N沟道增强型场效应晶体管NCE75H11

N沟道增强型场效应晶体管NCE75H11_第1张图片

  NCE75H11采用先进的沟槽技术和设计,以低栅荷提供优良的rds(ON)。它可以用于各种各样的应用。

 

 


  产品型号:NCE75H11

  产品种类:MOSFET

  产品特性:N沟道增强型场效应晶体管

  漏源极击穿电压(最大):75V

  连续漏极电流(最大):110A

  功率耗散(最大):210W

  栅源极击穿电压:25V

  漏源导通电阻(典型值)(10V):7.5mΩ

  封装:TO-220

 

 


  一般特征:

  VDS=75V,ID=110A

  RDS(ON)<9mΩ@VGS=10V(Typ:7.5mΩ)

  特殊工艺,具有高ESD能力

  超低Rdson高密度电池设计

  充分表征雪崩电压和电流

  稳定性好,均匀性好,EAS值高

  优异的散热包装

 

 


  应用程序:

  电源开关应用

  硬开关高频电路

  不间断电源

 

 


  典型应用电路图:

N沟道增强型场效应晶体管NCE75H11_第2张图片


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