模拟电路&仿真LTspice(5):MOS管特性曲线

好久没有回顾旧知识了,重新温习一下模拟电路,若有误之处,烦请指教。

MOS管特性曲线主要又Id漏极电流和Vds漏-源电压组成(NMOS管型号:BSS1445为例,Vds=100V,Rds=3.5欧)。与三极管不同的是:

三极管基极b加电流来改变特性曲线,而MOS管则是门极g加电压即Vgs来改变特性曲线,所以他们之间最明显的就是流控和压控的区别。

不多说,上图:

模拟电路&仿真LTspice(5):MOS管特性曲线_第1张图片

  • .dc表示电路直流测试
  • Vds表示ds端电压变化从0到100V,递进值0.2V
  • Vgs表示be端电压变化从0到16V,递进值2V (这里选了一个Ron=3.5Ω较大的MOS管,所以Id小一点)

模拟电路&仿真LTspice(5):MOS管特性曲线_第2张图片

由曲线可明显发现:

1、Vgs=4V红色曲线下的蓝色和绿色曲线基本上处于截止区

2、每条曲线的线性区是放大区

3、水平区域是饱和区

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