5G NR slot配置

参考自TS 38.213

slot配置规则

一个slot包括上行符号,下行符号和可灵活设置的符号。
如果UE收到TDD-UL-DL-ConfigurationCommon参数,则按照此参数设置每个slot的格式。
这个参数包括:
- 参考的子载波间隔配置 μ r e f \mu_{ref} μref
- pattern 1
pattern 1又包括:
-slot配置周期Pms,根据参考子载波间隔的不同,P的取值不同。
-只有下行符号的slot数目dslots
-下行符号数dsym
-只有上行符号的slots数目uslots
-上行符号数usym
Pms内包括 S = P ∗ 2 μ r e f S=P*2^{\mu_{ref}} S=P2μref个采用子载波间隔为 μ r e f \mu_{ref} μref的时隙。在这S个slots中,前面dslots只含有下行符号,后面uslots个slots只含有上行符号。在前面dslots后面的dsym个符号为下行,在uslots前面的usym个符号为上行。剩余的 ( S − d s l o t s − u s l o t s ) ∗ N s y m b s l o t − d s y m − u s y m (S-d_{slots}-u_{slots})*N^{slot}_{symb}-d_{sym}-u_{sym} (Sdslotsuslots)Nsymbslotdsymusym个符号可以灵活配置。
如果TDD-UL-DL-ConfigurationCommon提供了pattern1和pattern2,则UE按照pattern1设置第一部分,按照pattern2设置第二部分。
pattern2包括:

  • 时隙配置周期P2ms
  • 下行时隙dslots,2
  • 下行符号数dsym,2
  • 上行时隙数uslots,2
  • 上行符号数usym,2
    一个时隙配置周期P+P2包括前面 S = P ∗ 2 μ r e f S=P*2^{\mu_{ref}} S=P2μref个时隙和后面 S 2 = P 2 ∗ 2 μ r e f S_2=P_2*2^{\mu_{ref}} S2=P22μref个时隙。
    对于这S2个时隙而言,配置规则和前面相同,不再赘述。
    对于 μ r e f \mu_{ref} μref,应该小于等于UE配置的任何一个DL BWP或者UL BWP的 μ \mu μ
    如果存在另一个参数TDD-UL-DL-ConfigDedicated,则按照这个参数设置TDD-UL-DL-ConfigurationCommon指定的slot中灵活配置的符号。
    TDD-UL-DL-ConfigDedicated包括:
  • 一个时隙配置集
  • 对于集合中的每一种时隙配置包括
    · 时隙索引
    ·每个时隙的符号集合,用参数symbols表示,可以配置为全下行、全上行、灵活配置等。
    上述时隙配置对UE配置的每个BWP都是相同的。

slot format确定

DCI format 2_0中的SFI-index值指示从UE检测到DCI format 2_0这个时隙开始的每一个时隙的格式,针对对每个DL BWP或者UL BWP都相同。可以配置的时隙数要大于等于DCI format 2_0的一个PDCCH检测周期。每一种format索引对应一种format格式,对于normal CP来说,如下表所示。
5G NR slot配置_第1张图片

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