cubemx STM32的FLASH内存读写
cubemx STM32的FLASH内存读写
Flash是用于存储数据的存储器。
STM32系列的命名规则
Flash内部结构组织
将一个存储器划分为多个（扇区、块）区域，更方便的编程管理这些存储单元。不同类型存储器的划分方式不同，有的以页为最小单元，有的以扇区为最小单元，但大部分都以扇区为最小单元。
页（Page）< 扇区（Sector） < 块（Block）< 芯片（Chip）
页
Flash存储器中一种区域划分的单元，好比一本书中一页（其中包含N个字）。
扇区
扇区和页类似，也是一种存储结构单元，只是扇区更常见，大部分Flash主要还是以扇区为最小的单元。
块
比扇区更高一个等级，一般1块包含多个扇区。
小容量产品是指闪存存储器容量在16K至32K字节之间的STM32F101xx、STM32F102xx 和STM32F103xx微控制器。
中容量产品是指闪存存储器容量在64K至128K字节之间的STM32F101xx、STM32F102xx 和STM32F103xx微控制器。
大容量产品是指闪存存储器容量在256K 至 512K 字节之间的STM32F101xx 和 STM32F103xx微控制器。
按照不同容量，存储器组织成32个1K字节/页(小容量)、128个1K字节/页(中容量)、256个2K字 节/页(大容量)的主存储器块和一个信息块
无论用什么型号的STM32芯片对FLASH的操作只有4步
1.解锁FLASH
2.擦除FLASH
3.写入数据到FLASH
4.锁住FLASH
特别注意的是 FLASH读取数据直接读取相应的FLASH地址即可
要想选定安全的Flash地址进行读写，可以根据自己的STM32 MCU型号，查找数据手册，确定FLASH的地址区段，因为起始段会存储代码，所以一定要避开起始段，以避免数据错误。
对于CUBEMX的界面操作就是基本的创建就可以了，对于FLASH操作主要是在代码中进行操作。
打开串口以便观察数据是否正确，打开DMA
串口编写（串口不是重点，所以在这里只是简单的介绍）
我用的是STM32F103RB属于中容量，我将数据写入0x0801fc00是最末尾的扇区防止与代码冲突导致不必要的错误。
/* USER CODE BEGIN PTD */
uint32_t writeFlashData = 0x12345678; //写入的数据内容
uint32_t addr = 0x0801fc00; //写入的起始位置
/* USER CODE END PTD */
/* USER CODE BEGIN 0 */
//FLASH写入数据测试
void writeFlashTest(void)
{
//1、解锁FLASH
HAL_FLASH_Unlock();
//2、擦除FLASH
//初始化FLASH_EraseInitTypeDef
FLASH_EraseInitTypeDef f;
f.TypeErase = FLASH_TYPEERASE_PAGES;//页擦除
f.PageAddress = addr; //擦除地址
f.NbPages = 1; //擦除页数
//设置PageError
uint32_t PageError = 0; //设置PageError,如果出现错误这个变量会被设置为出错的FLASH地址
//调用擦除函数
HAL_FLASHEx_Erase(&f, &PageError);
//3、对FLASH烧写
HAL_FLASH_Program(TYPEPROGRAM_WORD, addr, writeFlashData);
//4、锁住FLASH
HAL_FLASH_Lock();
}
//FLASH读取数据测试
void printFlashTest(void)
{
uint32_t temp = *(__IO uint32_t*)(addr); //寻址操作，读取addr为起始位置的值
printf("addr:0x%x, data:0x%x\r\n", addr, temp); //打印出该位置的值
}
/* USER CODE BEGIN WHILE */
writeFlashTest();
printFlashTest();
HAL_Delay(5000);
/* USER CODE END WHILE */
/* USER CODE END 0 */
可以看到我内存的数据被改写成自己的数据
可以清晰的看到我代码储存起始位置和给代码分配的储存空间，只要不放在这个位置基本上是没问题的.
1、Flash解锁、锁定函数
void FLASH_Unlock(void); //解锁函数：在对Flash操作之前必须解锁
void FLASH_Lock(void); //锁定函数：同理，操作完Flash之后必须重新上锁
2、Flash写操作函数
FLASH_Status FLASH_ProgramWord(uint32_t Address, uint32_t Data); //32位字写入函数
FLASH_Status FLASH_ProgramHalfWord(uint32_t Address, uint16_t Data); //16位半字写入函数
FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data); //用户选择字节写入函数
3、Flash擦除函数
FLASH_Status FLASH_ErasePage(uint32_t Page_Address);
FLASH_Status FLASH_EraseAllPages(void);
FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void);
4、获取Flash状态
FLASH_Status FLASH_GetStatus(void);
typedef enum {
FLASH_BUSY = 1, //忙
FLASH_ERROR_PG, //编程错误
FLASH_ERROR_WRP, //写保护错误
FLASH_COMPLETE, //操作完成
FLASH_TIMEOUT //操作超时
}FLASH_Status;
5、等待操作完成函数
FLASH_Status FLASH_WaitForLastOperation(uint32_t Timeout);
*(__IO uint32_t*)(addr) --addr为内存的地址
主要使用的结构体
typedef struct
{
uint32_t TypeErase; //页擦除和块擦除
uint32_t Banks; //选择擦除的bank区域
uint32_t Page; //擦除的起始页
uint32_t NbPages; //要擦除的页数
} FLASH_EraseInitTypeDef;
擦除
FLASH_TYPEERASE_PAGES按页擦除
FLASH_TYPEERASE_MASSERASE MASSERASE
烧写
FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD 单次8个字节的方式
FLASH_TYPEPROGRAM_FAST 单次32行8个字节的方式
FLASH_TYPEPROGRAM_FAST_AND_LAST 单次32行8个字节的方式