双极型晶体管（BJT）学习总结

三个端子，发射极（Emitter），基极（Base），集电极(Collector)。两种基本结构：NPN型和PNP型。

双极型晶体管是一种流控器件，电子和空穴同时参与导电。发射区掺杂浓度最高，基区次之，集电区最小（但和金属电极接触处的一小区域半导体高掺杂，是为了避免形成势垒）；基区很薄，可以看成是由两个背靠背的PN结构成。

以NPN型BJT为例：

 

 

双极型晶体管正常工作时分为四个工作区域：正向放大区、饱和区、反向工作区和截至区。通过在双极型晶体管的三个电极施加不同的电压，可以控制其工作在不同的工作区域。

 

当发射结正偏()，集电结反偏()时，此时晶体管工作在正向放大区。

 

发射结加正偏压，pn结势垒降低，有利于多数载流子（电子）从发射区流向基区，形成发射电流；

给集电结加上较大的反偏电压，势垒增大，p区的电子更容易流向n区，但n区的电子却更难流向p区（在B-C结边界，理想少子电子浓度为零，大的电子浓度梯度表明从从发射区注入的电子会越过基区扩散到B-C结的空间电荷区中，那里的电场会把电子扫到集电区中），这样才能保证发射区注入到基区并扩散到集电结边缘的载流子，被集电极收集形成集电结电流。

 

 基区必须窄的原因：我们希望尽可能多的到达集电区而不与基区中的多子空穴复合，因此，同扩散长度相比，基区宽度必须很小。若基区宽度很小，那么基区少子电子的浓度是B-E结电压和B-C结电压的函数。这两个结距离很近，称为互作用pn结。