STM32cubemx SDRAM程序

采用W9825G6KH 这颗 SDRAM 芯片,原理图如下：

cubemx配置参数如下：

生成代码后不能立马使用，根据SDRAM芯片文档需要一个上电序列

	SDRAM_Initialization_Sequence(&hsdram1);

//发送SDRAM初始化序列
void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram)
{
    u32 temp=0;
    //SDRAM控制器初始化完成以后还需要按照如下顺序初始化SDRAM
    SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE,1,0); //时钟配置使能
    HAL_Delay(1000);                                  //至少延时200us
    SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_PALL,1,0);       //对所有存储区预充电
    SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE,8,0);//设置自刷新次数 
    //配置模式寄存器,SDRAM的bit0~bit2为指定突发访问的长度，
	  //bit3为指定突发访问的类型，bit4~bit6为CAS值，bit7和bit8为运行模式
	  //bit9为指定的写突发模式，bit10和bit11位保留位
	  temp=(u32)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          |	//设置突发长度:1(可以是1/2/4/8)
              SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL   |	//设置突发类型:连续(可以是连续/交错)
              SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3           |	//设置CAS值:3(可以是2/3)
              SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |   //设置操作模式:0,标准模式
              SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;     //设置突发写模式:1,单点访问
    SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE,1,temp);   //设置SDRAM的模式寄存器
    
    //刷新频率计数器(以SDCLK频率计数),计算方法:
	  //COUNT=SDRAM刷新周期/行数-20=SDRAM刷新周期(us)*SDCLK频率(Mhz)/行数
    //我们使用的SDRAM刷新周期为64ms,SDCLK=180/2=90Mhz,行数为8192(2^13).
	  //所以,COUNT=64*1000*90/8192-20=683
	HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1,683);

}

此后即可使用。

C文件

#include "sdram.h"
#include "sys.h"
#include "fmc.h"

//发送SDRAM初始化序列
void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram)
{
    u32 temp=0;
    //SDRAM控制器初始化完成以后还需要按照如下顺序初始化SDRAM
    SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_CLK_ENABLE,1,0); //时钟配置使能
    HAL_Delay(1000);                                  //至少延时200us
    SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_PALL,1,0);       //对所有存储区预充电
    SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_AUTOREFRESH_MODE,8,0);//设置自刷新次数 
    //配置模式寄存器,SDRAM的bit0~bit2为指定突发访问的长度，
	  //bit3为指定突发访问的类型，bit4~bit6为CAS值，bit7和bit8为运行模式
	  //bit9为指定的写突发模式，bit10和bit11位保留位
	  temp=(u32)SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1          |	//设置突发长度:1(可以是1/2/4/8)
              SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL   |	//设置突发类型:连续(可以是连续/交错)
              SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3           |	//设置CAS值:3(可以是2/3)
              SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD |   //设置操作模式:0,标准模式
              SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE;     //设置突发写模式:1,单点访问
    SDRAM_Send_Cmd(0,FMC_SDRAM_CMD_LOAD_MODE,1,temp);   //设置SDRAM的模式寄存器
    
    //刷新频率计数器(以SDCLK频率计数),计算方法:
	  //COUNT=SDRAM刷新周期/行数-20=SDRAM刷新周期(us)*SDCLK频率(Mhz)/行数
    //我们使用的SDRAM刷新周期为64ms,SDCLK=180/2=90Mhz,行数为8192(2^13).
	  //所以,COUNT=64*1000*90/8192-20=683
	HAL_SDRAM_ProgramRefreshRate(&hsdram1,683);

}


//向SDRAM发送命令
//bankx:0,向BANK5上面的SDRAM发送指令
//      1,向BANK6上面的SDRAM发送指令
//cmd:指令(0,正常模式/1,时钟配置使能/2,预充电所有存储区/3,自动刷新/4,加载模式寄存器/5,自刷新/6,掉电)
//refresh:自刷新次数
//regval:模式寄存器的定义
//返回值:0,正常;1,失败.
u8 SDRAM_Send_Cmd(u8 bankx,u8 cmd,u8 refresh,u16 regval)
{
    u32 target_bank=0;
    FMC_SDRAM_CommandTypeDef Command;
    
    if(bankx==0) target_bank=FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK1;       
    else if(bankx==1) target_bank=FMC_SDRAM_CMD_TARGET_BANK2;   
    Command.CommandMode=cmd;                //命令
    Command.CommandTarget=target_bank;      //目标SDRAM存储区域
    Command.AutoRefreshNumber=refresh;      //自刷新次数
    Command.ModeRegisterDefinition=regval;  //要写入模式寄存器的值
    if(HAL_SDRAM_SendCommand(&hsdram1,&Command,0X1000)==HAL_OK) //向SDRAM发送命令
    {
        return 0;  
    }
    else return 1;    
}

//在指定地址(WriteAddr+Bank5_SDRAM_ADDR)开始,连续写入n个字节.
//pBuffer:字节指针
//WriteAddr:要写入的地址
//n:要写入的字节数
void FMC_SDRAM_WriteBuffer(u8 *pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
{
	for(;n!=0;n--)
	{
		*(vu8*)(Bank5_SDRAM_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
		WriteAddr++;
		pBuffer++;
	}
}

//在指定地址((WriteAddr+Bank5_SDRAM_ADDR))开始,连续读出n个字节.
//pBuffer:字节指针
//ReadAddr:要读出的起始地址
//n:要写入的字节数
void FMC_SDRAM_ReadBuffer(u8 *pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
{
	for(;n!=0;n--)
	{
		*pBuffer++=*(vu8*)(Bank5_SDRAM_ADDR+ReadAddr);
		ReadAddr++;
	}
}

H文件

#ifndef _SDRAM_H_
#define _SDRAM_H_
#include "sys.h"
#include "stm32f4xx_hal.h"
#include "fmc.h"
#ifndef _SDRAM_H
#define _SDRAM_H
#include "sys.h"
 	

#define Bank5_SDRAM_ADDR    ((u32)(0XC0000000)) //SDRAM开始地址

//SDRAM配置参数
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_1             ((u16)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_2             ((u16)0x0001)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_4             ((u16)0x0002)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_LENGTH_8             ((u16)0x0004)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_SEQUENTIAL      ((u16)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_BURST_TYPE_INTERLEAVED     ((u16)0x0008)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_2              ((u16)0x0020)
#define SDRAM_MODEREG_CAS_LATENCY_3              ((u16)0x0030)
#define SDRAM_MODEREG_OPERATING_MODE_STANDARD    ((u16)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_PROGRAMMED ((u16)0x0000)
#define SDRAM_MODEREG_WRITEBURST_MODE_SINGLE     ((u16)0x0200)



void SDRAM_MPU_Config(void);
u8 SDRAM_Send_Cmd(u8 bankx,u8 cmd,u8 refresh,u16 regval);
void FMC_SDRAM_WriteBuffer(u8 *pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n);
void FMC_SDRAM_ReadBuffer(u8 *pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n);
void SDRAM_Initialization_Sequence(SDRAM_HandleTypeDef *hsdram);
#endif

#endif

如果需要更加优化可以采用原子的方式，使用申请内存、释放内存的方式