Intel 5年内量产纳米线/纳米带晶体管！搭档3nm？

　　Intel 这几年虽然在制造工艺上步伐慢了很多，但是说起半导体前沿技术研究和储备，Intel 的实力仍是行业数一数二的。

　　在近日的国际超大规模集成电路会议上，Intel 首席技术官、Intel 实验室总监 Mike Mayberry 就畅谈了未来的晶体管结构研究，包括 GAA 环绕栅极、2D MBCFET 多桥-通道场效应管纳米片结构，乃至最终摆脱 CMOS。

　　FinFET 立体晶体管是 Intel 22nm、台积电 16nm、三星 14nm 工艺节点上引入的，仍在持续推进，而接下来最有希望的变革就是 GAA 环绕栅极结构，重新设计晶体管底层结构，而且可以做得很小(nanowire 纳米线)，也可以做得很宽(nanosheet 纳米片)。

　　这方面比较高调的当属三星，早就宣布将在 3nm 工艺节点上应用 GAA 结构。台积电、Intel 则没有公布或确定具体计划。

　　在会议问答阶段，有记者问起 Mike Mayberry，纳米线、纳米带(nanoribbon)结构的晶体管何时能够投入大规模量产，他表示虽然没有明确的路线图，但粗略估计未来 5 年内有戏。

　　根据早先公布的模糊路线图，Intel 未来将每两年进行一次工艺节点重大升级，而每一代工艺都会有+、++两次优化增强，2021 年是 7nm，首发用于高性能计算 GPU Ponte Vecchio，2023 年预计进入 5nm 并同时有 7nm++，2025 年转入 3nm 并同时有 5nm++。

　　按照 Mike Mayberry 给出的时间表，如果乐观激进的话，Intel 有望在 3nm 工艺上应用全新的纳米结构晶体管，或者慢一点的话到时候还是 5nm。

　　他还展望了更遥远的未来，2030 年前有望进入神经拟态(neuromorphic)的计算时代，而至于量子计算，可能要 2030-2035 年才能真正投入商用。