硬件电路可靠性设计

1、钽电容不建议用25V以上的
2、电源输入端建议用固态铝电解电容,磁选液态铝电解电容。不建议钽电容和陶瓷电容。胆电容抗冲击差。
3、电源输出端建议钽电容或陶瓷电容。
4、BUCK电容(蓄能大电容)建议在PCB板子远端分散布置,这样保证远端供电稳定。这个大电容建议放置在输入端,输出端,远端三个地方放置这个BUCK电容。
5、去耦电容距离管脚最好在2mm内,过孔要就近管脚打过孔
6、1uf的一个IC陪1-2个就行,0.01u和0.1按照一个管脚一个配
7、pcb上走线1mm对应1nh,1mm对应0.25pf
8、100pF对应580M的谐振频率,1nF对应180M,10nf对应58M,100nf对应18M,这个频率根据走线2mm算的,2mm对应2nh电感,谐振频率1/2π根号(LC)
9、电源模块输入:铝电解电容--》DCDC模块--》铝电解电容或陶瓷电容--》电源转换芯片--》》钽电容,陶瓷电容
10、传导辐射超标,测试范围150k-30Mhz
11、单板不建议用PTC自恢复保险丝,寿命比较短,过流10-20次,自恢复功能就会失效。建议熔丝慢熔保险丝。
12、1A额定电流的保险丝一般熔断电流在1.5A,工作0.1-1s左右。冲击电流一般比较大,大约额定电流,但是一般冲击电流时间短,不会冲断保险丝。
13、保险丝的I2t的值,中t是8ms,电流I增加,加载时间固定为8ms,直到I达到一定程度使得保险丝熔断,这个值叫I2t公称熔化热能,主要对于冲击电流的。
14、保险丝的对于冲击电流,冲击电流是个三角波信号,那么三角波的1/3的I2t与保险丝的I2t比较,应小于保险丝的I2t。
15、little fuse
16、上拉4.7k,下拉1k
17、ESD保护器件要比保护串阻靠近接口,因为器件ESD防护能力强。电阻弱。
18、TVS二极管防护建议用单向的,后端DCDC模块抗负压能力一般比抗正压能力弱。
19、信号线防护器件走线一定先过防护器件,再进入器件,不要产生T型分支。千万不要产生2mm的T型分支。
20、为什么隔离地和信号地之间的1M欧的电阻可以防止外界干扰进入??
21、can总线保护的串阻要在差分电阻与管脚之间。
22、电源采样用插装电阻,插装电阻抗浪涌好,贴片的抗干扰浪涌不行。
23、搜索跨分割
24、avx,tdk,kemet,村田,风华高科,京瓷,电源模块金升阳,synqor电源
25、连接器插座信号针下面不要有电源层和地层。
26、注意爬电距离。机壳地接口插座与内部器件之间的间距保证在3mm至少。

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