快速看懂芯片的Power报告

芯片的Power，通常可以通过PTPX跑出来，也可以用DC报。

在仿真的时候，通常需要设置号，电压以及track等参数，这些，对于后续计算PPA，非常有帮助。

功耗一般会按照模块来划分。每一个模块，又会包含至少3项：Leakage Power，Switch Power 和 Internal Power

功耗：total power = leakage power +internal power + switching power。其中internal power + switch power = dynamic power.

Leakage power，也成为静态功耗。即漏电功耗和本身工艺库特性相关，后端可以对non-crtical path 进行cell的替换，从LVT、SVT，SVT、HVT，HVT、UHVT。另外，也可以对设计进行划分power domain。当这个模块不工作的时候，可以进行断电。从而大大降低芯片的漏电功耗。在计算的时候需要参考Timing Library中的Cell信号占空比的信息来计算。

动态功耗包括internal power和switch power.

Internal power，即短路功耗，即上下PMOS和NMOS同时导通时的功耗。是动态功耗的主要部分。通常会参考Timing Library中cell的查找表和占空比，与信号翻转率来进行计算。

Internal Power是动态功耗的主要部分。

switch power，即开关功耗。cell外部的电容充放电引起的功耗。

动态功耗和data的翻转率（TR），静态概率（SP），电压，负载电容相关。一般情况下，需要读入SPEF文件，从而抽取每个节点上的RC参数用于计算switch power。

P=V^2 * F * C(switch power) + Tsc * V * Ipeak * F(internal power) + Vdd I leakage(Leakage power)
V-- 供电电压
F–clock的频率
C–代表负载电容
Tsc–短路时间