stm32f407学习笔记之flash模拟eeprom

stm32f407zgt6的flash有1M容量，总共分为11个扇区，每个扇区的地址和大小如下所示

#define ADDR_FLASH_SECTOR_0     ((u32)0x08000000) 	//扇区0起始地址, 16 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_1     ((u32)0x08004000) 	//扇区1起始地址, 16 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_2     ((u32)0x08008000) 	//扇区2起始地址, 16 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_3     ((u32)0x0800C000) 	//扇区3起始地址, 16 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_4     ((u32)0x08010000) 	//扇区4起始地址, 64 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_5     ((u32)0x08020000) 	//扇区5起始地址, 128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_6     ((u32)0x08040000) 	//扇区6起始地址, 128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_7     ((u32)0x08060000) 	//扇区7起始地址, 128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_8     ((u32)0x08080000) 	//扇区8起始地址, 128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_9     ((u32)0x080A0000) 	//扇区9起始地址, 128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_10    ((u32)0x080C0000) 	//扇区10起始地址,128 Kbytes  
#define ADDR_FLASH_SECTOR_11    ((u32)0x080E0000) 	//扇区11起始地址,128 Kbytes 

读取一个字函数：

u32 STMFLASH_ReadWord(u32 faddr)
{
	return *(vu32* )faddr; //将地址转换成指针类型，再取值
}

读取N个字到数组中

void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u32 *pBuffer,u16 NumToRead)
{
	u16 i;
	for(i=0;i

写数据到flash

void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u32 *pBuffer,u16 NumToWrite)
{
	FLASH_Status status=FLASH_COMPLETE; //flash状态
	u32 endaddr=WriteAddr+4*NumToWrite; //写入数据的结束地址
	if(WriteAddr

一般使用stm32自带flash存储的都是一次写入的固定只读数据，1是flash寿命不行，2是flash容量比较大，在擦除扇区时，数据无法保存，本例程中使用的是字形式进行读取，也可以改成半字或其他形式。
源码在这我的github；借鉴正点原子