解析MOS管的详细参数，看完这篇你就全都懂了

　
　　
　　MOS管介绍
　　
　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。

         
　　
　　MOS管导通特性
　　
　　导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
　　
　　NMOS管的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手册）就可以了。
　　
　　PMOS管的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

        
　　
　　MOS开关管损失
　　
　　不管是NMOS管还是PMOS管，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几毫欧，几十毫欧左右
　　
　　MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

         
　　
　　MOS管驱动
　　
　　MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。但是，我们还需要速度。
　　
　　在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

          
　　
　　Mosfet参数含义说明Features:Vds：    DS击穿电压.当Vgs=0V时，MOS的DS所能承受的最大电压Rds(on)：DS的导通电阻.当Vgs=10V时，MOS的DS之间的电阻Id：     最大DS电流.会随温度的升高而降低Vgs:     最大GS电压.一般为：-20V~+20VIdm:     最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低，体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系Pd:      最大耗散功率Tj:      最大工作结温，通常为150度和175度Tstg:    最大存储温度Iar:     雪崩电流Ear:     重复雪崩击穿能量Eas:     单次脉冲雪崩击穿能量BVdss：  DS击穿电压Idss:    饱和DS电流，uA级的电流Igss:    GS驱动电流，nA级的电流.gfs:     跨导Qg:      G总充电电量Qgs:     GS充电电量 Qgd:     GD充电电量Td(on):  导通延迟时间，从有输入电压上升到10%开始到Vds下降到其幅值90%的时间Tr:      上升时间，输出电压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间Td(off): 关断延迟时间，输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间Tf:      下降时间，输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。
　　
　　Ciss:    输入电容，Ciss=Cgd + Cgs.Coss:    输出电容，Coss=Cds +Cgd. Crss:    反向传输电容，Crss=Cgc.