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如上图,动态电路方案的工作步骤如下所示:
首先对PWM这一级的电路进行仿真,其仿真电路如下:
当输入波形为高时(绿色),电容C3左侧为电源电压V1,右侧电荷通过D5释放掉,最终右侧电压维持在0.7V。
当输入波形变为低时,电容两侧电压差不会突变,由于左侧电压变为0,右侧电压则突变为-(V1-0.7V)(即维持了电容之前的压差),此时电容C1充电,电流由C1流向C3,同时导致C3的电压上升,最后假如忽略二极管D1,则C1和C2将平分电压-(V1-0.7V),但是由于二极管的存在,C3的电平将会比C1高0.7V。
当输出波形在此变为高时,电容C左侧变为V1,右侧电平由于被C1中和掉一部分,故右侧电平将大于0.7V,此时通过D5放电,将右侧电平再次放电为0.7V。
如上步骤重复若干次,最终C1处电压将变为-(V1-0.7V-0.7V),由于上述仿真,V1为3.3V故,C1处电平最终稳定在1.9V左右。
Vt-电容电压,V0-初始电压,Vmax-电源电压,R-充电阻抗,C-电容,t-时间,E-电源电压。
当V0=0时有:
此时有:
具体充电曲线如下:
Vt-电容电压,E-电容初始电压,R-放电阻抗,C-电容,t-时间。
对于当前设计,有以下参数,电容100uF负载600R,电源电压24V,假如允许电源电压
在20V~22V摆动,则有放电时间:
对于充电从20V~22V即从0.83E充电到0.91E,对照上文,大致有:
假如按50%充电比率,则充电时间按放电时间一般,代入t冲=2.85mS,C=100uF,可得:
即充电电阻大致在28.5R左右。
综上可得,在600R放电电阻,电容100uF,输出电压在20V~22V范围内变化情况下,
电路应做如下配置:
根据上述参数做仿真如下:
如上图,仿真结果基本与结算吻合。
然后引入动态电路,二极管按理想二极管,压降设为0,仿真结果如下:
仿真结果如上,由于双电容增加的容抗和延时,电压略有下降,基本也在-20V左右。
用双MOS控制上下电,仿真结果如下所示:
将二极管回调至0.7V压降,仿真结果如下:
将充电电阻调至10R,频率提高到10KHz,仿真结果如下:
综上,在电容100uF,充电电阻28.5R,操作频率175Hz的情况下,基本上能保证负载
600R在20V左右电平工作。
假如需要提升电荷泵性能,可从充电电阻和操作频率两方面做调节。
电感
此方案可视为变压器隔离方案的变形,将变压器隔离方案中的变压器使用一个电感代替,
利用电感的续流功能工作,此方案的工作流程如下:
如上图所示,采用R3,4R将系统限流到6A,电感采样采用22uH常用电感,设置系统工
作频率为25KHz,第一级工作波形如下如所示:
如上图,在MOS管关闭(蓝色为低时),流经电感的电流不会马上消失(红色部分),而是
转由二极管续流,此时V2电压被瞬间拉低为负压,随着续流电流减小,V2页逐渐趋近于0,
这个过程V3被充电,由于没有释放路径电压逐渐增加。
在MOS打开时(蓝色为高时),电流急剧增加,由于电感的存在,给V2提供一个瞬间的
感应电压,随着电流趋于稳定,V2电压逐渐被拉低,趋近于0。
通过上述分析,第一级在工作时,会不断给V3即C1充电,故第二级电路可用此作供电电源。
第二级的工作状态如下:
同第一级的工作原理类似,V6会被不断充电,并提供给模拟负载R6使用100R内阻。
将整个采样时间加长,得到仿真波形如下:
如上图所示,系统最后能提供20V左右压降。
将系统工作频率调节为1KHz,仿真波形如下:
如上图,在低频情况下,系统无法正常工作。
方案的功能示意图如下所示:
如上图,此电路的工作流程如下:
如上图:
u1-电源电压;i1-初级线圈工作电流;r1-初级线圈内阻;e1-初级线圈反向电动势;
N1-初级线圈匝数;L1-初级线圈电感。
u2-输出电压;i2-输出电流;r2-次级线圈内阻;e2-次级线圈感应电动势;N2-次级线
圈匝数;L2-次级线圈电动势。
Φ-磁通,I-初级线圈总电流,R-次级线圈负载。
其工作过程如下所示:
1:初级线圈增加电源U1;
2:U1产生逐渐增大的电流i1;
3:逐渐增大的i1产生变化的磁通F;
4:变化的磁通F在次级线圈产生感应电压U2;
5:U2产生感应电流i2,i2又产生磁通叠加到F;
6:新增磁通在初级线圈产生感应电流;
根据如上工作过程,可得变压器要想正常工作,初级线圈必须产生变化的电流。对于初
级线圈,是一个经典的RL充放电过程:
在这个过程中,有:τ=L/R
电路充电,i=Io[1-e^(-t/τ)],Io是最终稳定电流。
电路放电,i=Io×e^(-t/τ)],Io是短路前L中电流。
对于初级线圈,Io=U/R,U是电源电压,R是线圈内阻,如此可计算得充放电时间t,则
对于变压器,工作频率应小于1/t,否则变压器将工作在直流模式下,失去效果。
搭建仿真电路,U=100V,L=10H,R=100R,t=L/R=0.1,最终电流Io=1A,电流=0.5A
则有:
0.5=1 [1-e^(-t/0.1)]
t=0.06931s
对于如上变压器,我们假设N1=N2,L1=L2,且不考虑饱和问题,则其等效电路如下:
对于次级线圈右侧,刚上电时,e2=u1,随着φ变化率的变慢,e2逐渐减小,故:
i2max=U1/(r1+r2+R)
对于初级线圈,I=i1+i2,有如下过程:
如上仿真,设置r1=r2=R=115,N1=N2,L=3.8H,初始状态有:
I=i2=24/(115+115+115)=0.069A
随后i2逐渐减小,i1逐渐增大,i1可用上面的充电方程计算,或将次级线圈断路,即
i2=0仿真,这个过程满足:
I=i1+i2
最大达到直流时,u2变为0,i2=0,且有
I=i1=24/115=0.208A
忽略漏磁等问题,对变压器有:
Φ=U/(4.44fN)
可见磁通和频率f,匝数N成反比。频率越高,磁通越少,磁通越少输出功率越少,故
高频信号在低频变压器中会出现输出输出功率不足问题。
由于变压器工作在线圈充放电状态,充放电时间越长,电流越大(见上文公式),故低频
信号在高频变压器(一般电感L较小)中容易出现电流过大,甚至烧毁现象。
对变压器次级线圈有:
i2=U/(r1+r2+R)
可见,线圈内阻越大将直接影响变压器的带载能力,过大内阻也会导致变压器发热严重,故变压器一般将内阻做的很小。