反向恢复电压200V一下,电流大点一般几A(能够正向导通电流大)恢复时间很快,肖特基二极管
(其中IN4148,, 100V反向耐压和150mA平均正向电流,非常适合一般场合做普通整流用
主要是肖特基二极管恢复时间快,可以用在高速开关电路中,但是参数电压,电流都不高。
反向恢复电压可高达1200V,电流有的高达10A(能够正向导通电流大)恢复时间比肖特基快,碳化硅肖特基二极管
反向恢复电压可高达1200V,电流可以高达30A,恢复时间75ns,(恢复时间,4中最慢)快速恢复二极管(Fast Recovery Diode)
反向恢复电压可高达1200V,电流可以高达30A,恢复时间35ns,(恢复时间比快速恢复提高)超快恢复二极管(Super fast Recovery Diode)
Silicon Carbide Schottky Diode 碳化硅肖特基二极管
所以选择二极管,1,反向耐压值2,二极管正向过流值 3,二极管反向恢复时间
基本上4中管子,各有各的优点(碳化硅肖特基二极管,肖特基二极管,超快恢复二极管,快恢复二极管)
VRRM= 1200 V
指反向重复峰值电压(也称反向浪涌电压, peak repetitive reverse voltage),
If = 5 A
二极管正向过流能力
Qc =34.5 nC
其中 Qc是指定电压下,总的肖特基二极管结电荷,
正向导通电流和电压
IF forward current - - 120 mA 正向导通电流
VRRM repetitive peak reverse voltage--40V 反向电压最大峰峰值40V
VF forward voltage IF=1mA [1] - - 370 mV 正向导通电压
IFSM non-repetitive peak forwardcurrentsquare wave;tp<10ms- 200 mA
快速恢复二极管:封装TO-220,,反向最大电压1200V,最大电流 30A
RHRP30120
RURP30120
RHRG30120
快速恢复二极管:封装TO-220,,反向最大电压600V,最大电流 30A
RHRP3060
RURP3060
RHRG3060
碳化硅肖特基二极管:封装TO-220,,反向最大电压1200V,最大电流 10A
C2D10120
CSD10120
碳化硅肖特基二极管:封装TO-220,,反向最大电压600V,最大电流 10A
C3D10060
CSD10060
二极管反向恢复时间
二极管在接反向电压的时候,在两边的空穴和电子是不接触的,没有电流流过,但是同时形成了一个等效电容,如果这个时候改变两边的电压方向,自然有一个充电的过程,这个时间就是二极管反向恢复时间。用示波器可以看到结电容的充电时间的。实际上是由电荷存储效应引起的,反向恢复时间就是存储电荷耗尽所需要的时间。
实际的意义在于:该过程使二极管不能在快速连续脉冲下当做开关使用。如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短,则二极管在正、反向都可导通,起不到开关作用。因此了解二极管反向恢复时间对正确选取二级管和合理设计电路非常重要。(ts称为储存时间, tf称为下降时间。tr= ts+ tf称为反向恢复时间,)
通俗的说就是在二级管两端加上一定频率的交流电后,二极管不断的在导通和截止这两种状态切换,这种作用就相当与一个开关。
反向恢复时间就是二极管由导通状态到截止状态需要的时间,这个转换状态相当于短路,会产生一个大电流,如果恢复时间,很长管子产生大量的热被烧坏。
一般普通整流二极管是没有这个参数的,如果是快恢复二极管,这个参数一般是小与75ns