对晶体管和场效应管的认识和理解----小结

为什么要把晶体管和场效应管一起讲,因为他们容易混淆,一起说明更容易区别学习。

首先 晶体管。

我们也称为三极管,分为PNP、和NPN型。在工艺上通常是一个半导体注入5价元素或3价元素来制作PNP或者NPN。对晶体管和场效应管的认识和理解----小结_第1张图片

结构如上图

一般是使用硅管或者锗管,而且固定压降是0.7v和0.3v。也就是说当三极管正常工作时时Ube = 0.7v/0.3V

各个级的英文单词,方便记忆。e:elimt 发射,c:collect收集 b:base。

三极管会有三个状态:放大、截至、饱和。

放大状态:当发射结正偏、集电结反偏时,即UBUE ,发射级的电子成功发射到集电极,这个时候,由ib控制ic,ic=βib(β为放大系数),所以三极管也叫电流控制电流的器件。这个时候,ic只受ib的控制(因为集电极电路影响很小,近似认为只受)

截至状态:Ib=0,ic=0,或者发射结反偏都时截至状态,这个时候集电极和发射极都相当于开路。

饱和状态:发射极和集电极都正偏处于饱和状态。这个时候ic不在受ib的控制,并且uce所占电压很小,相当于导线,工程上我们认为硅饱和导通uce的压降为0.3v,锗管为0.1v。

第二主角:场效应管

我们也称mos管,它是一种电压控制电流的器件,有三个级,栅级g、漏极d、源极s。对晶体管和场效应管的认识和理解----小结_第2张图片


分为三个形态,我们着重讲增强型。

增强型的场效应管,有四个区,分别为截至区,可变电阻区、恒流区、击穿区和过损耗区。

可变电阻区特点:当Uds较小时,Id随Ugs增大而增大。

恒流区:当Ugs一定时,Uds对id的影响很小。

截止区:当电压小于开启电压1.5v时,mos不工作。

击穿区:当uDS达到一定值时,场效应管被击穿,ID突然增大。管子很容易烧坏。

过损耗区:id和uds都比较高,长期处于这种状态,没有很好的散热措施,很可能由于功率较大,管子烧坏。

而耗尽型和增强型的区别就在于,当ug=0是,耗尽型ds相当于导通,而增强有开启电压。


本人计算机类专业,初学模电,有错的地方往指教。







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