3.3V和5V电平双向转换——NMOS管
电路十分简单，仅由3个电阻加一个MOS管构成，电路图如下：
上图中，SDA1/SCL1，SDA2/SCL2为I2C的两个信号端，VDD1和VDD2为这两个信号的高电平电压。电路应用限制条件为：
1，VDD1 ≤ VDD2；
2，SDA1/SCL1的低电平门限大于0.7V左右（视NMOS内的二极管压降而定）；
3，Vgs ≤ VDD1；
4，Vds ≤ VDD2 。
对于3.3V和5V/12V等电路的相互转换，NMOS管选择AP2306或者SI2306即可。
电路分析如下：
1、没有器件下拉总线线路。
3.3V部分的总线线路通过上拉电阻Rp上拉至3.3V。 NMOS管的栅极和源极都是3.3V， 所以它的Vgs 低于阀值电压，NMOS管不导通。这就允许5V部分的总线线路通过它的上拉电阻Rp上拉到5V。此时两部分的总线线路都是高电平，只是电压电平不同。
2 、一个3.3V 器件下拉总线线路到低电平。
NMOS管的源极也变成低电平，而栅极是3.3V，Vgs上升高于阀值，NMOS 管开始导通。然后5V部分的总线线路通过导通的NMOS管被3.3V 器件下拉到低电平。此时，两部分的总线线路都是低电平，而且电压电平相同。
3、一个5V 的器件下拉总线线路到低电平。
NMOS管的漏极基底二极管导通，源极电压为基底二极管导通0.7V，3.3V部分被下拉直到Vgs 超过阀值，NMOS管开始导通。3.3V部分的总线线路通过导通的NMOS管被5V 的器件进一步下拉到低电平。此时，两部分的总线线路都是低电平，而且电压电平相同。
优点：
1、适用于低频信号电平转换，价格低廉。2、导通后，压降比三极管小。
3、正反向双向导通，相当于机械开关。
4、电压型驱动，当然也需要一定的驱动电流，而且有的应用也许比三极管大。
3.3向5V转换测试：
对这个电路测试了下，MOS管采用的是2N7002小信号NMOS，输入电容很小的，大概几十pF。下面是电路及实物
115KHz波形，这个是频率是常用串口较高的波特率
分析：5V电路上升沿缓是因为依靠上拉电阻上升至5V，时间常数决定，上拉电阻越小上升时间越小；5V电路下降沿陡是因为NMOS导通，直接由3.3V电路驱动低电平。
400KHz，高速IIC通信的时钟频率
1MHz，波形上升太慢了
4MHz，已经不能输出5V的电平了
