2019-01-29

分立半导体SI2324DS-T1-GE3介绍：

型号：SI2324DS-T1-GE3

类别：分立半导体产品  晶体管 - FET

制造商 ：Vishay Siliconix  

系列： TrenchFET®  

包装：带卷（TR）

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：100V  

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） ：2.3A（Tc）  

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） ：234 毫欧 @ 1.5A，10V  

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.9V @ 250µA  

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） ：10.4nC @ 10V  

Vgs（最大值） ：±20V  

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） ：190pF @ 50V  

FET 功能 -  功率耗散（最大值） :1.25W（Ta），2.5W（Tc）  

工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 

 安装类型 :表面贴装  

供应商器件封装 :SOT-23-3（TO-236）  

封装/外壳 :TO-236-3，SC-59，SOT-23-3