对晶体管和场效应管的认识和理解----小结

为什么要把晶体管和场效应管一起讲，因为他们容易混淆，一起说明更容易区别学习。

首先 晶体管。

我们也称为三极管，分为PNP、和NPN型。在工艺上通常是一个半导体注入5价元素或3价元素来制作PNP或者NPN。

结构如上图

一般是使用硅管或者锗管，而且固定压降是0.7v和0.3v。也就是说当三极管正常工作时时Ube = 0.7v/0.3V

各个级的英文单词，方便记忆。e：elimt 发射，c：collect收集 b：base。

三极管会有三个状态：放大、截至、饱和。

放大状态：当发射结正偏、集电结反偏时，即UBUE ,发射级的电子成功发射到集电极，这个时候，由ib控制ic，ic=βib（β为放大系数），所以三极管也叫电流控制电流的器件。这个时候，ic只受ib的控制（因为集电极电路影响很小，近似认为只受）

截至状态：Ib=0，ic=0，或者发射结反偏都时截至状态，这个时候集电极和发射极都相当于开路。

饱和状态：发射极和集电极都正偏处于饱和状态。这个时候ic不在受ib的控制，并且uce所占电压很小，相当于导线，工程上我们认为硅饱和导通uce的压降为0.3v，锗管为0.1v。

第二主角：场效应管

我们也称mos管，它是一种电压控制电流的器件，有三个级，栅级g、漏极d、源极s。

分为三个形态，我们着重讲增强型。

增强型的场效应管，有四个区，分别为截至区，可变电阻区、恒流区、击穿区和过损耗区。

可变电阻区特点：当Uds较小时，Id随Ugs增大而增大。

恒流区：当Ugs一定时，Uds对id的影响很小。

截止区：当电压小于开启电压1.5v时，mos不工作。

击穿区：当uDS达到一定值时，场效应管被击穿，ID突然增大。管子很容易烧坏。

过损耗区：id和uds都比较高，长期处于这种状态，没有很好的散热措施，很可能由于功率较大，管子烧坏。

而耗尽型和增强型的区别就在于，当ug=0是，耗尽型ds相当于导通，而增强有开启电压。

本人计算机类专业，初学模电，有错的地方往指教。