电流是很小的的，一般fA级，但其每个输入引脚上都有一对ESD保护二极管，这两个二极管存在漏电流，这个漏电流会比一般的FET的栅级电流大的多，这也成为了FET输入运放的偏置电流的来源。

当然，两对ESD保护二极管也不可能完全的一致，因此就有不同的漏电流，漏电流之差就构成了输入失调电流的主要成分。