STM32内部Flash读写

前言：把数据存储到到EEPROM或FLASH可以对一些数据进行掉电可存储，STM32L系列才有内部EEPROM，其他系列都只有Flash，操作FLASH也可以达到掉电保存数据的效果。关于存储器件家族介绍用一张图来描述最好不过了，如下：

硬件支持：STM32F051C8T6，64KB的FLASH，没有EEPROM。

正文：

按照不同容量，Flash组成部分：主存储器块和一个信息块以及一些闪存存储器和接口寄存器

其中主存储器有三类：32个1K字节/页(小容量)、128个1K字节/页(中容量)、256个2K字节/页(大容量)。

C8T6有64k的主存储器容量属于中等容量类型。

 

FLASH读写流程：

• 对FLASH写入数据：

  1. 解锁FLASH
  2. 擦除FLASH
  3. 写入数据到FLASH
  4. 锁住FLASH

• FLASH读取数据：直接读取相应的FLASH地址即可。

先在数据手册上面查看Flash的大小以及起始和终止地址，这里是0x0800 0000 ~ 0x0801 FFFF

 

实现函数：

1、解锁。

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Unlock(void)

2、在HAL库里面给我们提供了两个函数来写Flash，一个非中断方式一个中断方式

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);
HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Program_IT(uint32_t TypeProgram, uint32_t Address, uint64_t Data);

 TypeProgram指定了写半字，全字还是双字，所以Data是一个64位的变量。实质是都是每次写16bit，由于一次只能写入16bit的数据，当要写入超过半字的数据时，非中断用的方法是在函数里等待上一次写操作完成，然后再继续写入半字，只是这里HAL库帮我们封装好了而已。

3、Flash擦除，这个函数会对整页进行擦除操作。

void FLASH_PageErase(uint32_t PageAddress);

4、Flash上锁

HAL_StatusTypeDef HAL_FLASH_Lock(void)

具体代码：

1、我们先定义一些扇区地址

2、 我们这里使用一个联合体来存储参数

3、 编写一些Flash操作函数、

4、封装我们的实现函数对参数进行一次性Flash操作

6、我们来操作一下验证一下我们的函数

现象：

我们可以看到Flash读写应该是成功了，因为我们使用的是联合体，我们先给一个参数赋值了，然后写入到Flash中，然后再次改变参数的值，然后从Flash中读取刚刚写入的值，我们可以看到，最后参数的值为我们一开始写入到Flash中的值。