单片机内部FLASH的字节操作

一般32位单片机的内部FALSH是不支持字节操作的,有的可以按字节读取,但是不能按字节写入。

而且,一般单片机内部FALSH擦除的最小单位都是页,如果向某页中的某个位置写入数据,恰好这个位置的前面存了其他数据,那么就必须把这页擦除,存的其他数据也会丢失。

实际上就是说内部的FALSH不好做改写的操作,如果有很多数据需要存放,最好是分页存储。这也是FALSH与E2PROM最大的区别,后者支持按字节操作且无需擦除,即使某一个地址写坏了,也不影响其他地址。

下面介绍一种方法让内部FLASH"支持"字节操作,且同一页的其他数据不受影响。

方法原理很简单,下面简单介绍下原理:

1.根据要写入地址,计算出该地址位于哪一页;

2.读出整个页,存入缓存BUF;

3.将要写入的数据按位置更新到BUF中;

4.擦除该页;

5.写入整个BUF。

可以看出这种方法弊端很明显:

1.耗时长  每次写都要读整个BUF,然后还要先把数据存到BUF里,然后再写入整个BUF;

2.FALSH擦写次数增加,降低使用寿命;

下面给出测试代码:

#include 
#include 
#include //C语言标准库
#include "flash.h"

#define USER_FLASH_START_ADDR   0x01070000   //FLASH最后两个扇区  供用户使用


u32tou8 u32data;//定义一个联合体

//==================================================================================
// 获取某个地址所在的页首地址
// addr:FLASH地址
// 返回:该地址所在的页 共128页(0~127)
//==================================================================================
unsigned int FLASH_GetFlashPage(unsigned int addr)
{
	  if (IS_FLASH_ADDRESS(addr))
		{
		   return  (addr&(~0xFFF));//清0低12位就是该页的起始地址
  	} 
}
//==================================================================================
// 从FLASH中读取 一个字(32位)
// addr:读取地址
// 返回: 读到的字数据
//备注: 地址为4字节对齐
//==================================================================================
unsigned int FLSAH_ReadWord(unsigned int addr)
{
    return (*(unsigned int *)addr);
}


//==================================================================================
//从FLASH指定地址 读取数据
//备注: 读取数据类型为32位  读取地址为4字节对齐
//==================================================================================
void  FLASH_Read(unsigned int	ReadAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToRead)
{
    unsigned int i;
	  u32tobyte cache;
    for(i=0; iRO = 0;//去掉所有扇区写保护
    //==================================================================================
    // 判断写入地址是否非法  起始地址或者结束地址不在FALSH范围内则退出
    //==================================================================================
    if(!(IS_FLASH_ADDRESS(startaddr)&& IS_FLASH_ADDRESS(endaddr))) return FLASH_ERROR_PG;
   
	   while(startaddr < endaddr)
		 {
			 
		//==================================================================================
    //1.计算起始地址在FALSH哪一页,并获取该页的首地址
		//2.计算起始地址在该页的偏移量
    //3.计算该页还剩余多少字节没写入数据			 
    //==================================================================================
			  pageaddr = FLASH_GetFlashPage(startaddr);//获取起始地址所在页的页首地址
			  index = startaddr-pageaddr;//4K缓冲区内偏移地址
			  remain=4096-index;//缓存区剩余大小
    //==================================================================================
    // 将该页数据读入4K缓冲数组,后面读写都是对该缓冲数组操作
    //==================================================================================			 
		    for(i=0;i<4096;i+=4)//读取一页到缓冲buff
			  {
				    cache.u32data=FLSAH_ReadWord(pageaddr+i);
				    buffer[i]=cache.buf[0];
   					buffer[i+1]=cache.buf[1];
					  buffer[i+2]=cache.buf[2];
					  buffer[i+3]=cache.buf[3];
				} 
    //==================================================================================
    // 擦除FALSH对应的页,FLASH只能按页擦除,
		// 这一页数据已经被读到缓冲数组中了 之前的数据也保留下来了 		
    //==================================================================================				
				status = FLASH_ErasePage(startaddr);
        if(status != FLASH_COMPLETE) return status;//擦除1页 4K字节					
    //==================================================================================
    //1.判断要写入的数据是否大于该页剩余容量(即计算写入的数据长度是否跨多页) 
		//2.将需要写入的数据转存到缓冲数据		
    //==================================================================================				
				if(NumToWrite > remain)//需要写入的数据量大于缓冲buf剩余字节数
				{
					for(i=index;i<4096;i++)//将需要写入FALSH的数据写入缓冲buff
					{
							 buffer[i]=*(pBuffer++);				
					}
					NumToWrite-=remain;//需要写入的数据长度-本次已经写入的数据长度	
          startaddr+=remain;//地址向后偏移本次写入的字节数					
			  }
				else
				{
				  for(i=index;i

其中还有个联合体的定义: 

typedef union
{
    unsigned int  data;
    unsigned char buf[4];
}
u32tou8;

FLASH_ErasePage、FLASH_ProgramWord、IS_FLASH_ADDRESS 这三个都是单片机FLASH的库函数

各家单片机不同,但功能基本相同,这里不再提供源码。

最后提供以下两个FLASH接口即可:

FLASH_Write(unsigned int    WriteAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToWrite);

FLASH_Read(unsigned int    ReadAddr,unsigned char *pBuffer,unsigned int NumToRead)

演示:

1.为方便查看结果,测试从0x1070FFC的位置开始写入数据,FLASH地址分布如下图所示:

这里展示了FLASH连续两页的地址,首先将这两页全部擦除。

单片机内部FLASH的字节操作_第1张图片

 

2.接着从1070FFC的位置开始写入56个1,这样就保证了数据跨越了1页。 

unsigned char write[]= {"1111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111111"};
FLASH_Write(0x01070FFC,write,sizeof(write));

 单片机内部FLASH的字节操作_第2张图片

 注意:最后的00是因为字符串的结尾字符是“\0”

3.紧接着,在0x1070FFE位置写入新的字符串,也要保证写入长度跨越1页

unsigned char write2[]={"23456789"};
FLASH_Write(0x01070FFE,write2,sizeof(write2));

 单片机内部FLASH的字节操作_第3张图片

可以看出,0x1070FFE~0x1071006的位置被写入了新的字节,但这两页的其他位置数据保持不变。

 

总结:

1.实际使用时,如果不是受限于成本或者FLASH大小,不建议这样读写内部FLASH,以为stm32内部FLASH也就

10W次寿命,这样频繁擦写会大大降低FLASH寿命。

2.如果保存的数据不多,建议每个数据都单独存1页,这样不用考虑擦除时会把其他数据也一并擦除。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

你可能感兴趣的:(STM32,单片机内部FLASH)