IXFP4N100参数及代换型号 数据表(PDF)中文资料

IXFP4N100参数及代换KNX41100A

N沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V,漏极电流最大值为2A,可替换2sk119,主适用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩,光伏逆变器等辅助电源。

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KNX41100产品特征:

符合RoHS

RDS(ON).typ=9.6Ω@VGS=10V

低栅极充电可尽量减少开关损耗

快速恢复体二极管

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KIA半导体MOS管厂家主要研发、生产、经营:场效应管(MOS管)、COOLMOS(超结场效应管)、三端稳压管、快恢复二极管;可申请样品及报价和有技术支持,有什么问题有技术员帮忙解决问题!2880195519

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