STM32访问外部存储器的时序计算

具体可以参考STM32的应用笔记AN2784
此处说明时序的设置。
当使用一个外部异步存储器时，用户必须按照存储器的数据手册给出的时序数据，计算和设置下列参数：
● ADDSET：地址建立时间
● ADDHOLD：地址保持时间
● DATAST：数据建立时间
● ACCMOD：访问模式
这个参数允许 FSMC可以灵活地访问多种异步的静态存储器。共有4种扩展模式允许以不同的时序分别读写存储器。
在扩展模式下，FSMC_BTR用于配置读操作，FSMC_BWR用于配置写操作。(译注：如果读时序与写时序相同，只须使用FSMC_BTR即可。) 如果使用了同步的存储器，用户必须计算和设置下述参数：
● CLKDIV：时钟分频系数
● DATLAT：数据延时
如果存储器支持的话，NOR闪存的读操作可以是同步的，而写操作仍然是异步的。 当对一个同步的NOR闪存编程时，存储器会自动地在同步与异步之间切换；因此，必须正确地设置所有的参数。
写或读访问时序是存储器片选信号的下降沿与上升沿之间的时间，这个时间可以由FSMC时序参数的函数计算得到： 写/读访问时间 = ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK 在写操作中，DATAST用于衡量写信号的下降沿与上升沿之间的时间参数：
写使能信号从低变高的时间 = tWP = DATAST × HCLK
为了得到正确的FSMC时序配置，下列时序应予以考虑： ● 最大的读/写访问时间 ● 不同的FSMC内部延迟 ● 不同的存储器内部延迟 因此得到： ((ADDSET + 1) + (DATAST + 1)) × HCLK = max (tWC, tRC) DATAST × HCLK = tWP
DATAST必须满足：
DATAST = (tAVQV + tsu(Data_NE) + tv(A_NE))/HCLK – ADDSET – 4 下表列出了NOR闪存存储器的参数含义和数值

3 STM2扩展S29GL系列NOR Flash实例
　　3．1 S29GL系列NOR Flash简介
　　Spansion公司的S29GL系列芯片是采用90nm技术制造的高集成度NOR Flash存储芯片，提供16～128 MB可选容量，支持最快25 ns的页访问速度和11O ns的随机访问速度，带有最大64字节的写缓冲区，以提供更快、更高效的编程，是嵌入式系统设计中大容量存储器扩展的理想选择。本文选用的型号为S29GL512P，容量为512×64K字(总容量64 MB)，扩展到NOR Flash控制器管理的BANK1的第2个子BANK。
　　3．2 STM32与S29GL512P的电路连接
　　S25GL512P可通过控制引脚BYTE选择对芯片的访问单位(字／字节)，区别在于：
　　①对于芯片引脚DQ15，字模式时传送最高数据位D15；字节模式时传送最低地址A-1。
　　②字模式时，数据引脚D0～D15上传送数据信号；字节模式时，只有D0～D7上有信号。
　　此处，将BYTE上拉到高电平，选择16位的字访问单位。FSMC数据线FSMC_D[15：0]与S29GL512P的D15～D0对应连接；FSMC地址线FSMC_A[25：0]的低25根与S29GL512P的地址线A[24：0]对应连接。
　　由于S29GL512P芯片映射到BANK1的子BANK2，可确定其片选线应连接FSMC片选控制线FSMC_NE2。S29GL512P的RY／BY引脚连接FSMC的FSMC_NWAIT引脚，提供等待信号。
　　3．3 FSMC的配置
　　根据S29GL512P的映射位置，需要对FSMC_BCR2和FSMC_BTR2／BWTR2寄存器进行配置。
　　(1)FSMC_BCR2
　　配置S29GL512P的读／写采用统一时间参数，只需要设置时间寄存器FSMC_BTR2。配置存储器类型为NORFlash，数据总线宽度为16位(字)，不采用地址／数据复用，使能BANK1的子BANK2。
　　(2)FSMC_BTR2
　异步NOR Flash时序模型Mode2／B需要设置时间参数DATAST和ADDSET。根据时序图，两个参数的计算公式如下：
　

　　式中：Twc和Trc为所选存储芯片的写周期长度和读操作周期长度；Twp为所选存储芯片的写信号持续长度。根据S29GL512P用户手册，可知参数Twc=Trc=130 ns，Twp=35 ns。设STM32微控制器采用72 MHz主频，则HCLK=(1／72×10-6)s。通过上述公式计算，可取值为：DATAST=2，ADDSET=5。
　　为了达到更好的控制效果，还应考虑FSMC自身延迟问题，使用校正公式：

　　式中：TAVQV为所选存储芯片访问过程中，从地址有效至数据有效的时间域；Tsu(Data_NE)为STM32特征参数，从数据有效到FSMC_NE(片选)失效时间域；Ttv(A_NE)为STM32特征参数，从FSMC_NE有效至地址有效的时间域。
　　TAVQV=130 ns，Tsu(Data_NE)+Ttv(A_NE]=36 ns，对DATAST参数进行校正，可得DATAST=3。

为了保证较宽的兼容性，可以使用比计算结果更宽的时间限制