本文开发环境:
- MCU型号:STM32F051R8T6
- IDE环境: MDK 5.25
- 代码生成工具:STM32CubeMx 5.0.1
- HAL库版本:v1.9.0(STM32Cube MCU Package for STM32F0 Series)
本文内容:
- MCU片内Flash(闪存)的擦除与读写
- 一个Flash读写例子
首先给出一个Flash程序一个完整的片段:
... ...
#include "stm32f0xx_hal.h"
... ...
static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES, //页擦除
.PageAddress = 0x08008000, //擦除地址
.NbPages = 1 //擦除页数
};
... ...
while (1)
{
HAL_FLASH_Unlock();
uint32_t PageError = 0;
__disable_irq(); //擦除前关闭中断
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
{
printf("擦除 成功\r\n");
}
__enable_irq(); //擦除后打开中断
uint32_t writeFlashData = 0x55555555; //待写入的值
uint32_t addr = 0x08008000; //写入的地址
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
HAL_FLASH_Lock();
while(1);
/* USER CODE END WHILE */
/* USER CODE BEGIN 3 */
}
本地代码段写在main.c中,STMCubeMx生成工程时已经在main.c文件中包含了各种头文件,所以这段代码可以直接使用的,如果我们想在其它文件中使用它,请记得包含HAL库头文件:
#include "stm32f0xx_hal.h"
特别的,擦除flash的时候不能执行其他程序,所以擦除前要关闭中断,擦除后记得恢复中断状态。这段代码一旦运行,就会在特定地址写入特定的值,并可以通过串口助手查看数据:
Reference manual (RM0091)手册给出了该系列的用户Flash的起始地址,Page,Sector的划分,这个是一个重要的参考信息,因为在Flash操作中,我们要写入数据需要先擦除数据,而擦除的最小单位是PAGE。单片机有几种启动模式,但大多数是从0x0800 0000这段代码开始运行的,我们的代码也是从这个地址开始烧录。这类似于我们计算机,常见开机就是从C盘(如果C是系统盘)启动,但是也可以设置从U盘启动。由于Flash的介绍,手册和网上已经有非常多的资料,这里不再赘述(推荐阅读:[CortexM0–stm32f0308]Flash memory)。
在操作Flash之前,我们都需要对Flash进行解锁,对应的,操作完Flash之后,则需要对Flash进行上锁。这里的操作包括擦除,读和写等。HAL库提供了2个API,用户可以直接调用:
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void);
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void);
在擦除Flash之前,我们需要确定一些参数,擦除的地址,擦除的页数等,HAL库提供了一个与之相关的结构体:
typedef struct
{
uint32_t TypeErase; /*!< TypeErase: Mass erase or page erase.
This parameter can be a value of @ref FLASHEx_Type_Erase */
uint32_t PageAddress; /*!< PageAdress: Initial FLASH page address to erase when mass erase is disabled
This parameter must be a number between Min_Data = FLASH_BASE and Max_Data = FLASH_BANK1_END */
uint32_t NbPages; /*!< NbPages: Number of pagess to be erased.
This parameter must be a value between Min_Data = 1 and Max_Data = (max number of pages - value of initial page)*/
} FLASH_EraseInitTypeDef;
所以在使用擦除函数之前,我们先定义一个结构体,并初始化它:
static FLASH_EraseInitTypeDef EraseInitStruct = {
.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES, //擦除类型:page擦除,即擦除整页。也可以选择擦除整片
.PageAddress = 0x08008000, //擦除起始地址
.NbPages = 1 //擦除页数
};
初始化好结构体之后,就可以使用HAL官方提供的API进行擦除:
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASHEx_Erase(FLASH_EraseInitTypeDef *pEraseInit, uint32_t *PageError)
其中第一个参数为指针,我们传入我们上文初始化好的结构体,第二个参数用来存放错误信息,我们新建一个值来存储,以下是示例代码:
... ...
uint32_t PageError = 0;
HAL_FLASH_Unlock();
if (HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct,&PageError) == HAL_OK)
{
printf("Erase Succeed\r\n");
}
HAL_FLASH_Lock();
... ...
如果你有ST-LINK或者J-LINK此类的调试器,可以使用硬件调试,然后查看0x08000000对应扇区的值,你会发现擦除后的数据全是0xFF。
当我们擦除了一个扇区,该扇区就属于可以写状态,我们可以通过读Flash来确认我们写入的值,HAL库提供的读操作函数如下:
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data)
其中:
- TypeProgram :写类型,只可以是半字(2个字节)或字(4个字节)
- Address :地址
- Data :写入的数据的值
Flash 只需要所在地址,就可以读取对应的值:
uint32_t pValue= *(__IO uint32_t*)(addr);
以下程序写入一个值,并将整个值读取出来:
... ...
uint32_t writeFlashData = 0x55555555;
uint32_t addr = 0x08008000;
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD,addr, writeFlashData);
printf("at address:0x%x, read value:0x%x\r\n", addr, *(__IO uint32_t*)addr);
HAL_FLASH_Lock();
... ...
由于我们经常使用Flash来存放用户程序,所以要特别注意我们读写的时候不破坏到原程序,本文因为程序很小,不可能写到0x08008000,所以直接用这个地址作为例子,在实际运行中,我们需要设计要那些区域是可以用来读写的,避免出现程序错误。