ICMAX解析UFS3.0和LPDDR5是分别从哪两个方面影响手机的？

最近想换5G手机的小伙伴，估计都会看到厂商会标明UFS3.0和LPDDR5这些芯片，很多业界人士称这两个是5G时代的标配。但是很多人理不清这些规格的区别，这样购买手机的时候很容易吃亏，今天这篇文章就带大家弄懂这些名词都是啥，这两者又是怎么影响你的手机使用的。

宏旺半导体了解到，2011年，第一代通用闪存存储（Universal Flash Storage）标准问世，即UFS。而UFS可以看做是替代eMMC的产物，无论是在性能还是速度上都全面领先eMMC。2013年UFS 2.0发布，它的理论读写速度可以达到1400MB/s，而同时期的eMMC 5.0以及后来的5.1理论速度也才只有600MB/s。随后，UFS 2.1、UFS 3.0、UFS 3.1相继出现，属于UFS的时代也全面到来。

SF3.0引入了HS-G4规范，单通道带宽提升到11.6Gbps，是UFS 2.1性能的2倍。而由于UFS支持双通道双向读写，所以UFS 3.0的接口带宽最高可达23.2Gbps，也就是2.9GB/s。因此宏旺半导体总结一下，UFS3.0 标准在传输速度上更快，功耗更低，更适合应用于5G手机上。而在实际操作中，这些优势主要体现在多任务执行响应速度更快、玩游戏的延迟更低画面更流畅、照片写入时间更短和带来更佳的省电效果等方面。此外根据JEDEC文档，相较于UFS 3.0，UFS 3.1的主要提升在于更高的写入性能、更低的功耗及更稳定的性能管理。

UFS属于闪存的一种，闪存即ROM，可以理解为存储卡，或者是电脑上的硬盘。它承担的的是长期存储数据的作用，我们日常产生的文件、照片、视频都存在这里。提到闪存，就不得不提到内存，手机内存，也就是RAM，它的作用是用于与CPU交换高速缓存数据，临时存储，快速读写是它的主要特点。

LPDDR内存全称是Low Power Double Data Rate SDRAM，即低功耗双倍数据速率内存。日常使用时的加载游戏、启动应用的快慢都与其有关。可以说，最新标准LPDDR5内存是一次跨越性的升级换代，据悉其每秒可以传送44GB数据，相比LPDDR4x速度提升50%，并且功耗还有下降20%，这个能力将对消除5G数据瓶颈将起到关键性的作用。

两者对手机的影响也各有不同，UFS3.0相当于就是更快的硬盘；LPDDR5，则是更快的内存，一个应用要想运行，需要先从硬盘中读取代码和数据，操作系统将暂时不参与运行的数据和已经运算好的数据存放到内存中，等需要时再从内存中读取提供给CPU使用，需要持久化存储的数据会被写入硬盘中所以，硬盘越快，程序运行越快（一般体现在启动方面），内存越快，程序运行也越快（一般体现在运行时）。

宏旺半导体举个简单的例子，我们购买手机时常说的8+128 或者8+256前者8G内存是受LPDDR5 的影响，后者128G/256G存储是受UFS 3.0的影响，这样是不是就更好理解一点了？虽然LPDDR5被称为5G时代黑科技满满的手机“标配”，也有人说它和LPDDR4X 差不多，两者的感知差异并不强。目前市场上主流的手机内存是LPDDR4/4X，LPDDR5是最新标准但普及还需要一定的时间。

宏旺半导体的LPDDR4X 卓越的高能效解决方案，电压低至0.6V，在性能方面比 LPDDR4 更进一步，功耗大约降低了10-20%，有效地延长了电池寿命。 采用小型封装，8GB的内存能满足大多数超薄移动设备的容量空间要求，并具备高性能的多任务处理功能。同时，支持PoP堆叠封装和独立封装，从智能手机、平板电脑，到车载电子、可穿戴设备等，LPDDR4X正在拓宽智能、移动设备的应用领域。