nand flash基础——基本操作

nand flash最基本的操作就是读写擦。

nand flash基础——基本操作_第1张图片

对于处于被擦除状态的cell, Vth都在0V(Vread)以下;而被写之后的cell,Vth则处于0V(Vread)和Vpassr之间。Vpassr在4V以下。根据这样的特性,则可以通过设置偏置电压来使cell处于导通状态。

当需要读取一个cell时,在栅极(gate)上需要提供一个Vread电压(0V),在其他的cell上加上一个Vpass,r电压,通常在4-5V,这个电压是大于Vpassr的,足以使cell导通,无论是在被擦除状态和被写的状态。

这样的话,string上的导通情况就由被读取的cell状态决定。如果这个cell是被擦除的,0V的电压就足以导通;如果这个cell是被写过的,则0V不足以使其导通。于是存在两种状态,可以代表一个bit的信息。导通状态下,string上就存在电流,通过sense amplifier可以转换为电压信号。

 

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