三极管和场效应管的区别

今天向硬件老手请教了两种管的区别

三极管（BJT）的三个脚分别命名为：基极（B）、集电极、发射极（C）。

场效应管（FET）的三个脚命名为：栅极、源极、漏极。场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。

其中集电极和源极是接地的，基极和栅极是控制极。

过去记忆这些极，总是忘记，所以问了下两种管的工作原理。

1.三极管，是电流驱动，需要消耗基极电流。所以三极管的放大系数通过Ic/Ib得到，就是说三极管的放大功能通过基极的电流实现的。

2.场效应管，是电压驱动，栅极不导通，没有电流经过，不消耗电流。它通过电压使得效应管能电子聚集起来，形成一条电子通道，然后漏极和源极被导通。所以，场效应管是通过导通电子隧道，实现放大功能的。栅极的电压越高，导通的电流越大，但同时栅极不消耗电流。

通过上面的对比，总结下场效应管的优缺点：

优点是电流消耗相对少，导通速度快（只要加上电压，就导通，比三极管通过形成电流导通的方式快）。

缺点是容易被静电击穿。

应用场景

场效应管一般比较贵，该技术使用在内存上，例如EPROM，FLASH都是用场效应管保存数据。 

Flash的硬件实现机制

Flash的内部存储是MOSFET，里面有个悬浮门(Floating Gate)，是真正存储数据的单元。

在Flash之前，紫外线可擦除(uv-erasable)的EPROM，就已经采用了Floating Gate存储数据这一技术了。

图 1.1. 典型的Flash内存单元的物理结构

数据在Flash内存单元中是以电荷(electrical charge) 形式存储的。存储电荷的多少，取决于图中的外部门（external gate）所被施加的电压，其控制了是向存储单元中冲入电荷还是使其释放电荷。而数据的表示，以所存储的电荷的电压是否超过一个特定的阈值Vth来表示，因此，Flash的存储单元的默认值，不是0（其他常见的存储设备，比如硬盘灯，默认值为0），而是1，而如果将电荷释放掉，电压降低到一定程度，表述数字0。

参考：http://blog.csdn.net/xzongyuan/article/details/27096945