N76E003之模拟EEPROM

在使用STM32时,常可以将内部1flash的一部分划作数据储存区(EEPROM),用于掉电后的数据保存。而N76E003单片机也可实现类似的功能。
N76E003之模拟EEPROM_第1张图片
N76E003之模拟EEPROM_第2张图片
下图为N76E003的内存分配图,我们可以从下图中看到APROM使用的地址范围(APROM + LDROM = 18K,当LDROM为0时,APROM的地址为0000~0x47FF)
N76E003之模拟EEPROM_第3张图片
下面的程序为新唐官方所给出的例程,我只进行了粗浅的注释

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//  File Function: N76E003 APROM program DATAFLASH as EEPROM way 
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#include "N76E003.h"
#include "Common.h"
#include "Delay.h"
#include "SFR_Macro.h"
#include "Function_define.h"

#define ADDR_BASE 0x4700//位于地址末端.4700~47FF共256字节

#define FLASH_L_LOW			ADDR_BASE+1
#define FLASH_L_HIGH		ADDR_BASE+2
#define FLASH_H_LOW			ADDR_BASE+3
#define FLASH_H_HIGH		ADDR_BASE+4

volatile unsigned char xdata page_buffer[128];

/*********************************************************
功能:读取APROM中的一位数据
参数:需要读取的内存地址(addr)
*********************************************************/
UINT8 Read_APROM_BYTE(UINT16 code *u16_addr)
{
	UINT8 rdata;
	rdata = *u16_addr>>8;
	return rdata;
}
/*****************************************************************************************************************
write_DATAFLASH_BYTE :
写入flash数据
user can copy all this subroutine into project, then call this function in main.
用户能复制这所有的代码区工程中,然后调用这个函数在主函数中

功能:在指定Flash地址写入数据
参数:需要写入的flash地址、需要写入的数据、
******************************************************************************************************************/		
void Write_DATAFLASH_BYTE(unsigned int u16EPAddr,unsigned char u8EPData)
{
	unsigned char looptmp=0;
	unsigned int u16_addrl_r;
	unsigned int RAMtmp;
	
//Check page start address
	u16_addrl_r=(u16EPAddr/128)*128;
//Save APROM data to XRAM0
	for(looptmp=0;looptmp<0x80;looptmp++)
	{
		RAMtmp = Read_APROM_BYTE((unsigned int code *)(u16_addrl_r+looptmp));
		page_buffer[looptmp]=RAMtmp;
	}
// Modify customer data in XRAM
		page_buffer[u16EPAddr&0x7f] = u8EPData;
	
//Erase APROM DATAFLASH page
		IAPAL = u16_addrl_r&0xff;
		IAPAH = (u16_addrl_r>>8)&0xff;
		IAPFD = 0xFF;
	  set_IAPEN; 
		set_APUEN;
    IAPCN = 0x22; 		
 		set_IAPGO; 
		
//Save changed RAM data to APROM DATAFLASH
		set_IAPEN; 
		set_APUEN;
	  IAPCN = 0x21;
		for(looptmp=0;looptmp<0x80;looptmp++)
		{
			IAPAL = (u16_addrl_r&0xff)+looptmp;
      IAPAH = (u16_addrl_r>>8)&0xff;
			IAPFD = page_buffer[looptmp];
			set_IAPGO;			
		}
		clr_APUEN;
		clr_IAPEN;
}	
	
/******************************************************************************************************************/	


void main (void) 
{
		UINT8 datatemp;
		UINT16 system16highsite;
/* -------------------------------------------------------------------------*/
/*  Dataflash use APROM area, please ALWAYS care the address of you code    */
数据闪存使用APROM区,请一定保证这部分数据和你的代码地址不会冲突
/*	APROM 0x3800~0x38FF demo as dataflash 				      				      			*/
APRON 地址为0x3800~0x38ff  演示作为数据内存
/* 	Please use Memory window key in C:0x3800 to check earse result					*/	  
请使用内存窗口密匙 (C:0x3800)去检查结果?????    
/* -------------------------------------------------------------------------*/
		InitialUART0_Timer1(115200);//串口初始化
//call write byte 
		Write_DATAFLASH_BYTE (0x3802,0x34);//在0x3802地址写入数据0x34
		Write_DATAFLASH_BYTE (FLASH_L_LOW,0x55);//在0x4700地址写入数据0x55
		Write_DATAFLASH_BYTE (FLASH_L_HIGH,0x56);//0x4701写入0x56
		Write_DATAFLASH_BYTE (FLASH_H_LOW,0xaa);//0x4702写入0xaa
		Write_DATAFLASH_BYTE (FLASH_H_HIGH,0x66);//0x4703写入0x66
//call read byte
		datatemp = Read_APROM_BYTE(0x3802);
		system16highsite = ((Read_APROM_BYTE(FLASH_H_HIGH)<<8)+Read_APROM_BYTE(FLASH_H_LOW));

    while(1)
		{
//				printf ("\n data temp = 0x%bx", datatemp);//打印datatemp中数据
		}
}

总结:使用flash作为eeprom时,最好按实际需求从47FF倒着写,以此保证不会干扰程序的正常运行。

(https://blog.csdn.net/DZRYWYBL/article/details/86320325在此感谢这位博主分享经验)

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