耦合与隔直电容的选取

耦合与隔直电容串联在电路中,耦合电容选择适当能将保证射频能量得到最大限度的传输。一个实际电容能否满足电路耦合要求,取决于随频率变化的电容相关参数:串联谐振频率FSR、并联谐振频率FPR、纯阻抗、等效串联电阻ESR、插入损耗IL和品质因数Q。
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ATC耦合电容有关参数如下:
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其中,瓷介质电容ATC100A101(100pF)的FSR=1GHz,ESR=0.072Ω,其Z-F曲线如下图所示:
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ATC100A101(100pF片式电容,水平安装,电容极板平行于线路板)插损与频率关系如下图:
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由上图可知,在200MHz~1.5GHz之间,电容插损<0.1dB;若将电容垂直安装,即电容极板垂直于线路板,就能压制1.6GHz处的并联谐振窗口,电容的可用范围扩展到2.4GHz左右。所以改变安装取向可扩展电容的适用频率范围,用于宽带耦合电路。
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隔直电容取值:(旁路电容也按此取值)
100MHz取1000pF
400MHz取100pF
900MHz取33pF
1.2GHz取10pF
2.5GHz取5pF
10GHz取1~2pF
0.8pF 大于2GHz采用陶瓷微波芯片电容
这里写图片描述
100kHz信号用0.01uf电容测的输出为-5dbm,换成0.1uf的,输出为5dBm。 除满足x=1/wc外,频率太高时要考虑q值,要用高q值微波电容 微波去耦电容也有用微带线设计,有扇形,有方形,尺寸和工作频率相关.

经验值:几十M或是两三百的用1000p,910p或是七八百的都没问题,一两个G的用100p左右的,两百也可以。频率高到十几几十个G的时候就大概一个G一个p,比如18G 就用18p.

在射频电路中,该电容通常放在模块的输入与输出端,因此也称耦合电容。隔直电容的选择以减小射频信号损耗为原则,理论上容值越大越好(与容抗成反比),实际应用中因电容的加工工艺以及材质的影响,带宽较难兼顾。所以通常以小于所使用电路中的输入输出阻抗10倍以上选用相应容值。

 

 

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