嵌入超低含量ZnO量子点ZnOQDs@C复合材料，水溶性近红外 PbS 量子点，CulnS2-ZnS近红外量子点（科研用）

嵌入超低含量ZnO量子点ZnOQDs@C复合材料，水溶性近红外 PbS 量子点，CulnS2-ZnS近红外量子点（科研用）
近日，电子科技大学吴孟强教授团队与阿卜杜拉国王科技大学黄岗博士联合报道了一种嵌入超低含量ZnO量子点的纳米片状多孔碳作为高性能锂电池负极材料。测试结果表明，ZnOQDs@C显示出超高的比容量，0.2 A g-1电流密度下的放电比容量高达到2300 mAh g-1；5 A g-1条件下循环3000圈依然有700 mAh g-1的比容量，而具有较高ZnO含量的ZnO@C复合材料和无ZnO的纯活性碳材料均无法达到这样的优异性能。分析表明，超大比表面积和微含量ZnO QDs掺杂的协同效应共同提升了ZnOQDs@C材料的电化学性能。
含量子点的复合电极材料的虽然已被大量报道，但关于量子点如何影响碳材料的电化学储锂性能仍然有几个关键性问题需要被进一步探索：(1)对于量子效应导致的性能改善，目前还没有合理的解释；(2) Li存储性能与量子点含量的关系尚不清楚，特别是在量子点含量极低的情况下；(3)迫切需要一种简便而有效的方法可控制备量子点/碳复合材料。在此，作者报道了一种新颖可控制备微量ZnO量子点嵌入多孔碳纳米薄片的新方法。所制备复合材料的大孔隙率和高比表面积为Li+提供了快速的迁移通道和丰富的存储场所。同时，嵌入的微量ZnO QDs在非晶C结构周围一定区域产生活性电子和空穴，增加了Li+在电极材料中的迁移率和存储位置。
ZnOQDs@C复合材料的制备
以乙酰丙酮锌为原料，当将其加入乙二醇溶液中会发生缩醛反应，释放出Zn2+。这些Zn2+随后会与模板剂1,2,3,4-丁烷四羧酸配位，得到含Zn2+的有机配位结构前躯体材料。在高温煅烧过程中，含Zn2+的官能团生成ZnO，随后ZnO被C还原为Zn，而Zn又可在高温下升华，留下大量孔洞，形成了多孔结构。此外，多孔碳材料内还会残余微量的ZnO量子点，形成ZnOQDs@C复合材料。分别在1000℃、1100℃、1200℃下高温处理前躯体材料，得到样品S1000、S1100和S1200。

▲图1. ZnOQDs@C复合材料的制备流程示意图。
(A)结构变化示意图；(B)化学反应原理示意图。

(A-B) S1100的SEM图像；(C-D) S1100的TEM图像；(E-F) S1100的HRTEM图像。
作者随后对ZnOQDs@C材料进行了定性和定量分析。从XRD图谱中可知，ZnO的峰强随着煅烧温度的升高逐渐减弱，这说明ZnO的含量可通过煅烧温度进行调控。XPS分析结果表明ZnO的含量随刻蚀深度的增加逐渐升高。在20nm刻蚀深度下，Zn表现出高达1.58%的原子比，说明ZnO QDs主要分布于复合材料的内部。从氮气吸脱附等温曲线可以看出S1100和S1200的比表面积皆大于2000 m2 g-1，而S1000的比表面积相对较小。三个样品的孔径大多分布于2nm左右，非常有利于增加赝电容的容量贡献。通过建立比表面积、Zn含量、温度三个参数的关系发现，室温到800℃，材料比表面积缓慢增；800℃到1100℃材料比表面积急剧增加，但伴随着Zn含量的急剧下降，这证明Zn元素的升华直接导致了材料比表面积的增大，并随着温度升高较终趋于稳定。

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近红外 PbS 量子点
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 1300±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 1300±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 1200±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 1200±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 1100±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 1100±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 900±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 1000±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 1000±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 900±50 nm
水溶性近红外 PbS 量子点 -发射峰位置 900±50 nm
近红外量子点主要有以下三种：
核/壳结构的量子点(CdTe/CdSe，CdSe/CdTe/ZnSe等)
三元量子点(Cu-In-Se, CuInS,等)
掺杂型量子点(Cu; InP等)三种不同类型近红外量子点
核/壳结构的量子点CdTe/CdSe
合金结构：CdTeS, CdTex Se1-x和CdHgTe
环保友好型：CulnS, CulnSe2, Ag2S 等量子点
近红外PbS、Ag2S量子点
近红外PbS量子点
近红外Ag2S量子点
PbSe量子点近红外
表面油酸修饰近红外PbS量子点
表面正十二硫醇修饰近红外Ag2S量子点
提供不同表面基团、溶剂、浓度、780-1600nm间任一发射波长的近红外PbS量子点
850nm-1250nm间任一发射波长的近红外Ag2S量子点
PbS@CdS近红外量子点
CdHgTe近红量子点（600～1350nm）
近红外二区Ag2S量子点
近红外合金和核壳结构量子点 CdSeTe, CdTe/CdS/ZnS, PbSe, HgTe量子点
CdTe/CdS近红外量子点
近红外Ag2S硫化银量子点
L-半胱氨酸-包覆的CdTe/CdSe (CYS-CdTe/CdSe)近红外量子点
双色荧光(蓝色、近红外)Ag2S-ZnS量子点
三色荧光(蓝色、橙色、近红外)Mn掺杂Ag2S-ZnS量子点
磁共振/近红外二区荧光双模态成像纳米探针(Gd-Ag2S nanoprobe)
高质量CdTe/CdS近红外量子点
QD700（荧光发射波长为700nm的量子点）偶联叶酸（FA）制得QD700-FA探针
Ald/DOX@Ag2S
近红外1400~1650 nm的硫化铅(PbS)量子点掺杂光子晶体光纤(QD-PCF)
近红外区核/壳型PbS/CdS量子点
N-乙酰-L-半胱氨酸(NAC)修饰水溶性近红外发射PbS量子点
含有近红外发光的Ag2S、Ag2Se或Ag2Te量子点
CulnS2量子点敏化TiO2纳米棒
CulnS2-ZnS近红外量子点
CulnS2/Mo/glass
近红外发光Ag2S-CdS核壳结构水溶性量子点
Angiopep-2修饰的Ag2S量子点
小粒径近红外Ag2Se量子点
超小尺寸水溶性近红外Ag2S量子点
近红外荧光Ag2S量子点
Ag2S量子点及Ag2S-PEG量子点近红外二区成像探针
Ag2S量子点(荧光发射波长为1200nm)
C3N4量子点
单分散g-C3N4量子点修饰一维棒状BiPo4微晶
g-C3N4量子点
Ag量子点敏化BiVO4
树叶状BiVO4纳米结构上附着Ag量子点
石墨相氮化碳量子点g-C3N4
Zn-AgIn5S8/g-C3N4量子点/纳米片复合物
石墨相氮化碳量子点(C3N4-R)
氟掺杂石墨相氮化碳量子点(F-C3N4-R)
MoS2/g-C3N4复合材料
g-C3N4量子点负载钨酸铋纳米片
g-C3N4量子点/TiO2纳米线
超小量子点的g-C3N4修饰的氧化钛纳米管
黑磷量子点/g-C3N4复合光催化剂
不同Cu含量的Cu2O 量子点负载g-C3N4光催化剂
TiO2量子点修饰使g-C3N4
g-C3N4量子点修饰的MoO3/TiO2复合膜
超细的石墨相C3N4(g-C3N4)量子点修饰的氧化钛纳米管
(g-C3N4/Ti O2-NTAs)
高分散性g-C3N4量子点
g-C3N4量子点负载二氧化钛纳米颗粒
g-C3N4/碳量子点复合
Mn掺杂ZnS量子点
Mn掺杂CdTe量子点
Mn掺杂C3N4量子点
g-C3N4量子点沉积在所述NiCo2O4空心球
石墨烯/g-C3N4量子点复合纳米粒子
CdS量子点/超薄g-C 3 N 4 纳米片
量子点g-C3N4/碳氮化合物复合材料
罗丹明B(RhB)修饰g-C3N4量子点
g-C3N4负载在Fe2O3
CdTe量子点修饰到石墨相氮化碳(g-C_3N_4)表面
g-C3N4修饰碳量子点(CQDs)、氧化石墨烯(RGO)和纳米氧化铟锡颗粒(ITONPs)
g-C3N4/ITO/W02.72
g-C3N4//RGO/W02.72
g-C3N4/CQDs/WO2.72
Cu掺杂量子点
Cu-ZnCdS/ZnS 量子点
油溶性Cu掺杂ZnCdS 量子点 PL 480 nm–620 nm
油溶性Cu掺杂ZnInS 量子点PL500nm–700nm
油溶性Mn掺杂 量子点 PL 580 nm–600 nm（磷光量子点）
油溶性Cu,Mn共掺杂 量子点 光转换材料
Cu掺杂对ZnO量子点光致发光
Cu,In:CdS双掺杂量子点
Cu掺杂的ZnSe量子点
Cu,Mn掺杂 量子点
铜掺杂对硒化锌量子点
Cu 离子掺杂 Cu:ZnSe 量子点
水相体系中CdSe:Ag及ZnSe:Cu掺杂量子点
尺寸连续变化的ZnSe:Cu掺杂量子点
量子点荧光发射范围从463nm覆盖到了518nm
铜掺杂硫化锌量子点Cu-ZnS QDs
Cu掺杂ZnInS和ZnCdS量子点
绿光ZnInS∶Cu量子点
红光ZnCdS∶Cu量子点
硫脲修饰ZnSe:Cu量子点
硫脲(CH4N2S)对其进行表面修饰ZnSe:Cu量子点
ZnS:Mn量子点
ZnS:Mn/ZnS核/壳结构量子点
3-巯基丙酸通过巯基修饰量子点
尿酸修饰ZnS:Cu/ZnS核壳量子点
MPA-ZnS:Cu/ZnS核壳量子点
甲基紫修饰ZnS:Mn/ZnS和ZnS:Cu/ZnS量子点
Cu掺杂的InP@ZnSe+ZnS核壳量子点
Cu-Mn双掺杂ZnS量子点溶液
碲化锌包覆Cu掺杂ZnSe量子点
碲化锌包覆的铜掺杂硒化锌量子点
水性Cu:ZnCdS量子点
Cu:ZnCdS量子点外延包覆ZnS壳层
Cu:ZnCdS/ZnS核壳量子点
发光波长从450 nm连续变化到810 nm的Cu:Zn-In-S/ZnS量子点
Ni掺杂的Cu2ZnSnS4量子点
Zn1-xCdxS:Cu掺杂量子点
硬脂酸包覆CdS:Mn、Zn1-xCdxS:Cu掺杂量子点
Cu掺杂的CdxCu1-xTe量子点
水溶性近红外发射的Cu掺杂CdS量子点
Cu掺杂硅量子点
水溶性Cu掺杂的Cu:CdTe量子点
Cu掺杂硒化物多元合金量子点
Cu:Zn-In-S量子点
氧化锌ZnO量子点
ZnO近紫外发射（发射波长380-400nm）
水溶性ZnO量子点
ZnO球形量子点
PMMA修饰氧化锌ZnO量子点QDs
PVB-ZnO/CdS复合膜纳米粒子
ZnO量子点/有机硅纳米复合材料
氧化锌ZnO量子点-环氧树脂复合材料
ZnO@GQDs核壳结构量子点
ZnO/CdSe@ZnS量子点荧光探针
ZnO/PEMA量子点复合材料
ZnO量子点/氧化石墨烯复合材料
氨基修饰的ZnO量子点(ZnO QDs)
NH2@ZnO QDs
巯基修饰的ZnO量子点(SH-ZnO QDs)
ZnO@(PAA-PEGFA)核/壳纳米粒子(量子点为核,聚合物为壳)
3-巯丙基三乙氧基硅烷包覆ZnO量子点
SiO2包覆的水溶性ZnO蓝色荧光量子点
SiO2直接包覆的ZnO量子点
ZnO量子点表面修饰巯基乙酸
水溶性荧光氧化锌量子点(ZnO-QDs)
水相法制备出的Mn:ZnSe量子点
ZnO宽禁带半导体量子点
室温高功率激光发射量子点-ZnO
Si02/Si衬底上生长ZnO量子点
蓝宝石衬底生长ZnO量子点
抛光Si（001）晶片生长ZnO量子点
水溶性SiO2包覆ZnO的量子点
正硅酸乙酯沉积包覆SiO2的ZnO量子点
CuO表面修饰ZnO量子点
稀土Sm3+掺杂ZnO量子点
Ag/ZnO量子点复合薄膜
ZnO/MgZnO量子点
磷掺杂生长ZnO量子点
乙二胺介导的ZnO量子点
ZnO量子点修饰尿酸分子
MAA巯基乙酸修饰ZnO量子点
乙醇溶液中制备出ZnO量子点
Cu掺杂ZnO量子点
PEG修饰的ZnO量子点
PEG(聚乙二醇,Mw=2000)修饰的氧化锌量子点
Gd_(3+)/Yb(3+)掺杂ZnO量子点
PVP分散制备ZnO量子点
非晶石英衬底上立方ZnMgO基体中制备六方ZnO量子点
以γ-氨丙基三乙氧基硅烷(ATPES)为表面修饰剂水溶性的ZnO量子点
负载ZnO量子点的细菌纤维素BC复合膜
CuO/ZnO量子点异质结
牛血清白蛋白(BSA)修饰水溶性ZnO量子点(QDS)
BSA@QDS
核/壳结构ZnO量子点
ZnO量子点/环氧树脂复合材料
氧化锌量子点(ZnO QDS)包覆胶体介孔二氧化硅纳米粒(CMS)
氧化锌量子点ZnO负载药物阿霉素(DOX)
氧化锌量子点ZnO负载药物紫杉醇、喜树碱
Mg掺杂ZnO量子点
乙烯基乙烯基三乙氧基硅烷(A151)改性ZnO量子点
ZnO-A量子点
荧光量子点的修饰
发紫光、绿光、红/红外光量子点
发紫光量子点
PAMAM树形分子模板法原位合成发紫光CdS量子点
发紫光的钙钛矿量子点/介孔二氧化硅复合荧光粉
紫光发射的无铅Cs3Sb2Br9量子点
无铅Cs3Sb2Br9量子点(QD)的电致紫光发射(408 nm)
CsPbCl3发射紫光量子点
ZnS和ZnSe 内核的发射光谱为兰紫光量子点
发蓝紫光的CdxZn1-xSe量子点
发蓝紫光的ZnO量子点
紫外光发射自组装GaN量子点
青霉胺@Ag量子点
TGA@Cd Te量子点
硫(S)原子掺杂的石墨相氮化碳(g-C3N4)6量子点
发紫外光、紫光或蓝光的ZnO量子点
Mn2+掺杂的CdSe量子点
ZnO/MgO核壳量子点
紫外光发射的CdTe/CdS核壳量子点
Pb Se量子点（紫外光发射）

绿光量子点
pH响应的蓝绿光碳量子点
发绿光的量子点CdTe
CdxZn1-xSeyS1-y绿光量子点
发蓝光和绿光的碳量子点
CsPbBr3量子点光致发光呈绿光
钙钛矿量子点(红光/绿光/蓝光)
蓝到绿光发射、均匀合金化核的核壳量子点
合金化的硒硫化镉量子点(CdSexS1-x)为核、以CdS为壳
CdSexS1-x/CdS量子点，其中x＝0.05-0.60
绿色CdSe@ZnS合金量子点
核壳结构的绿光 InP/ZnS量子点
蓝绿色发光的CdSexS(1-x)合金量子点
高质量ZnCdS蓝色发光量子点
CuInS2/ZnS量子点
水溶性发光的AgInS/ZnS量子点
3.2nm的ZnCuInS/ZnS核壳量子点
CdTe量子点修饰的ZnO纳米棒/GaN
绿色掺杂型ZnS量子点
ZnCuInS/ZnSe/ZnS量子点
Ag-In-Zn-S绿色四元量子点
高发光分散性较好的ZnSe/ZnS核壳量子点（绿色荧光）
CdS-ZnS核-壳结构量子点/聚酰胺-胺(PAMAM)量子点
绿色到近红外发光的高质量CdTe量子点
合金CdSexTe1-x量子点
Cd掺杂ZnO量子点（绿色荧光）

红外光量子点
近红外荧光量子点：
近红外荧光量子点(Near-infrared fluorescent quantum dots,NIRF-QDs)
发射波长为800 nm近红外荧光量子点
多波长近红外荧光量子点
近红外发光量子点DMPS-CdTeQDs
L-半胱氨酸(L-Cys)的比例,在水相快速合成了近红外CdTe量子点
Ag2S近红外量子点
三元CdxPb1-xSe量子点
肽段连接的近红外荧光量子点(QDs)
近红外荧光量子点标记的羟基磷灰石
近红外发光的Ag2S、Ag2Se或Ag2Te量子点
近红外发光Ag2S-CdS核壳结构水溶性量子点
红外量子点CdTe
近红外1400~1650 nm的硫化铅(PbS)量子点掺杂光子晶体光纤(QD-PCF)
红外高质量的InAs量子点
红光Sn量子点
近红外量子点InP/ZnS
CdSe/ZnSe红外量子点
近红外PbS量子点
近红外荧光Ag2S量子点
水溶性CdTe/CdS近红外量子点
氮掺杂碳酸氧铋(N-Bi_2O_2CO_3,N-BOC)/硒化镉量子点(CdSeQDs)
PbSe量子点近红外量子点
Ag掺杂HgS量子点
pH调谐的近红外量子点（Ag掺杂HgS）
CdTe的II型水溶性近红外量子点
高质量、水溶性、Ⅱ型CdTe/CdSe核壳近红外量子点
CdTe/CdS@ZnS-SiO2近红外量子点
CdTe/CdS/ZnS近红外量子点
CdTe/CdS小核厚壳近红外量子点

WSe2单层量子点
WSe2 单层量子点溶液30ml
WSe2单层量子点粉末100mg
二硒化钨量子点(WSe2 QDs)粉末
二硒化钨量子点(WSe2 QDs)溶液
层状超小二硒化钨量子点(WSe2 QDs)溶液
氨基化二硒化钨量子点(NH2-WSe2 QDs)
巯基修饰二硒化钨量子点(SH-WSe2 QDs)
羧基修饰二硒化钨量子点(COOH-WSe2 QDs)
PEG修饰WSe2单层量子点
氨基酸修饰二硒化钨量子点(WSe2 QDs)
单分散水溶性单层二硒化钨量子点(WSe2 QDs)
二硒化钨量子点负载的周期性介孔有机硅纳米载药复合物
二硒化钨量子点负载喜树碱CPT
二硒化钨量子点负载阿霉素DOX
二硒化钨量子点负载紫杉醇PTX
黑磷量子点
黑磷量子点（BPQDs）
黑磷烯量子点
脂质体包裹黑磷量子点liposome-BPQDs
PEG修饰黑磷量子点
氨基修饰黑磷量子点（BPQDs-NH2）
羧基修饰黑磷量子点（BPQDs-COOH）
巯基修饰黑磷量子点（BPQDs-SH）
NHS活化脂修饰黑磷量子点（BPQDs-NHS）
马来酰亚胺功能化黑磷量子点（BPQDs-MAL）
炔基功能化黑磷量子点（BPQDs-Alkyne）
叠氮功能化黑磷量子点（BPQDs-N3）
DBCO功能化黑磷量子点
叶酸修饰黑磷量子点BPQDs-FA
多肽修饰的黑磷量子点（BPQD-RGD）
黑磷量子点掺杂的ZnO纳米粒子(BPQDs@ZnO)
葡聚糖修饰黑磷纳米片/量子点
壳聚糖修饰黑磷量子点/纳米片
半乳糖修饰黑磷量子点/纳米片
甘露糖修饰黑磷量子点/纳米片
负载黑磷量子点的红细胞膜纳米囊泡(BPQD-EMNVs)
黑磷烯量子点修饰的石墨烯薄膜
黑磷量子点/g-C3N4复合光催化剂
黑磷和量子点结合分子印迹技术的荧光传感材料(BPS-QDs@MIP)
石墨烯/黑磷量子点/含氮离子液体复合气凝胶
PLGA/黑磷量子点复合材料
黑磷量子点掺杂的ZnO纳米粒子(BPQDs@Zn O)
黑磷量子点修饰纳米金棒
黑磷量子点/g-C_3N_4复合光催化剂
叶酸修饰黑磷纳米片BPS-FA
四氟硼酸盐或4-甲氧基重氮苯修饰黑磷纳米片
石墨烯与黑磷量子点复合材料
黑磷量子点/碳化钛纳米片复合材料
黑磷量子点修饰碳纳米管
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