IXFP4N100

IXFP4N100参数及代换型号 数据表（PDF）中文资料

IXFP4N100参数及代换KNX41100AN沟道MOSFET–KNX41100A漏源击穿电压高达1000V，漏极电流最大值为2A，可替换2sk119，主适用于工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩
KIA半导体·2022-12-28 01:40

高压MOS管1000V/2A 可代替IXFP4N100 数据表（PDF）

高压MOS管1000V/2A可代替IXFP4N100放眼半导体市场，现阶段1000-1500V超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断，且存在价格高，交付周期长等弊端。
KIA半导体·2022-12-28 01:10
上一页 1 下一页
按字母分类： ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ其他