耦合与隔直电容的选取

耦合与隔直电容串联在电路中，耦合电容选择适当能将保证射频能量得到最大限度的传输。一个实际电容能否满足电路耦合要求，取决于随频率变化的电容相关参数：串联谐振频率FSR、并联谐振频率FPR、纯阻抗、等效串联电阻ESR、插入损耗IL和品质因数Q。


ATC耦合电容有关参数如下：

其中，瓷介质电容ATC100A101（100pF）的FSR=1GHz，ESR=0.072Ω，其Z-F曲线如下图所示：

ATC100A101（100pF片式电容，水平安装，电容极板平行于线路板）插损与频率关系如下图：

由上图可知，在200MHz~1.5GHz之间，电容插损＜0.1dB；若将电容垂直安装，即电容极板垂直于线路板，就能压制1.6GHz处的并联谐振窗口，电容的可用范围扩展到2.4GHz左右。所以改变安装取向可扩展电容的适用频率范围，用于宽带耦合电路。

隔直电容取值：（旁路电容也按此取值）
100MHz取1000pF
400MHz取100pF
900MHz取33pF
1.2GHz取10pF
2.5GHz取5pF
10GHz取1~2pF
0.8pF 大于2GHz采用陶瓷微波芯片电容

100kHz信号用0.01uf电容测的输出为-5dbm，换成0.1uf的，输出为5dBm。 除满足x=1/wc外，频率太高时要考虑q值，要用高q值微波电容 微波去耦电容也有用微带线设计，有扇形，有方形，尺寸和工作频率相关.

经验值：几十M或是两三百的用1000p，910p或是七八百的都没问题，一两个G的用100p左右的，两百也可以。频率高到十几几十个G的时候就大概一个G一个p，比如18G 就用18p.

在射频电路中，该电容通常放在模块的输入与输出端，因此也称耦合电容。隔直电容的选择以减小射频信号损耗为原则，理论上容值越大越好（与容抗成反比），实际应用中因电容的加工工艺以及材质的影响，带宽较难兼顾。所以通常以小于所使用电路中的输入输出阻抗10倍以上选用相应容值。