STM32之FSMC-SRAM例程

SRAM使用的是55ns的IS62WV51216,需要先分析IS62WV51216对读写的时序要求。

读时序

STM32之FSMC-SRAM例程_第1张图片STM32之FSMC-SRAM例程_第2张图片

 分析时序图,可以提取如下信息(不分析高低字节位和使能位,因为FSMC访问模式是一直保持的):整个读周期大于55ns、地址建立时间55ns且读使能25ns才能确保输出数据

 

写时序

STM32之FSMC-SRAM例程_第3张图片STM32之FSMC-SRAM例程_第4张图片

分析时序图,可以提取如下信息(不分析高低字节位和使能位,因为FSMC访问模式是一直保持的):整个写周期大于55ns、写使能时间大于45ns(tHZWE+tSD)才能保证数据写入

 

FSMC时序配置

根据手册模式1和模式A一般用于SRAM操作。注意:根据手册,模式1具有相同的读写时序,而模式A则是独立的读写时序。

下面分别结合两种模式进行时序分析:

模式1

STM32之FSMC-SRAM例程_第5张图片STM32之FSMC-SRAM例程_第6张图片

根据提取出来的要求:整个读周期大于55ns、地址建立时间55ns且读使能25ns才能确保输出数据、整个写周期大于55ns、写使能时间大于45ns(tHZWE+tSD)才能保证数据写入。

得出:

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) + 2) >= 55ns

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns(不应包括2周期存储时间)

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 25ns(不应包括2周期存储时间)

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns

tHCLK * DATAST >= 45ns

STM32F103的HCLK配置为72MHz,则tHCLK=13.8ns。因此,DATAST >= 4且ADDSET >= 0。

 

模式A

STM32之FSMC-SRAM例程_第7张图片

根据提取出来的要求:整个读周期大于55ns、地址建立时间55ns且读使能25ns才能确保输出数据

得出:

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) + 2) >= 55ns

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns(不应包括2周期存储时间)

tHCLK * (DATAST + 1) >= 25ns(不应包括2周期存储时间)

STM32F103的HCLK配置为72MHz,则tHCLK=13.8ns。因此,DATAST = 1且ADDSET >= 1,DATAST >= 2且ADDSET >= 0。

 

STM32之FSMC-SRAM例程_第8张图片

根据提取出来的要求:整个写周期大于55ns、写使能时间大于45ns(tHZWE+tSD)才能保证数据写入

tHCLK * ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1) ) >= 55ns

tHCLK * DATAST >= 45ns

STM32F103的HCLK配置为72MHz,则tHCLK=13.8ns。因此,DATAST >= 4且ADDSET >= 0。

 

源码例程

以模式A为例

#include "stm32f10x.h"

/* RCC时钟配置 */
void RCC_config()
{ 
	ErrorStatus HSEStartUpStatus;

	/* RCC寄存器设置为默认配置 */
	RCC_DeInit();
	/* 打开外部高速时钟 */
	RCC_HSEConfig(RCC_HSE_ON);
	/* 等待外部高速时钟稳定 */
	HSEStartUpStatus = RCC_WaitForHSEStartUp();
	if(HSEStartUpStatus == SUCCESS) 
	{ 
		/* 设置HCLK = SYSCLK */
		RCC_HCLKConfig(RCC_SYSCLK_Div1);
		/* 设置PCLK2 = HCLK */
		RCC_PCLK2Config(RCC_HCLK_Div1);
		/* 设置PCLK1 = HCLK / 2 */
		RCC_PCLK1Config(RCC_HCLK_Div2);
		/* 设置FLASH代码延时 */
		FLASH_SetLatency(FLASH_Latency_2);
		/* 使能预取址缓存 */
		FLASH_PrefetchBufferCmd(FLASH_PrefetchBuffer_Enable);
		/* 设置PLL时钟源为HSE倍频9 72MHz */
		RCC_PLLConfig(RCC_PLLSource_HSE_Div1, RCC_PLLMul_9);
		/* 使能PLL */
		RCC_PLLCmd(ENABLE);
		/* 等待PLL稳定 */
		while(RCC_GetFlagStatus(RCC_FLAG_PLLRDY) == RESET);
		/* 设置PLL为系统时钟源 */
		RCC_SYSCLKConfig(RCC_SYSCLKSource_PLLCLK);
		/* 等待系统时钟源切换到PLL */
		while(RCC_GetSYSCLKSource() != 0x08);
	}
}

/* GPIO配置 */
void GPIO_config(void)
{
	GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
	
	RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD | RCC_APB2Periph_GPIOE | RCC_APB2Periph_GPIOF | RCC_APB2Periph_GPIOG, ENABLE);
  
	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | 
																GPIO_Pin_8| GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | 
																GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;
 	GPIO_InitStructure.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP;
 	GPIO_InitStructure.GPIO_Speed = GPIO_Speed_50MHz;
 	GPIO_Init(GPIOD, &GPIO_InitStructure);

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_7 | GPIO_Pin_8 | 
																GPIO_Pin_9 | GPIO_Pin_10 | GPIO_Pin_11 | GPIO_Pin_12 | 
																GPIO_Pin_13 | GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;
 	GPIO_Init(GPIOE, &GPIO_InitStructure);
	
 	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 | 
																GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_12 | GPIO_Pin_13 | 
																GPIO_Pin_14 | GPIO_Pin_15;
 	GPIO_Init(GPIOF, &GPIO_InitStructure);

	GPIO_InitStructure.GPIO_Pin = GPIO_Pin_0 | GPIO_Pin_1 | GPIO_Pin_2 | GPIO_Pin_3 | 
																GPIO_Pin_4 | GPIO_Pin_5 | GPIO_Pin_10;
 	GPIO_Init(GPIOG, &GPIO_InitStructure);
}

/* FSMC配置 */
void FSMC_SRAM_Init(void)
{
	FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
	FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readTiming;
	FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef WriteTiming;
	
	RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC, ENABLE);
	
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank1_NORSRAM3;																//Bank
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux = FSMC_DataAddressMux_Disable;							//数据和地址线是否复用
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType = FSMC_MemoryType_SRAM;													//存储器类型
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSMC_MemoryDataWidth_16b;								//存储器数据宽度  
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode = FSMC_BurstAccessMode_Disable;						//是否进行突发模式访问
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity = FSMC_WaitSignalPolarity_Low;					//等待信号极性(突发模式下)
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait = FSMC_AsynchronousWait_Disable;					//保留位
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode = FSMC_WrapMode_Disable;   												//是否支持非对齐操作(突发模式下)
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive = FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;  //WAIT信号有效时机(突发模式下)
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation = FSMC_WriteOperation_Enable;								//是否允许写操作
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal = FSMC_WaitSignal_Disable;  										//是否使用WAIT信号(突发模式下)
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Enable; 									//是否使用读写不同时序
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst = FSMC_WriteBurst_Disable;											//是否允许突发写操作

	readTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;					//地址建立时间
	readTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;					//地址保持时间
	readTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x02;		 				//数据保持时间
	readTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
	readTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
	readTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
	readTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;	//模式A
	
	WriteTiming.FSMC_AddressSetupTime = 0x00;					//地址建立时间
	WriteTiming.FSMC_AddressHoldTime = 0x00;					//地址保持时间
	WriteTiming.FSMC_DataSetupTime = 0x04;		 				//数据保持时间
	WriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration = 0x00;
	WriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
	WriteTiming.FSMC_DataLatency = 0x00;
	WriteTiming.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;	//模式A	

	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct = &readTiming;
	FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct = &WriteTiming;

	FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);
	FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3, ENABLE);	
}

uint8_t testsram[1000000] __attribute__((at(0x68000000)));
uint8_t test;

int main(void)
{	
	uint8_t count = 0;
	
	/* 时钟配置 */
	RCC_config();
	
	/* GPIO配置 */
	GPIO_config();
	
	/* FSMC配置 */
	FSMC_SRAM_Init();
	
	for(uint32_t ts = 0; ts < 1000000; ts++)
		testsram[ts] = count++;
	
	for(uint32_t ts = 0; ts < 1000000; ts++)
		test = testsram[ts];
	
	while(1)
	{

	}
}

 

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