SRAM和DRAM的区别及内存条的选择

SRAM（静态随机存储器）

特点：容量小、功耗高、速度快（常用做缓存cache）

DRAM（动态随机存储器）

特点：数据保持时间短，使用电容存储，隔一段时间刷新一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失（关机就会丢失），常用作系统内存（只有DRAM需要刷新）

SRAM比DRAM的占用面积更大，因而不适合用于更高储存密度低成本的应用，如PC内存。

参考：https://blog.csdn.net/zwx19921215/article/details/83900715
设存储空间为M * N位，现有存储芯片是m * n位。
若M=m ，N>n，需要对芯片进行位扩展。
若M>M，N=n，需要对芯片进行字扩展。
若M>m，N>n，需要对芯片进行字位扩展。

（1）为什么DRAM芯片的地址一般要分两次接收？
DRAM芯片由于容量较大，一般采用双地址译码方式，分成行地址译码和列地址译码，所以地址一般要分两次接收。

（2）若动态随机存储器2164里包含4个128*128存储矩阵，其刷新原则是什么？ D
A.各DRAM矩阵轮流刷新
B.各DRAM矩阵同时刷新，片内逐位刷新
C.各DRAM矩阵同时刷新，片内逐字刷新
D.各DRAM矩阵同时刷新，片内逐行刷新

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内存条选择：

这里的DDR3后面的字母“L”，代表的是Low Voltage的缩写。DDR3L全称是DDR3 Low Voltage，就是DDR3低电压版，其工作电压相比普通标准版的DDR3内存更低一些，功耗更低，但性能也略微更低一些。
DDR3,DDR4的区别

	DDR3内存条	DDR4内存条
起始频率	800MHz	2133MHz
最高频率	3000MHz	3000MHz
最大单条容量	64GB	128GB
功耗	1.5V	1.2V
不同	耗电较多，而且内存条容易发热降频，影响性能。低电压内存条一般主要用在笔记本、服务器等设备上，普通台式电脑很少使用这种低电压内存条。	工作电压多为甚至更低，更少的用电量和更小的发热，提升了内存条的稳定性。

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相关了解：https://blog.csdn.net/llzhang_fly/article/details/87298687?depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant.none-task&utm_source=distribute.pc_relevant.none-task

https://blog.csdn.net/hdanbang/article/details/45640213?depth_1-utm_source=distribute.pc_relevant.none-task&utm_source=distribute.pc_relevant.none-task